首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 3d ic

西门子推出 Solido IP 验证套件,为下一代 IC 设计提供端到端的芯片质量保证

  • ●   西门子集成的验证套件能够在整个IC设计周期内提供无缝的IP质量保证,为IP开发团队提供完整的工作流程西门子数字化工业软件日前推出 Solido™ IP 验证套件 (Solido IP Validation Suite),这是一套完整的自动化签核解决方案,可为包括标准单元、存储器和 IP 模块在内的设计知识产权 (IP) 提供质量保证。这一全新的解决方案提供完整的质量保证 (QA) 覆盖范围,涵盖所有 IP 设计视图和格式,还可提供 “版本到版本” 的 IP 认证,能够提升完整芯
  • 关键字: 西门子  Solido IP  IC设计  IC 设计  

迈向 3D 内存:三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发

  • IT之家 5 月 21 日消息,综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道,三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上:一种是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶体管) DRAM;另一种是 VS-CAT(Vertical Stacke
  • 关键字: 3D 内存  存储  三星  

全球芯片设计厂商TOP10:英伟达首次登顶

  • 得益于人工智能需求激增推动的英伟达营收大增,全球前十大芯片设计厂商在去年的营收超过了1600亿美元,英伟达也首次成为年度营收最高的芯片设计厂商。
  • 关键字: 芯片  英伟达  IC  高通  博通  

欠电压闭锁的一种解释

  • 了解欠压锁定(UVLO)如何保护半导体器件和电子系统免受潜在危险操作的影响。当提到电源或电压驱动要求时,我们经常使用简化,如“这是一个3.3 V的微控制器”或“这个FET的阈值电压为4 V”。这些描述没有考虑到电子设备在一定电压范围内工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之间的任何电源电压下正常工作,而具有4 V阈值电压的MOSFET可能在3.5 V至5 V之间获得足够的导电性。但即使是这些基于范围的规范也可能具有误导性。当VDD轨降至2.95V时,接受3.0至3.6 V电源电压的数字
  • 关键字: 欠电压闭锁,UVLO  MOSFET,IC  

SK海力士试图用低温蚀刻技术生产400多层的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蚀刻工具有独特的性能。
  • 关键字: SK海力士  3D NAND  

5G加速 联电首推RFSOI 3D IC解决方案

  • 联电昨(2)日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案,此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术,在不损耗射频(RF)效能下,可将芯片尺寸缩小逾45%,联电表示,此技术将应用于手机、物联网和AR/VR,为加速5G世代铺路,且该制程已获得多项国际专利,准备投入量产。 联电表示,RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长,联电的RFSOI 3D IC解决方案,利用晶圆对晶圆的键合技术,并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题,将装置中
  • 关键字: 5G  联电  RFSOI  3D IC  

联电:3D IC解决方案已获得客户采用,预计今年量产

  • 近日,晶圆代工大厂联电举行法说会,公布2024年第一季财报,合并营收546.3亿元新台币,较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%,较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%,归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示,由于电脑领域需求回升,第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%,成本控管及营运效率提升,仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下,特殊制程占总营收
  • 关键字: 联电  3D IC  

如何减少光学器件的数据延迟

  • 光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
  • 关键字: 3D-IC  

Zivid最新SDK 2.12:捕获透明物体,最先进的点云

  • Zivid最新SDK2.12正式发布,是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中,我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离,速度更快,点云质量更好,特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时,我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
  • 关键字: Zivid  3D  机器人  

2026年,中国大陆IC晶圆产能将跃居全球第一

  • 根据Knometa Research的数据显示,2026年,中国大陆将超越韩国和中国台湾,成为IC晶圆产能的领先地区,而欧洲的份额将继续下降。中国大陆一直在领先优势的芯片制造能力上进行大量投资,并将从除美洲以外的所有其他地区获取市场份额。此外,KnometaResearch预计,2024年全球IC晶圆产能年增长率为4.5%,2025年和2026年增长率分别为8.2%和8.9%。截至2023年底,中国大陆在全球晶圆月产能中的份额为19.1%,落后韩国和中国台湾几个百分点。预计到2025年,中国大陆的产能份额
  • 关键字: IC  晶圆  半导体市场  

3D DRAM进入量产倒计时

  • 在 AI 服务器中,内存带宽问题越来越凸出,已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下,HBM 内存很火,它相对于传统 DRAM,数据传输速度有了明显提升,但是,随着 AI 应用需求的发展,HBM 的带宽也有限制,而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题,但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下,3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
  • 关键字: 3D DRAM  

3D NAND,1000层竞争加速!

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字: 3D NAND  集邦咨询  

国家电网能源专家:为实现“双碳”目标,我国能源系统的发展方向

  • 2023年9月27日,在“2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会”期间,举办了一场关于双碳、可持续发展的研讨会——“集成电路下的绿水青山”。国家电网能源研究院原副院长、首席能源专家胡兆光教授分享了我国能源行业的发展现状与未来方向。
  • 关键字: 202403  双碳  IC WORLD  

千亿美元蛋糕!3D DRAM分食之战悄然开局

  • 从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?如何理解3D DRAM?DRAM(内存)单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成,其中,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
  • 关键字: 3D DRAM  存储  

为什么仍然没有商用3D-IC?

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端,但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字: 3D-IC  HBM  封装  
共2052条 1/137 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

3d ic介绍

您好,目前还没有人创建词条3d ic!
欢迎您创建该词条,阐述对3d ic的理解,并与今后在此搜索3d ic的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473