/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，器件的发热会造成器件各点温度的升高。半导体器件的温度升高，取决于产生热量多少（损耗）和散热效率（散热通路的热阻）。IGBT模块的风冷散热
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英飞凌 功率器件 热设计 热阻
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。第一讲 《功率器件热设计基础（一）----功率半导体的热阻》 ，已经把热阻和电阻联系起来了，那自然会想到热阻也可以通过串联和并联概念来做数值计算。热阻的串联首先，我们来看热阻的串联。当两个或多个导热层依次排列，热量依次通过
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的热阻，这些热阻是串联的，总热阻等于各热阻之和，这是因为热量在传递过程中，需要依次克服每一个热阻，所以总热阻就是
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上设计一般可以取加权平均值或给出设计余量。这是一个MOSFET单管中的芯片，直观可以看出芯片表面温度是不一致的，光标1的位置与光标2位置温度
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英飞凌 功率器件 热设计 温度测试
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容 C th 像热阻 R th 一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储存能力物理量，平板电容器电容和热容的对照关系如图所示。平板电容器电容和热容
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英飞凌 功率器件 热设计 功率半导体热容
前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的热阻和热容，哪怕是散热器，其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢？这是因为热的横向扩散带来的好处。热横向扩散除了热阻热容，另一个影响半导体散热的重要物理效应为热的横向传
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英飞凌 功率器件 热设计 热扩散
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数？在功率器件的热设计基础系列文章 《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》 和 《功率半导体芯片温度和测试方法》 分别讲了功率半导体结温、芯片温度、壳温和散热器温度的测试方法，用的
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前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。驱动IC电流越来越大，如采用DSO-8 300mil宽体封装的EiceDRIVER™ 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC紧凑型单通道隔离式栅极驱动器，驱动电流高达+/-18A，且具有两级电压变化率控制和有
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随着汽车行业的不断发展，曾经的高端功能如今已成为标配。因此，智能低压电机在塑造未来汽车用户体验方面将发挥日益重要的作用。汽车制造商正在寻求更加可靠、节能、经济，同时在恶劣条件下也能正常工作的半导体解决方案。为满足这一需求，英飞凌科技股份公司近日推出专为有刷直流电机应用设计的全桥/H桥集成电路（IC）产品系列——MOTIX™ Bridge BTM90xx。新型BTM90xx 全桥IC不仅丰富了英飞凌的产品阵容，还补充了从驱动器IC到高度集成化系统级芯片（SoC）解决方案的MOTIX™低压
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1月20日消息，日前，英飞凌科技股份公司宣布成立一个新的业务部门，将现有的传感器和射频（RF）业务合并为一个专门的组织，以推动公司在传感器领域的发展。新的业务部门SURF（传感器单元和射频）将成为电源和传感器系统（PSS）部门的一部分，并包括以前的汽车和多市场传感与控制业务。通过结合其传感器和射频专业知识，英飞凌利用成本和研发协同效应加速创新和为客户提供价值，从而增强其竞争力和上市方法。这一战略举措将利用传感器和射频市场的巨大市场潜力，预计到2027年将超过200亿美元。新业务部门于2025年1月1日生效
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● 英飞凌位于曼谷南部沙没巴干府的新后道厂破土动工，该厂将扩大公司在亚洲的生产布局● 新制造基地对于满足日益增长的功率模块需求和以具有竞争力的成本推动公司整体增长至关重要● 今年的支出已包含在2025年资本支出预测中，将根据市场需求进一步扩大生产规模英飞凌科技首席运营官Rutger Wijburg博士英飞凌科技股份公司位于曼谷南部沙没巴干府（Samut Prakan）的新半导体后道生产基地破土动工，该厂将优化并进一步丰富公司的生产布局
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在2025年国际消费电子展（CES 2025）期间，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司携手多元化全球制造商兼英飞凌新晋首选汽车设计合作伙伴Flex，展示用于软件定义汽车的全新Flex模块化区域控制器设计平台。该平台是一个具有模块化微控制器（MCU）架构和通用硬件构建模块的创新、可扩展区域控制单元（ZCU）。Flex区域控制器Flex模块化区域控制器平台是一个用于快速实现ZCU的车规级设计解决方案。借助该平台，汽车制造商能够灵活且大规模地交付软件定义汽车。这款新一代区域控制器平台将英飞
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引言CDSP SW（Converter Digital Signal Processor software）是专用于TC4x CDSP 硬件模块的软件包。CDSP SW 以二进制文件和头文件提供，用户通过配置参数并将其存储在 CDSP 的 DCCM 中来实现特定的滤波功能，通过将指令二进制代码存放在CDSP的ICCM来实现算法，在 TriCore™ 核上运行的应用程序无需调用API 即可实现 CDSP SW 的滤波功能来对外部输入信号进行处理。CDSP 结构CDSP包括一个 Synopsys Design
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/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体的电流密度随着功率半导体芯片损耗降低，最高工作结温提升，器件的功率密度越来越高，也就是说，相同的器件封装可以采用更大电流规格的芯片，使输出电流更大，但同时实际的损耗和发热量也会明显增大。功率器件中的分立器件、Easy系列模块，Eco
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