稳压二极管（Zener Diode 齐纳二极管）原理：它工作在电压反向击穿状态，当反向电压达到并超过稳定电压时，反向电流突然增大，而二极管两端电压恒定。分类：从稳压高低分：低压稳压二极管(<40V)、高压稳压二极管(>200V)；从材料分：N型、P型。主要参数：① 稳定电压VZ：在规定的稳压管，反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压；② 稳定电流IE③ 动态电阻rZ④ 最大耗散功率 PZM⑤ 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin⑥ 温度系数at：温度越高，稳
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TVS管 稳压二极管
根据市场研究机构Gartner的最新报告，2024年全球半导体收入总额达到了6260亿美元，同比增长18.1%。预计2025年全球半导体市场将继续增长，总收入将进一步增长至7050亿美元。Gartner研究副总裁George Brocklehurst表示：“数据中心应用（服务器和加速卡）中使用的GPU和AI处理器是2024年芯片行业的主要驱动力。由于对AI和生成式AI工作负载的需求日益增长，数据中心在2024年成为了仅次于智能手机的第二大半导体市场，数据中心半导体总收入从2023年的648亿美元增至112
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半导体 三星 英特尔 英伟达 美光
近日在台积电赴美召开董事会的行程期间，台积电董事长兼总裁魏哲家在美国亚利桑那州举行内部会议，作出了多项决议，加速先进制程赴美。其中在先进制程部分，台积电计划在亚利桑那菲尼克斯建设的第三晶圆厂Fab 21 p将于今年年中动工，该晶圆厂将包含2nm和A16节点制程工艺，可能提早在2027年初试产、2028年量产，比原计划提前至少一年到一年半。
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台积电 CoWoS 封装 芯片
2月18日消息，马斯克旗下AI初创企业xAI正式发布Grok 3，并同步进行现场演示。马斯克称Grok 3为 “地球上最聪明的人工智能”，强调其推理能力将超越包括ChatGPT和DeepSeek在内的其他领先AI模型。据悉，为确保Grok 3以最佳状态面世，马斯克透露，整个周末他都将与团队成员并肩作战，全身心投入到产品的打磨工作中。
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设计工程师可使用该系列评估板评估全桥变压器驱动器IC-2EP1xxR系列。有三种评估板可供选择：■ EVAL-2EP130R-PR：2EP130R变压器驱动器评估板，具有双输出峰值整流和可定制的输出电压，适用于MOSFETS和IGBT。■ EVAL-2EP130R-PR-SIC：2EP130R变压器驱动器评估板，双输出，峰值整流，目标应用SIC MOSFET驱动。■ EVAL-2EP130R-VD：带双输出倍压配置的2EP130R变压器驱动器评估板。所用器件：■ 器件型号2E
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评估板 驱动器 变压器
采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功率变换。产品型号：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
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CoolSiC MOSFET
驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章以阅读杂谈的方式讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能，也建议读者阅读和收藏文章中推荐的资料以作参考。驱动器的输入侧一个可靠的功率半导体驱动电路设计要从输入侧开始，输入端可能会受到干扰，控制电路也会发生逻辑错误，可能的误触发会造成系统输出混乱，甚至损坏器件。一个典型的无磁芯变压器耦合的隔离型驱动器输入测如框图所示，本文重点讲讲不起眼的IN
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驱动电路 功率半导体 驱动器
工业应用中，功率半导体的驱动电源功率不大，设计看似简单，但要设计出简单低成本的电路并不容易，主要难点有几点：1 电路要求简洁，占用线路板面积要小一个EasyPACK™ 2B 1200V 100A六单元IGBT模块，周长20cm，占板面积27cm²，很小，在四周要安排布置6路驱动和4-6路隔离电源并不容易，如果需要正负电源就更复杂。2 电力电子系统需要满足相应的安规和绝缘配合标准，保证合规的爬电距离和电气间隙，这使得PCB面积更捉襟见肘。3 对于中大功率的功率模块，驱动板会放在模块上方，会受热和直面较强的电
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功率半导体 驱动电源 电路设计
在全球化浪潮的推动下，越来越多的企业开始将目光投向海外市场，寻求更广阔的发展空间。2025年1月上旬，贝昂智能海外团队踏上了对泰国、越南和菲律宾的探索之旅，这一行动不仅标志着企业在国际化进程中的坚实步伐，更蕴含着对区域市场的深度关注与战略布局。泰国，作为东南亚地区的经济和文化中心，以其独特的热带气候和繁荣的市场吸引了全球众多企业的目光。自2020年进入泰国市场以来，贝昂智能旗下的国际品牌Airdog凭借其卓越的产品性能和口碑，迅速在当地消费者中打开了市场。如今，它已经成功入驻多家医院和公共设施，包括泰国排
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英飞凌76mm晶闸管功率启动器（1600V和1800V，3400A）模块采用压装技术，适用于软启动应用，是一种经济高效的全集成解决方案，过载电流最高可达5100A。Power Start STT3400N16P76和STT3400N18P76的设计重点在于降低复杂性和减少元件数量。与现有的软起动器解决方案相比，新设计理念的主要优点是仅有三种外形尺寸（55/76/110毫米），适用于各种电流等级。产品型号：■ STT3400N16P76■ STT3400N18P76产品特点■ 简化到基本
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电机驱动 启动器
上回书(英飞凌芯片简史 https://www.eepw.com.cn/article/202502/467026.htm)说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优
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IGBT 电力电子
话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年，独领风骚的数代当家掌门人，分别是：呃，好像分不清这都谁是谁?呃，虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样，但都是闷骚型的。只能脱了衣服，做个“芯”脏手术。。。像这样，在芯片上，横着切一刀看看。好像，有点不一样了。。。故事，就从这儿说起吧。。。史前时代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重掺杂的P+衬底作为起始层，在此之上依次生长N+ buffer，N- ba
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IGBT 芯片
语音用户界面（VUI）正在彻底改变我们与技术交互的方式，实现免提、无缝的通信。通过整合先进语音命令识别功能，再加上语音反欺骗和说话人识别功能，开发人员可以构建具有更高安全性、个性化和功能的系统。将所有这些语音功能包含在一个软件包中，简化了各种VUI应用程序要求的采用和安装。让我们回顾一下现代VUI中这些技术的基本组成部分和优势。Suad Jusuf——Director Product Marketing and Strategy, Renesas AI Center of Excellence1 语音命令
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近日，在威星智能举办的2025年度优秀供应商评审会上，瑞萨凭借在产品质量、技术创新及客户服务方面的卓越表现，荣获威星智能颁发的优秀供应商奖。此荣誉不仅是双方长期合作、互信共赢的又一见证，同时也为未来深化合作奠定了坚实的基础。左：威星智能董事长兼总裁 黄华兵 | 右：瑞萨电子全球销售与市场副总裁、瑞萨电子中国总裁 赖长青威星智能成立于2005年，是业内卓越的以燃气、水务为核心的公用事业智能物联数字化解决方案供应商。多年来，威星智能通过持续的技术创新和卓越的产品性能，在国内外市场中占据了重要地位。截至目前，瑞
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威星智能 瑞萨 智能三表
2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。消息人士透露，英伟达曾在去年要求三星改进其 1b DRAM 的设计，此次展示的样品正是基于英伟达的要求而改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见。IT之家注意到，三星在去年曾计划使用
1b DRAM 生产 HBM，但遭遇了良品率和过热问题。该
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三星 芯片 1b DRAM 样品 英伟达
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