碳化硅制造 文章 进入碳化硅制造技术社区

克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用

• 几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄，为1.1电子伏特（eV），而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。图1 宽禁带材料的物理特性（资料来源：安森美）这些特性意味着宽禁带材料的特性更像绝缘体
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