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低Q因子 E类放大器中的谐波抑制

  • 在这篇文章中，我们研究了Q因子不理想的E类功率放大器的滤波要求。本系列的前一篇文章探讨了E类放大器的理想化操作，并推导出了其设计方程。正如我们在文章末尾讨论的那样，这些方程依赖于负载网络的品质因子（Q）足够高，以确保开关频率下的正弦输出电流。否则，基本设计方程可能无法产生最佳性能所需的零电压和零导数开关条件。Q的实际范围是3到10，这不足以防止谐波电流流入负载。图1显示了一个基本的E类放大器——为了提供所需的谐波抑制程度，我们需要在其串联谐振电路和负载之间插入一个滤波器。 图1 基本E
  • 关键字： 低Q因子，E类放大器，谐波抑制  

Apple Intelligence何时能在国内上线？库克回应

  • 苹果CEO蒂姆·库克最近在中国进行访问，探访新浪总部期间被问及Apple Intelligence在国内何时上线时，回应称：“我们正在努力推进，这背后有一个非常具体的监管流程，我们需要走完这个流程，也希望尽快将它带给中国消费者。”值得注意的是，10月23日，工业和信息化部部长金壮龙在北京会见苹果公司首席执行官库克，双方就苹果公司在华发展、网络数据安全管理、云服务等议题交换意见。据悉，这是库克2024年第二次访问中国。库克在今年8月的2024财年第三财季电话会议中被问及Apple Intelligence服
  • 关键字： Apple Intelligence  AI  苹果  

FPGA是什么 —— 它的工作原理及其用途

  • FPGA是什么？现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array，简称 FPGA）是一种集成电路（IC），可以开发定制逻辑，用于快速原型设计和最终系统设计。FPGA与其他定制或半定制的集成电路不同，其自身的灵活性使其可以通过下载软件进行编程和重新编程，适应所设计的大型系统不断变化的需求。FPGA非常适合当今各类快速发展的应用，如网络边缘计算、人工智能（AI）、系统安全、5G、工厂自动化和机器人技术。为什么使用FPGA而不是其他类型的集成电路？FPGA的主要优势在于其可编程架构，
  • 关键字： FPGA  

ARM取消高通的架构许可协议，双方纷争为何升级？

  • 据彭博社最新报道称，ARM已向高通发出了取消架构许可协议的60天强制通知。此前ARM与高通签署过的一项架构许可协议，允许高通利用ARM的知识产权来设计芯片，而现在ARM提前60天通知高通，将正式终止这一许可。在这一消息发布之际，两家科技巨头之间正在进行一场法律战，预计将于今年12月在特拉华州的联邦法院正式打响。
  • 关键字： ARM  高通  架构  许可协议  

声科电子闪耀2024上海国际乐器展，声音博物馆引领声学新风尚

  • 2024年,上海国际乐器展再次汇聚全球音乐产业的目光,成为一场音乐与科技的盛宴。在这场盛大的展览中,宁波市鄞州声科电子有限公司(以下简称“声科电子”)携其自主品牌“isk”惊艳亮相。声科电子,自2006年成立以来,便以研发、生产、销售一体化为基石,深耕专业麦克风和耳机领域。凭借卓越的产品品质和不断创新的技术实力,isk品牌已在全球市场上赢得了广泛的认可和赞誉。此次参展,声科电子不仅带来了多款备受期待的新品,更将isk声音博物馆这一声学文化的瑰宝带到了观众面前。上海国际乐器展展后声科电子带领其新老客户到公司
  • 关键字：   

IDC支出指南：2028年全球人工智能支出将翻倍，达6320亿美元

  • 近日，国际数据公司（IDC）发布了最新全球人工智能和生成式人工智能支出指南。数据显示，到2028年，全球在人工智能（AI）方面的支出（包括支持AI技术的应用程序、基础设施以及相关的IT和商业服务）将增加一倍以上，预计将达到6,320亿美元。人工智能，特别是生成式人工智能技术（Gen AI），将被更多产品整合其中，这使得全球人工智能支出2024-2028年的复合增长率达到29.0%。IDC支出指南（Spending Guide）为您提供各区域、行业及不同规模的企业各业务线IT支出的分析和预测，帮助技术供应商
  • 关键字： IDC  人工智能支出  AI支出  

瑞萨携手英特尔，为英特尔全新酷睿Ultra 200V系列处理器打造先进电源管理解决方案

  • 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布与英特尔携手，推出一款电源管理解决方案，为搭载英特尔®全新酷睿™ Ultra 200V系列处理器的笔记本电脑实现最佳的电池效率。瑞萨同英特尔紧密合作，开发出创新的定制化电源管理芯片（PMIC），全面满足最新一代英特尔处理器的电源管理需求。这款先进且高度集成的PMIC，配合预稳压器和电池充电器，面向采用全新英特尔处理器的个人电脑提供一站式解决方案。这三款全新器件协同工作，为客户端笔记本电脑，特别是运行高功耗人工智能（AI）应用的笔记本电脑，提供了量身定制的高效电源解决
  • 关键字： 瑞萨  英特尔  Ultra 200V  电源管理  

