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实现高降压比的三种紧凑型解决方案

  • 本文将阐述为何非隔离式DC-DC降压转换器（在本文中简称为降压转换器）在高输出电流下将高DC输入电压转换为很低的输出电压时会面临严峻挑战，并介绍可以实现高降压比，同时保持小尺寸的三种不同方法。系统设计人员可能会面临以下挑战：在高输出电流下将高DC输入电压下变频为极低输出电压（例如在3.5 A时从60 V降至3.3 V），同时保持系统的高效率、小尺寸并实现简单设计。将高输入-输出电压差值与高电流结合使用，会因为功耗过高自动将线性稳压器排除在外。因此，设计人员必须在这些条件下选择开关拓扑。但是，即使使用这种拓
  • 关键字： ADI  高降压比  

揭秘电压基准源：如何选择才能确保电子系统稳定如初？

  • 高精度电压基准源是众多电子设备和系统的重要组件，其性能的优劣直接影响整个系统的稳定性和可靠性。除了高精度这一特性之外，低温漂、低噪声、低功耗等特性同样是电压基准源在应对各类电子设备日益严苛要求时的必备要素。纳芯微的NSREF30/31xx系列电压基准源产品，凭借其卓越的性能与稳定性，不仅能满足电子设备不断增长的性能需求，更有助于客户开拓更为广阔的应用领域。如何选择电压基准源芯片？在选择一颗作为基准电压的电压基准源芯片时，首先需要从系统架构上考虑以下几个要素：电源电压、功耗预算、负载能力、温度范围和封装尺寸
  • 关键字： 纳芯微  电压基准源  

汽车区域控制器架构趋势下，这三类的典型电路设计正在改变

  • 汽车市场正在转向区域控制器架构的趋势方向，而汽车区域控制器架构正朝着分布式、集成化、智能化的方向发展，以实现更高效的数据处理、功能整合与自动驾驶支持。基于区域控制器架构带来很多设计的机会与挑战，例如SmartFET正越来越多替代传统的MOSFET器件。SmartFET是一种集成了智能控制和保护功能的功率MOSFET器件，今天已经在电动汽车上得到广泛应用。在传统功率开关元件的基础上，SmartFET增加了诸如过流、过热、过压保护以及实时监测和诊断等功能。通过集成电流检测、温度补偿以及自适应开关控制技术，Sm
  • 关键字： 安森美  控制器  电路设计  

P沟道功率MOSFETs及其应用

  • Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道的简易性使其对低压变换器（<120V）和非隔离的负载点更具吸引力。因为无需电荷泵或额外的电压源，高端侧（HS）P沟道MOSFET易于驱动，具有设计简单、节省空间，零件数量少等特点，提升了成本效率。本文通过对N沟道和P沟道MOSFETs进行比较，介绍Littelfuse P沟道功率M
  • 关键字： Littelfuse  P沟道功率  MOSFETs  

测试共源共栅氮化镓 FET

  • Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战　　Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
  • 关键字： 氮化镓  FET  

软件可配置模拟I／O的设计理念

  • 曾几何时，模拟 I/O 就是最专业、功能最固定的硬件。例如，电流驱动器和电压传感器是完全不同的零件，试图颠倒其角色可谓是荒谬至极。软件可配置模拟 I/O 将这种荒谬变成了现实。如今，单一模拟集成电路 (IC) 就能实现多种角色。例如，Analog Devices 的 MAX22000 工业 I/O 设备提供六个模拟输入和一个模拟输出，所有输入和输出均可配置为电压或电流模式。这些 IC 的灵活性使之成为多功能系统的理想之选，因为硬件可以随时重新配置，方便处理各种输入和输出类型。更为甚者，可配置的
  • 关键字： 模拟I/O  

