对实现下一阶段自动驾驶和自主驾驶而言，在密集的城市环境中探测行人是一项挑战。为达到SAE定义的L2+至L4自动驾驶要求，开发新一代4D和成像雷达至关重要。在此背景下，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了其最新、最先进的RASIC™ CTRX8191F 28nm雷达单片微波集成电路（MMIC）的最终样品。CTRX8191F专为满足自动驾驶的要求而设计，具有高性能、低系统成本的特点，并将推动新一代雷达成像模块的开发。CTRX8191F雷达MMIC具有更强大的性能，且信
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英飞凌 雷达MMIC 高清成像雷达 微波集成电路
英飞凌1992年开始碳化硅技术研发，是第一批研发碳化硅的半导体公司之一。2001年推出世界上第一个商用碳化硅二极管，此后生产线不断升级，2018年收购德国Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技术，2024年推出了集成.XT技术的XHPTM 2 CoolSiCTM半桥模块。英飞凌持续32年深耕碳化硅功率器件，不断突破不断创新，持续引领碳化硅技术发展。近日，英飞凌在北京举办碳化硅媒体发布会，深入介绍了其在碳化硅功率器件产品及技术方面的进展及其在工业与基础设施领域的应用和
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英飞凌 碳化硅 能源 工业设备
前言人工智能（AI）的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示，英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升，预计到2030年将达到约2000W [1] ，而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300kW。这一趋势促使数据中心机架的AC和DC配电系统进行架构升级，重在减少从电网到核心设备的电力转换和配送过程中的功率损耗。图2（右）展示了开放计算项目（OCP）机架供电架构的示例。每个电源架由三相输入供电，可容纳多台PSU；每台PSU由单相输入供电。机架将直流电压（例如，50V）输
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英飞凌 AI CoolSiC CoolGaN
● 英飞凌连续第15次入选道琼斯可持续发展指数。● 公司在落实积极的可持续发展战略方面持续取得进展。● 道琼斯可持续发展指数是投资者根据经济、环境和社会标准衡量全球最佳表现企业的基准。英飞凌科技管理委员会成员兼首席数字化转型与可持续发展官Elke Reichart英飞凌科技股份公司入选道琼斯可持续发展世界指数和道琼斯可持续发展欧洲指数。这是英飞凌连续第15次入选道琼斯可持续发展指数，体现了英飞凌在企业可持续发展方面一贯的卓越表现。该基
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道琼斯可持续发展指数 英飞凌
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
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碳化硅 零碳技术 英飞凌
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和
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英飞凌 碳化硅
根据合作备忘录，英飞凌将提供整套芯片解决方案，包括微控制单元（MCU）、电池均衡和监测IC、电源管理IC、驱动、MOSFET、CAN和传感器产品。通过采用这些解决方案，亿纬锂能的电池管理系统将拥有高度的安全性、可靠性以及更加优化的成本，而且能够更加准确地监测、保护和优化电动汽车（EV）的电池性能，提升用户的驾驶体验和车辆的能效。电池监控和平衡IC TQFP-48-8组合电气化的快速发展推动了对先进电池解决方案的需求。英飞凌领先的电池管理IC与亿纬锂能先进的电池技术将共同为下一代智能电池组奠定基础。英飞凌通
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亿纬锂能 电池管理系统 英飞凌
/ 编辑推荐 /氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性、两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。引 言作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体
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英飞凌 GaN SiC 电气工程师
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等效电路模型，Cauer模型和Foster模型，这一篇以二极管的浪涌电流为例，讲清瞬态热阻曲线的应用。浪涌电流二极管的浪涌电流能力是半导体器件的一个重要参数。在被动整流应用中，由于电网的频率是50Hz，因此10ms的二极管电流
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英飞凌 功率器件 瞬态热阻
● 英飞凌通过推出DEEPCRAFT™加强其AI产品组合● 新品牌将囊括英飞凌现有的边缘AI和机器学习软件解决方案● 同时还推出新的边缘AI 成熟模型英飞凌安全互联系统事业部总裁Thomas Rosteck随着边缘AI被越来越多的消费和工业应用采用，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司正在进一步加强其AI软件产品组合。为此，公司发布了边缘AI和机器学习软件解决方案的新品牌 DEEPCRAFT™。英飞凌已经意识到边缘
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英飞凌 边缘AI软件 DEEPCRAFT
据日媒报道，英飞凌 CEO Jochen Hanebeck 在采访中提到，公司正加速推动普通产品的本地化生产，将生产环节更多转移至中国，以更好服务当地客户。Jochen Hanebeck 表示，中国客户越来越希望一些关键部件能实现本地化生产，因为这些零部件的替代性非常低。为此，英飞凌计划将部分产品交由中国的代工厂生产，同时依托在中国的后端工厂，全面提升供应链的安全性，以回应客户的关切。但他并未提及在中国生产的具体目标，仅表示“取决于产品类别和市场的发展。”据了解，英飞凌早在1996年就在中国无锡设立生产基
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英飞凌 中国市场
英飞凌科技股份公司近日推出适用于IGBT、SiC和GaN栅极驱动器电源的EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR全桥变压器驱动器系列。2EP1xxR系列扩大了英飞凌功率器件产品阵容，为设计人员提供了隔离式栅极驱动器电源解决方案。该系列半导体器件可以帮助实现非对称输出电压，以经济高效、节省空间的方式为隔离式栅极驱动器供电。因此，2EP1xxR尤其适用于需要隔离式栅极驱动器的工业和消费类应用，包括太阳能应用、电动汽车充电、储能系统、焊接、不间断电源、驱动应用等。2EP1xxR系列采用具有功率集成技术
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英飞凌 EiceDRIVER 全桥变压器驱动器 栅极驱动器电源
英飞凌在实施积极的可持续发展战略方面取得了重大进展 德国可持续发展奖是欧洲最大的生态和社会承诺奖
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英飞凌 德国可持续发展奖
日前，由中国国际公共关系协会（CIPRA）主办的“第二十届中国公共关系行业最佳案例大赛”评选结果在北京正式揭晓。英飞凌提报的《“英飞凌•绿领未来”整合营销传播项目》经过层层筛选和专业评审，荣获“ESG（环境、社会、公司治理）与企业形象类”金奖。不仅肯定了英飞凌在ESG传播方面所取得的突出成果，更进一步展现了其在推动绿色发展和保护生态环境方面的坚定承诺和行业影响力。中国公共关系行业最佳案例大赛始于1993年，借鉴国际公共关系协会（IPRA）“世界最佳公共关系案例金奖大赛”的评审标准，是国内公共关系行业创立时
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英飞凌 ESG与企业形象 ESG
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测量原理——R th /Z th 基础：IEC 60747-9即GB/T 29332半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）（等同采用）中描述了测量的基本原理。确定热阻抗的
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英飞凌 功率器件，瞬态热测量
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