- 台积电公司宣布他们将于28nm制程之后跳过22nm全代制程，直接开发20nm半代制程技术。在台积电公司日前举办的技术会展上，台积电公司展示了部分 20nm半代制程的一些技术细节，20nm制程将是继28nm制程之后台积电的下一个主要制程平台，另外，20nm之后，台积电还会跳过18nm制程。
根据台积电会上展示的信息显示，他们的20nm制程将采用10层金属互联技术，并仍然采用平面型晶体管结构，增强技术方面则会使用HKMG/应变硅和较新的“low-r”技术(即由铜+low-
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台积电 光刻 28nm 22nm
- 台积电董事长张忠谋在近来的多次演讲中，皆提及未来 2011~2014年半导体产业呈现温和成长态势。惟晶圆厂之间先进制程技术竞赛不停歇，台积电甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西时间13日的台积电技术论坛上，突然表态将跳过22奈米，直接切入20奈米，预计2012年第3季导入生产。虽然此举是台积电基于替客户创造价值而作的决定，但外界认为，这也是为了拉大与竞争对手Global Foundries的技术差距。
延续张忠谋对先进制程的看法，台积电研究发展资深副总经理蒋尚义随后在会中的演讲中表示，该公司将
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台积电 22nm 晶体管
- 台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示，台积电将会和整个半导体产业一起，向14nm以下的制造工艺进军。
张忠谋认为，2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快，原因有很多，其中之一就是受摩尔定律制约，技术发展的速度会趋于缓慢。
张忠谋表示，2xnm时代眼下很快就要到来，1xnm时代也会在可预见的未来内成为现实，而台积电或许无法在他的任期内走向1xnm，但肯定会竭尽全力将半导体制造技术带向新的水平。
台积电2010年间的资本支出预算高达48亿美元，
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台积电 22nm 28nm
- 去年九月底的旧金山秋季IDF 2009论坛上，Intel第一次向世人展示了22nm工艺晶圆，并宣布将在2011年下半年发布相关产品。
当然了，新型半导体工艺的实现并不是Intel一家就能做到的，背后默默贡献半导体设备的功臣却往往不为人所知。Arete Research LLC公司的分析师Jagadish Iyer在一份报告中指出，Intel即将最终决定22nm光刻工艺设备的供应商，最终入围的是荷兰ASML Holding NV和日本尼康两家。
其实在更早的45nm世代，ASML和尼康也曾双
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晶圆 22nm
- GlobalFoundries位于德国Dresden的Fab 1正在启动22nm CMOS工艺的开发，并计划将该工艺投入量产。目前还不知道该工艺和32nm及28nm工艺所采用的gate-first高k金属栅CMOS工艺有何差别。
此前，Fab 1被认为将作为45/40nm和32/28nm的主要生产工厂，而正在美国纽约州兴建的Fab 8才作为22nm及以下工艺的生产地。
“22nm制程已在Fab 1开动，Fab 1将试产22nm，并投入部分量产。”Fab 1总经理Ud
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GlobalFoundries 22nm CMOS
- 半导体特征尺寸正在向22/15nm的等级不断缩小，传统的平面型晶体管还能满足要求吗?有关这个问题，业界已经讨论了很久。现在，决定半导体制造技术发展方向的历史拐点即将到来，尽管IBM和Intel两大阵营在发展方式上会有各自不同的风格和路线，但双方均已表态称在15nm级别制程启用全耗尽型晶体管(FD:Fully Depleted)技术几乎已成定局，同时他们也都已经在认真考虑下一步要不要将垂直型晶体管(即立体结构晶体管)制造技术如三门晶体管，finFET等投入实用。
据In
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Intel 22nm 15nm
- IBM研究人员开发出了基于极薄SOI(ETSOI)的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。
在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD-ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。
该ETSOI技术包含了几项工艺创新，包括源漏掺杂外延淀积(无需离子注入)，以及提高的源漏架构。
该技术部分依赖于近期SOI晶圆供应商推出了硅膜厚度为6nm的S
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IBM CMOS 22nm SOC
- 2010年， ASML将有5台最先进的EUV设备整装发往全球的5家客户。业界传言，最新的NXE3100系统将发送给3家顶级存储器厂商和2家顶级逻辑厂商。EUV胜利的曙光正在向我们招手，虽然目前工程师们还在荷兰Veldhoven专为EUV新建的大楼中忙碌，在设备出厂前，解决正在发生的问题，并预测着各种可能发生的问题及解决方案。