大联大世平集团推出基于NXP产品的Matter Thread无线模组方案

  • 致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下世平推出基于恩智浦（NXP）K32W061无线微控制器的Matter Thread无线模组方案。图示1-大联大世平基于NXP产品的Matter Thread无线模组方案的展示板图随着智能家居产品种类越来越多，人们对于跨平台连接的要求也不断提升。在此背景下，Matter协议应势而生，并成为推动智能家居产业发展的有力支撑。Matter协议由CSA连接标准联盟推出，旨在打破不同品牌之间的通信壁垒，让智能家居设备可以真正实现互联互通，从
  • 关键字： 大联大世平  NXP  Matter Thread  

罗德与施瓦茨将展示计划中的新蓝牙信号的首次实时测量结果，以支持信道探测

安森美：先进的技术赋予可穿戴设备灵魂

  • 安森美模拟与混合信号事业部业务拓展高级经理Henry Yang随着科技的飞速发展，可穿戴设备作为近年来备受瞩目的新兴领域，正以其独特的便携性、交互性和监测功能改变着人们的生活方式。在这一变革的浪潮中，安森美(onsemi)公司凭借其卓越的技术实力和前瞻性的市场布局，成为了可穿戴技术领域的佼佼者。1 医疗市场的应用与突破后疫情时代，人们生活水平的提高和健康意识的增强，个人健康监测已成为市场需求的热点。安森美公司紧跟时代潮流，针对医疗可穿戴产品方案进行了持续的研发和创新。其中，安森美推出的助听器芯片就是其中的
  • 关键字： 202404  安森美  可穿戴设备  

江波龙：存储产品围绕着超低功耗、定制化、超小型尺寸等方向持续迭代

  • 江波龙：存储产品围绕着超低功耗、定制化、超小型尺寸等方向持续迭
  • 关键字： 202404  江波龙  存储产品  

艾迈斯欧司朗：助推显示光机小型化 迎接AR便携设备挑战

生成式AI、游戏先进技术齐发力，联发科天玑开发者大会MDDC将于5月举办

  • 最近联发科官方宣布，天玑开发者大会（MDDC 2024）将于5月7日在深圳隆重开幕。本次大会以“AI予万物”为核心议题，旨在汇聚全球开发者智慧，共同研讨AI技术在不同领域的应用前景和发展趋势，进一步挖掘AI对终端侧所带来的无尽潜能。届时，业界领袖与资深专家将齐聚一堂，共襄盛举，为行业发展贡献力量。据悉，本次天玑开发者大会将包括主题演讲、高峰对话、技术论坛、AI实践案例分享以及AI和游戏互动体验区等丰富环节，与会者将有机会深入了解相关技术的前沿应用和创新成果，目前“天玑开发者中心”官网正在开放报名（http
  • 关键字：   

3D NAND，1000层竞争加速

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字： NAND Flash  存储芯片  铠侠  

2024 AI 辅助研发的新纪年

  • 随着人工智能技术的持续发展与突破，2024年AI辅助研发正成为科技界和工业界瞩目的焦点。从医药研发到汽车设计，从软件开发到材料科学，AI正逐渐渗透到研发的各个环节，变革着传统的研发模式。在这一背景下，AI辅助研发不仅提升了研发效率，降低了成本，更在某种程度上解决了复杂问题，推动了科技进步。2024年，随着AI技术的进一步成熟，AI辅助研发的趋势将更加明显，其潜力也将得到更广泛的挖掘和应用。AI辅助研发的技术进展2024年，AI辅助研发领域可能会有以下技术突破和创新：深度学习：深度学习是机器学习的一个分支，
  • 关键字： AI  人工智能  

英飞凌与Green Hills Software联合推出适用于软件定义汽车的实时应用集成平台

  • 【2024年4月8日，德国慕尼黑和加利福尼亚州圣塔芭芭拉讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与嵌入式安全领域的全球领导者Green Hills Software LLC共同推出基于微控制器的集成处理平台，适用于安全关键型实时汽车系统。该平台结合了Green Hills获得安全认证的实时操作系统（RTOS）µ-velOSity™以及英飞凌新一代安全控制器AURIX™ TC4x，能为OEM厂商和Tier 1零部件厂商提供安全可靠的处理平台，用于开发电动汽车的域控制器、区
  • 关键字： 英飞凌  Green Hills Software  软件定义汽车  实时应用集成平台  
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