东芝推出输出耐压为900V的小型封装车载光继电器

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新推出一款输出耐压为900 V（最小值）的车载光继电器[1]——TLX9150M，采用小型SO12L-T封装，非常适合400 V车载电池应用。现已开始批量供货。电动汽车（EV）需要使用更高容量、更高电压的电池来延长续航里程并缩短充电时间，而且通过电池管理系统（BMS）实时监控和管理电池，以最大限度延长使用寿命并提高性能。此外，BMS还会监控电池与车身之间的绝缘情况，以确保安全。在必须应对高压的BMS中，常使用光继电器提供电气隔离。用于电池系统的光继电器
  • 关键字： 东芝  车载光继电器  光继电器  

东芝推出输出耐压为900 V的小型封装车载光继电器

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新推出一款输出耐压为900 V（最小值）的车载光继电器[1]——TLX9150M，采用小型SO12L-T封装，非常适合400 V车载电池应用。现已开始批量供货。电动汽车（EV）需要使用更高容量、更高电压的电池来延长续航里程并缩短充电时间，而且通过电池管理系统（BMS）实时监控和管理电池，以最大限度延长使用寿命并提高性能。此外，BMS还会监控电池与车身之间的绝缘情况，以确保安全。在必须应对高压的BMS中，常使用光继电器提供电气隔离。用于电池系统的光继电器
  • 关键字： 东芝  光继电器  

Melexis推出集成唤醒功能的汽车制动踏板位置传感器芯片方案

  • 全球微电子工程公司Melexis近日宣布，推出MLX90424，这是一款简化汽车刹车踏板传感过程的经济高效的解决方案。为实现功能安全，该产品将两个位置传感器芯片和一个唤醒开关集成于单一封装组件中。此外，该解决方案能够直接由12V电源供电，并实现高达30mm的线性位移精确测量。针对安全关键且空间受限的应用，如汽车刹车系统等，迈来芯今天推出的这款传感器芯片MLX90424以其量身定制的设计引领行业趋势。该芯片不仅通过双线性位置传感提供冗余，还通过集成的磁性开关实现节能。与现有包含分离位置传感器芯片和开关的刹车
  • 关键字： Melexis  制动踏板  位置传感器  

大联大友尚集团推出基于ST产品的30kW Vienna PFC整流器参考设计方案

  • 致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）STM32G474RET3 MCU、STPSC40H12C SiC肖特基二极管、SCT018W65G3-4AG SiC MOSFET和STGAP2SICS电流隔离驱动器IC的30kW Vienna PFC整流器参考设计方案（STDES-30KWVRECT）。图示1-大联大友尚基于ST产品的30kW Vienna PFC整流器参考设计方案的展示板图当前，虽然电动汽车市场呈现出迅速增长的态势，但充电技术
  • 关键字： 大联大友尚  PFC整流器  

射频系统中的失配损耗和失配不确定性

  • 了解更多关于射频波反射参数的信息，即失配损耗和失配不确定性。信号反射是射频系统中常见的现象，可以降低到达负载的功率。在设计射频模块级联时，波反射可能会导致级联在最终设计中表现出多少功率增益的不确定性。为了更好地理解这一点，让我们来看看失配损耗（ML），它是表征波反射引起功率损耗的参数。失配损耗公式当传输线的输入和输出端口都连接到不匹配的阻抗（Zs≠Z0和ZL≠Z0）时，输入端提供的一部分功率在输入和输出端之间来回反弹（图1）。 图1 示例显示了通过不匹配阻抗连接的传输线输入和输出端口这种波反射导
  • 关键字： 射频，失配损耗，失配不确定性  

Vishay的采用延展型SO-6封装的新款IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns。今天发布的光耦合器包含一个AlGaAs LED（该LED通过光学耦合方式连接到具有功率输出级的集成电路，用于太阳能逆变器和微逆变器）、交流和无刷直流工业电机控制逆变器，以及用于U
  • 关键字： Vishay  IGBT驱动器  MOSFET驱动器  

克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用

  • 几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄，为1.1电子伏特（eV），而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。图1 宽禁带材料的物理特性（资料来源：安森美）这些特性意味着宽禁带材料的特性更像绝缘体
  • 关键字： 碳化硅制造  安森美  电力电子  

以AI芯片架构创新，迎接算力增长新拐点

  • 在湾芯展SEMiBAY2024《HBM与存储器技术与应用论坛》上，亿铸科技创始人、董事长兼CEO熊大鹏发表了题为《超越极限：大算力芯片面临的技术挑战和解决策略》的演讲。熊大鹏博士提出，在AI大模型技术的推动下，算力迎来需求拐点，硬件架构将成为满足算力需求的关键路径之一，未来算力增长将以存储单元为中心。大模型时代的机遇与挑战在AI大模型时代，随着数据、算力、参数量的不断提升，模型能力显著增强。熊大鹏博士指出，大模型已经从量变逐渐演变为质变，当模型体量足够大时，会出现类似人类“开悟”的涌现能力，大模型的推理能
  • 关键字： AI芯片架构  大模型  亿铸  
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