- 存储器数据的软误差率(SER)问题, 软误差率(SER)问题是于上个世纪70年代后期作为一项存储器数据课题而受到人们的广泛关注的，当时DRAM开始呈现出随机故障的征兆。随着工艺几何尺寸的不断缩小，引起失调所需的临界电荷的减少速度要比存储单元中的电
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问题 SER 误差 数据 存储器
- 尽管目前半导体市场看似十分火旺，但分析师们看到要引起警觉的讯号。分析师提醒此次复苏是不一样的。
由于半导体设备和材料市场爆出超乎寻常的增长，但是许多产业分析师认为工业己经看到阴影。尽管SEMI的订单/销售额，B/B达到1.23仍是高位，而且全球3个月的订单平均值与2009年同期相比增长达220.4%，然而许多业界掌门人在近期硅谷的午餐讨论会上，讨论2011-2012工业增长趋势时能够听到各种交叉的声音。
Gartner的Bob Johnson认为2010年半导体投资增长可超过90%，而且2
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半导体 存储器
- 据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。
南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRA
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南科 DRAM Flash
- NAND Flash价格经历一段大修正后，原本对于价格谈判完全不肯让步的上游NAND Flash大厂，在面对库存节节攀高的情况下，态度已开始松动，部分模块厂开始回补一些库存，不过，全球两大NAND Flash阵营三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)则因为有苹果(Apple)订单的撑腰，对于价格仍是相当强硬，显示苹果仍是NAND Flash产业的唯一大补丸。
近期NAND Flash价格修正颇深，除了欧洲和美国市场需求不佳，尤其是返校需求完全是虚晃一招外，大陆
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三星电子 NAND Flash
- DSP芯片（TMS320C6711D）的Flash存储器（AM29LV400B）的在线编程方式, 在嵌入式系统中，为了实现程序的脱机自动运行，程序往往固化在电可擦除的Flash存储器中。要实现一个嵌入式系统的带电脱机运行，在线编程就成为嵌入式系统开发过程的必经之路。由于在线编程涉及到硬件和软件方面的
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在线 编程 方式 AM29LV400B 存储器 芯片 TMS320C6711D
- “中国半导体产业有着良好的基础，如果要赶超世界先进水平，必须要找准方向、加强合作。”现任美国国家工程院院士马佐平26日在广州接受新华社记者采访时说。
出生于甘肃兰州的马佐平现任美国耶鲁大学教授、电机系主任，当天在广州出席两年一度的世界华人论坛。作为一名在金属、氧化物、半导体科学领域做出重大贡献的世界知名专家，他对中国的半导体产业发展表示高度关注并充满期盼。
马佐平说：“事实上，参加这次论坛的目的之一就是探讨在广东设厂生产相变存储器的可能性，而这在世界范围
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半导体 存储器
- 据集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 日前发布研究报告指出，在台系 DRAM 厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。
南科除今年将12寸月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRA
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南科 DRAM Flash
- 市场呈现手机、LCD、 LED、 PC及其它电子产品突然减缓趋势，将影响半导体产业继续快速增长，加上芯片库存上升等因素，市场开始出现是否有两次探底或者大的下降可能等杂音，有一家市场分析公司提供目前及未来半导体市场一些新的看法。
Semico研究公司在2010年8月报道其跟踪的IPI指数自2009年12月以来出现首次下降。
Semico的IPI指数能反映一年之后半导体销售增长的方向。然而Semico的研究目前仍认为2010年有31%的增长，及2011年增长13%。
Semico的IPI
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半导体 芯片 存储器
- 根据集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部门DRAMeXchange最新研究报告指出，台系DRAM厂中，南科以及华亚科在明年将有产能提升及制程转进两大因素，使产出可能大幅成长年增率150%。南科除今年将12吋月产能从3万6千片提升至5万片，明年上半年可达6万片，华亚科也由今年平圴月产能不及10万片提升至满载产能13万片，同时南科与华亚科皆在今年下半年加速50nm转进及明年转进42nm，预计明年南科及华亚科的DRAM产出成长率居全球之冠，以品牌销售颗料计，南科明年将成为台湾DRAM厂之冠。
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南科 DRAM Flash
- 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计, 本白皮书讨论各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和 Xilinx 的解决方案，同时也说明如何使用 Xilinx软件工具和经过硬件验证的参考设计来为您自己的应用(从低成本的 DDR SDRAM 应用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 这样
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接口 控制器 设计 存储器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 基于
- 根据市调机构iSuppli最新报告显示，全球最大存储器业者三星电子(Samsung Electronics)在积极扩产动作下，2010年第2季的全球DRAM市占率再下一城，从上季的32.6%进一步攀升到第2季的35.4%市占率。
三星电子第2季的DRAM营收达到38亿美元，较第1季营收31亿美元，大幅成长24.3%，不仅是前5大DRAM业者成长幅度最大的厂商，也远远高于整体DRAM市场的成长幅度。
分析师Mike Howard表示，三星电子的存储器事业，向来采取的策略就是积极的扩产、导入最
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三星电子 存储器
- 不要忽略验证工具
Mentor Graphics副总裁兼总经理Joseph Sawicki介绍了他们的最新产品，版图的寄生参数提取工具Calibre xACT 3D，Joseph称，以往此类工具在提取器件的寄生参数时都是二维的，即对器件的几何坐标进行标示和记录从而确定寄生参数，而Calibre xACT 3D则是提取单个器件以及不同器件之间的三维空间信息，这样所得到的寄生参数当然更精确。
八仙过海，鏖战消费电子
电子产业的复苏已经成为不争的事实，众厂商怎么在这第二轮增长中挖到自己
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Mentor USB接口 DRAM 存储器 201008
- 2010年NAND Flash产业真是十分惨淡的1年，好不容易熬到第3季传统旺季，8月初合约价却还是跌不停，存储器业者表示，苹果(Apple)、诺基亚 (Nokida)等大厂需求仍十分强劲，但零售市场买气不振，模块厂拿货意愿不高，把平均合约价给拉下来，其中，三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)主要供应苹果，走货较顺畅，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等传出库存水位较高，但又不愿降价，与模块厂陷入僵局。
近期大陆因为亚运因素，
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Apple NAND Flash
- 存储器大厂华邦第2季毛利率大幅提升至25%，税后获利较上季成长率高达222%;总经理詹东义表示，华邦宣告转型告捷，第2季标准型DRAM营收比重降至2%，未来华邦是全方面存储器供应商，第2季表现最佳的是NOR Flash产品线，其次是Mobile RAM，惟原本预计第4季才会供需平衡的NOR Flash市场，提前在第3季发生，因此预期第3季NOR Flash价格上涨不易，但华邦会推出新产品和持续耕耘一线大客户，第3季整体成长动能仍是持续。
华邦第2季合并营收新台币85.31亿元，较上季成长22%，
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存储器 DRAM
- 采用外接Flash存储器件对SOPC系统开发的实现,1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表现在两方面：一方面，可用Flash来保存FPGA的配置文件，从而可以省去EPCS芯片或解决EPCS芯片容量不够的问题。当系统上电后，从Flash中读取配置文件，对FPGA进行配置。
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系统 开发 实现 SOPC 器件 Flash 存储 采用
闪速(flash)存储器介绍
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