- 为了不增加硬件成本而提高显示数据的输出速度，在分析现有条形LED 显示屏单元板电路的基础上，提出了一种基于多端口串行Flash 存储器的LED 显示控制系统，该系统由STC12C5616 高速1T 单片机和带SPI接口的SST26VF016B
- 关键字：
工作 原理 介绍 控制 显示屏 串行 Flash LED 基于
- X5045是一种集看门狗、电压监控和串行EEPROM 三种功能于一身的可编程控制电路.特别适合应用在需要少量存储器,并对电路板空间需求较高场合,X5045具有电压监控功能,可以保护系统免受低电压的影响，当电源电压降到允许范
- 关键字：
x5045 存储器 程序 读写 电路 X5045 看门 基于
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布其FerVID 家族推出用于RFID标签的一款新的芯片-MB89R112。该芯片用于高频RFID标签，带9 KB的FRAM内存。FerVID家族产品使用铁电存储器(FRAM)，具有写入速度快，高频可重写，耐辐射，低功耗操作等特点。
- 关键字：
富士通 存储器 FRAM
- 世界领先的低能耗半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation和主要的UHF无线射频识别 (RFID) 产品供应商深圳市模块科技有限公司 (Module Technology Co. Ltd.) )) 宣布建立技术合作伙伴关系。在双方合作下，Ramtron和模块科技将增强后者的标准RFID阅读器硬件，以期支持Ramtron速度更快、密度更高的MaxArias无线存储器阵列。
- 关键字：
Ramtron 存储器
- 据外媒报道，中兴手机将于十月份在美国发售旗舰版手机Flash,届时将由电信运行商Sprint发行。Flash搭载1.5GHz双核处理器，内置1GB RAM和8GB内存卡，支持NFC功能、蓝牙4.0，有一个MicroSDXC插口槽。该款手机运行Android 4.0系统，有一个1240万像素的后置镜头和100万像素的前置镜头。
据报道，Flash将在今年10月14号正式登陆Sprint。中兴通过针对美国低端市场，目前已经在该国的智能手机市场位居第五。
- 关键字：
中兴 Flash Sprint
- 图1所示电路给出MAX13030E-MAX13035E逻辑电平转换器IC在存储卡信号逻辑电平转换中的应用，并可保护信号避免在plusmn;15kV HBM (人体模型) ESD冲击情况下损坏。例如，MAX13035E可从任意存储卡控制器(如基带处理器、应
- 关键字：
信号 保护 转换 电平 接口 存储器
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：
存储器 DSP 快速访问
- Linux NAND FLASH驱动代码分析,FLASH驱动在嵌入式系统中有着举足轻重的位置，而目前市场上NAND flash的价格又要便宜与NOR FLASH,随着越来越多的平台支持从NAND FLASH中启动，掌握NAND flash的驱动编写有着重要的现实意义，由于内核已经完成了大部分
- 关键字：
代码 分析 驱动 FLASH NAND Linux
- 据物理学家组织网7月19日报道，美国普林斯顿大学针对大型数据公司开发出一种软件技术，允许采用闪存的方式替代计算机随机存储器(RAM)运行，可以从根本上大幅削减能耗。 服务器公司会使互联网损耗的巨大电力剧增。
据《纽约时报》的报道估计，谷歌在其数据中心使用的电力足够大约20万户家庭使用。而大型服务器中心所采用的计算机内存类型为随机存储器(RAM)，其存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关。虽然快速、灵活，但操作 起来需要源源不断的电力，也迫使用户花费更多的资金用于冷却
- 关键字：
存储器 闪存
- 采用FLASH的嵌入式存储系统设计,1 引言
FLASH（闪速存储器）作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其
- 关键字：
系统 设计 存储 嵌入式 FLASH 采用
- 随着车载信息娱乐系统进入更广泛的多媒体应用领域，它的存储子系统正起着日益关键的作用。它们集MP3音乐播放、GPS导航、语音识别、免提蜂窝连接、DVD视频、周边酒店路况查询甚至互联网浏览、聊天等等如此多样的功能于一身。
- 关键字：
源科 存储器 SSD
- TMS320F2812(以下简称F2812)是美国德州仪器公司(TI)新一代32位定点数字信号处理器(DSP)，主要应用于逆变器控制、电机控制等领域，并拥有工作频率高达150 MHz的32位DSP内核处理器，可以高效可靠地实现自适应控制和状态
- 关键字：
在线 技术 Flash 片内 TMS320F2812 浅析
- Flash记忆体加工尺寸正越来越小，容量越来越高，耗电量越来越低，但与CPU类似，到达某个尺寸后它也会迎来瓶颈，优势将变成劣势。现在市场上已有基于25nm或20nm制造工艺的SSD，东芝在上个月宣布了基于19nm制造工艺的SSD生产线。目前估计Flash记忆体制造尺寸最小为8nm，可能要到20年代后期才可能出现。
加州圣迭戈和微软研究人员的一篇论文假 设NAND浮置栅极晶体管可用6.5nm制造工艺生产，那么一块SLC(单层存储单元)Flash芯片容量能超过500 GB，而TCL(三层存储单元)F
- 关键字：
Flash SSD
- 莱迪思半导体公司(NASDAQ: LSCC)日前宣布与全球领先的半导体代工厂，United Microelectronics Corporation(NYSE: UMC; TWSE: 2303)建立长期技术合作关系。作为这种伙伴关系的一部分，莱迪思与UMC将继续目前的工作，基于先进工艺节点的非易失性的产品，然后迅速扩大合作范围，共同致力于其他的莱迪思产品线。
- 关键字：
莱迪思 存储器
- 全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司 (NASDAQ: CDNS)，日前宣布与灿芯半导体共同合作，将Cadence DDR Soft DLL PHY IP应用于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)生产工艺的设计体系。
- 关键字：
Cadence 灿芯 存储器
闪速(flash)存储器介绍
您好，目前还没有人创建词条闪速(flash)存储器!
欢迎您创建该词条，阐述对闪速(flash)存储器的理解，并与今后在此搜索闪速(flash)存储器的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
