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闪速(flash)存储器 文章 最新资讯

相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法

  • 相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法,BM苏黎世研究中心的科学家们日前表示,已经发现能够可靠地在相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法。该小组采用90nm工艺技术,在200k单元阵列中实现了每存储单元为四层(2位元),并表示已开发出一种编码方法,能克
  • 关键字: 多个  方法  储存  单元  存储器  PCM  相变  

存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM

  •   存储器产业度过辛苦的第2季后,第3季景气恐没有这么快复苏,业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后,会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬,但业界对于DRAM市场看法则是分歧,7月合约价续跌已成定局,部分业者认为8月中开始价格可止跌,但另一派业者则认为DRAM报价到年底都不会反转,且恐有续跌的可能性,整体来看,下半年NANDFlash景气微幅优于DRAM产业,但好日子也不会维持太长。
  • 关键字: 存储器  DRAM  

一种相变存储器的驱动电路设计

  • 引言  相变存储器(PC2RAM)是一种新型半导体存储器,在研发下一代高性能不挥发存储技术的激烈竞争中,PC2RAM在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、功耗等方面的诸多优势显示了极大的竞争力,得到了较快
  • 关键字: 电路设计  驱动  存储器  相变  

存储器3Q景气NAND Flash略优于DRAM

  •   存储器产业度过辛苦的第2季后,第3季景气恐没有这么快复苏,业界预期NAND Flash产业景气在第3季中之后,会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬,但业界对于DRAM市场看法则是分歧,7月合约价续跌已成定局,部分业者认为8月中开始价格可止跌,但另一派业者则认为DRAM报价到年底都不会反转,且恐有续跌的可能性,整体来看,下半年NAND Flash景气微幅优于DRAM产业,但好日子也不会维持太长。 
  • 关键字: 存储器  DRAM  

一种基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口设计

  • 摘要:从一种军用板卡的实际需求出发,对SPI接口在设计中有诸如FPGA资源和管脚等限制的情况下,快速加栽配置数据的方法进行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件,描述了高速SPI接口的设计原理和方法,具有
  • 关键字: T1024  FLASH  1024  25T    

Flash损耗均衡的嵌入式文件系统设计

  • Flash损耗均衡的嵌入式文件系统设计,引言
    嵌入式系统的海量存储器多采用Flash存储器实现扩展,由于Flash存储器具有有限写入次数的寿命限制,因此对于Flash存储器局部的频繁操作会缩短Flash存储器的使用寿命。如何设计出一个合理的、针对嵌入式应用
  • 关键字: 系统  设计  文件  嵌入式  损耗  均衡  Flash  

美光和IV签署IP授权合约

  •   美系存储器大厂美光科技(Micron)和高智发明(Intellectual Ventures;IV)宣布双方已签署智能财产授权合约,未来美光可取得高智发明旗下所拥有高达3万多种的智能专利组合(IP)的使用权,高智发明也可向美光取得专利权,扩展智能财产权组合。   高智发明创立于2000年,集结顶尖的发明家与开创型的先驱公司合伙,并在发明的过程中,投入专业知识与资金,公司成立的使命是推动「发明型经济」(invention economy),促进全球各地的各项产品创新。   高智发明表示,将持续与所有
  • 关键字: 美光  存储器  

终端需求疲软 NAND Flash合约价大跌

  •   第2季NAND Flash终端需求太差,新出炉合约报价大跌超过10%,内存模块厂表示,合计整个5月现货报价跌幅达20%,合约价合计跌幅也超过15%,反映终端需求确实需要新刺激,目前市场是底部已临,静待反弹阶段;展望第3季,市场认同威刚董事长陈立白的基调,预期第3季仍会比第2季好一些,但市场不至于会有缺货或价格飙涨的情况发生。
  • 关键字: 三星  NAND Flash  

flash接口电路的实现

  • flash接口电路的实现,0引言

      我们在进行嵌入式系统设计的过程中,根据需求,要设计出特定的嵌入式应用系统,而嵌入式应用系统的设计包含硬件系统设计和软件系统设计两个部分,并且这两部分设计是互相关联、密不可分的,嵌入式应用系
  • 关键字: 实现  电路  接口  flash  

基于NAND FLASH的高速大容量存储系统设计

  • 摘要:为了解决目前记录系统容量小、存储速度低的问题,采用性能优良的固态NAND型FLASH为存储介质,大规模集成电路FPGA为控制核心,通过使用并行处理技术和流水线技术实现了多片低速FLASH时高速数据的存储,提高了整
  • 关键字: FLASH  NAND  大容量  存储    

存储器思谋发展

  •   存储器是随着计算机而发展起来的一种专用电子部件,用于保存数据和程序,传统上计算机的主存储器称Memory,外部设备用存储器称Storage(常用磁盘、磁带)。上世纪50年代中期,主存曾用磁芯存储器,60年代中期以来,半导体存储器开始取代磁芯存储器。随着时间的前进,存储器获得了长足的发展。   
  • 关键字: 存储器  NAND  201105  

NAND FLASH在储存测试系统中的应用

  • 0 引言  计算机技术的高速发展,存储系统容量从过去的几KB存储空间,到现在的T8;乃至不久的将来要达到的PB存储空间,其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管
  • 关键字: FLASH  NAND  储存  测试系统    

基于USB总线的MC68HC908JB8 Flash在线编程

  • ICP是一种在实际的目标电路板上烧写和擦除芯片的方法,无需从目标板上将芯片卸下来再编程实现用户程序的修改。这种方法适用于产品开发和代码升级。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1,STC
  • 关键字: 在线  编程  Flash  MC68HC908JB8  USB  总线  基于  

三星与海力士提升NAND Flash芯片产量

  •   据了解,由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。   
  • 关键字: 三星  NAND Flash  

TMS320F2812片内Flash在线烧写技术

  • TMS320F2812(以下简称F2812)是美国德州仪器公司(TI)新一代32位定点数字信号处理器(DSP),主要应用于逆变器控制、电机控制等领域,并拥有工作频率高达150 MHz的32位DSP内核处理器,可以高效可靠地实现自适应控制和状
  • 关键字: 技术  在线  Flash  片内  TMS320F2812  
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闪速(flash)存储器介绍

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