人们谈论EUV的各种技术问题已历时数年，因为其波长较目前的193nm缩短10倍以上，EUV一直是通往22nm的实力派参赛选手之一。与此同时，延伸immersion技术，用其
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ASML EUV 22nm
- 最近芯片制造业各大巨头连连作出合并动作，继不久前GF的大股东ATIC买下新加坡特许半导体之后，最近台积电与比利时IMEC公司也正式签署了合作开发 协议，双方将协力进行混合信号IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有关技术产品的研发工作。此前两家公司实际上已经开始在进行紧密协作，不过这次的协 议签订则令双方的合作关系由“同居”转为“正式结婚”。
双方合作过程中，IMEC公司将主要负责研发设计方面，而台积电则将负责产品的实际生产。为此，IMEC公司已经
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台积电 22nm 芯片制造
- 在上周举办的IDF2009秋季开发者论坛上，Intel曾提到会在2011年下半年开始使用22nm制程技术，而其后的下一步目标则将是15nm制程技术。而对手AMD的代工公司Globalfoundries则会在2012年启用22nm制程技术，两年后的2014年他们计划转向15nm制程。尽管有 科学家声称15nm制程技术尚处在研发阶段，有关的制造工具甚至都还没有开发出来，不过按照Intel“tick-tock”的进程推算，预计Intel 启用15nm制程技术的年份会在2013年左右。
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Intel 15nm 22nm 制程技术
- NEC与瑞萨合并后会提出未来的工艺发展问题。NEC是属于IBM体系来发展32/28nm节点。而瑞萨是与松下的技术合作体系来发展32/28nm。未来22nm怎么办?
新公司称作瑞萨电子，于2010年4月正式合并成立，所以有关22nm将由新公司来决定。
在问到合并后公司的基本方向时，瑞萨欧洲区总裁Trowbridge认为新公司试图建成能服务于21世纪电子工业的半导体基础。然而这个基础现在可能不太稳固，因为按iSuppli收集的数据，全球半导体工业在2008到2009年期间总共亏损达220亿美元
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瑞萨 SoC 22nm
- NEC与瑞萨合并后会提出未来的工艺发展问题。NEC是属于IBM体系来发展32/28nm节点。而瑞萨是与松下的技术合作体系来发展32/28nm。未来22nm怎么办?
新公司称作瑞萨电子，于2010年4月正式合并成立，所以有关22nm将由新公司来决定。
在问到合并后公司的基本方向时，瑞萨欧洲区总裁Trowbridge认为新公司试图建成能服务于21世纪电子工业的半导体基础。然而这个基础现在可能不太稳固，因为按iSuppli收集的数据，全球半导体工业在2008到2009年期间总共亏损达220亿美元
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NEC 22nm 微控制器
- 纳米技术在芯片界中的发展速度相当可观，而对于目前企业级处理器发展领域中主要还是靠45nm独当一面，而随着45nm工艺的日趋成熟，各个芯片厂商却早已开始瞄向32nm工艺和22nm工艺。而按照工艺路线，接下来的处理器将指向32nm工艺。早在08年末的国际电子组件会议(IEDM)上，主要的会议切入点集中放在了32nm工艺之上，并且英特尔(Intel)公司在此次会议中，对32nm制程技术的细节进行阐述，并计划于2009年第四季投产，以推出更大能源效率、更高密度、效能更强的晶体管。
从最早的1965年英特
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Intel 45nm 32nm 22nm
- 最近Globalfoundries公司可谓喜事连连，继纽约Fab2工厂正式奠基后，又与意法半导体成功签约。不过按GF公司主席Hector Ruiz的说法，他们现在已经开始筹划第三间制造厂Fab3的项目。目前在建的Fab2将采用300mm技术生产晶圆，建成初期的2012年，将采用 28nm制程技术进行生产，随后转向22nm制程。
目前外界很难猜测Fab3项目的细节，更不用说兴建计划的日期了。不过此举至少说明GF对自己的Fab1/Fab2工厂充满信心，并对公司的发展前景非常乐观。
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Globalfoundries 晶圆 22nm 28nm
- 意法半导体和法国电子信息技术实验室CEA-LETI宣布，法国经济、工业和就业部长，以及国家和地区政府的代表、CEA-LETI和意法半导体的管理层，齐聚法国格勒诺布尔(Grenoble)市的Crolles分公司，共同庆祝Nano2012研发项目正式启动。IBM的代表也参加了启动仪式。IBM公司是意法半导体和CEA-LETI的重要合作伙伴，与双方签署了重要的技术开发协议。
Nano2012是由意法半导体领导的国家/私营战略研发项目，聚集研究院和工业合作伙伴，得到法国国家、地区和本地政府的财政支持，旨
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ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
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