- 花旗环球证券分析师GlenYeung指出，智慧型手机业者对半导体厂第三季的投片量不佳，将使半导体大厂第三季营收陷入严重困境(Inbig trouble)。
花旗环球追踪供应链发现，即使智慧型手机大厂苹果与宏达电，也缺乏强力拉货力道，因此供应链厂商如联电第三季的营收表现也被大幅下修，季增率原本预期为20%，现在降为3%。
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- 联电本周三将举行股东会，由于联电先前合并和舰条件，因大股东意见不同及未符合主管机关规定下破局，联电这次重新修订预计先取得和舰3成股权，日后再全数购回，议案将在股东会讨论，预料将成为今年股东会焦点。
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- 联电日前定价发行了5亿美元的欧元可转换公司债(Euro-Convertible Bond，ECB)，以负利率发行，首创台币计价。主办承销商野村证券表示，以台币计价公司没有汇兑风险，将汇兑风险转嫁到投资人身上，未来可能成为公司发行海外债的新趋势。
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- 晶圆代工厂40纳米及28纳米等先进制程技术竞争激烈，台积电目前仍是全球最大40/28纳米产能供应者，全球晶圆(GlobalFoundries)及韩国三星电子等2家业者紧跟在后，但过去与台积电在技术研发上竞争激烈的联电，已多次表示，不会跟进其它同业进行军备竞赛。
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- 为维持全球第二大晶圆代工厂地位，联电今年资本支出的18亿美元预算，其中9成资金将用来扩充南科12寸厂Fab12A及新加坡12寸厂Fab12i的产能。
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- 联电2010年营收创下1204亿(新台币，下同)新高，全年EPS达1.91元，则是近年来最佳纪录。联电今年资本支出预计与去年的18亿美元持平。
联电日前召开法说会，公布2010年第四季营收为313.2亿元，季减4.1%，年增12.9%。单季毛利率为32.1%，营业净利率21.1%，税后净利64.2亿元，每股获利为0.52元。2010年全年营收为1204.3亿元，获利239亿元，每股盈余1.91元。
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- 晶圆代工厂联电投入微机电 (MEMS)技术开发已3年，19日宣布成功产出CMOS-MEMS感测芯片，预计2011年投入量产。
联电CMOS-MEMS技术制造的麦克风元件已完成功能验证，讯噪比 (S/N ratio) 已可达到 56dBA 以上的水平，其性能极具国际竞争力，预计将于2011年上半年提供工程样品，接著便能进入量产。CMOS-MEMS加速度计的产品开发也己符合消费性电子产品之应用规格 (1g ~16g)，其功能也达量产的目标。
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- 抢在台积电之前，联电日前率先与合作伙伴美高森美(Microsemi)共同发布首款采用65奈米嵌入式快闪(Embedded Flash,eFlash)制程技术生产的现场可编程门阵列(FPGA)平台，让eFlash制程技术顺利迈入65奈米世代，对其未来进一步拓展汽车、工业、医疗及航天等半导体市场将大有帮助。
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- 联电法说会昨公布第3季获利创近6年新高，每股盈余0.7元。展望第4季，联电认为，整体产能利率将维持在9成以上水平，预估Q4出货季减5%，不过高阶制程比重持续提升有助平均价格上扬，65奈米制程以下先进制程比重可望拉升至35%。
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- 2009年初才正式成军的Global Foundries，近2年在晶圆代工业界掀起波澜，2010年9月初在美国举办首届全球技术论坛，揭露20纳米技术蓝图，展现其先进制程布局速度，并可望于年底前试产28纳米制程。10月中技术论坛移师来台，Global Foundries更宣布2010年营收可望上看35亿美元(约新台币1,085亿元)。Global Foundries这1年来的攻城略地，确实让市场印象深刻，但如此的积极作为，也恐怕更加动摇联电的晶圆二哥地位。
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- 联电日前调高资本支出，25日董事会正式通过2010年资本支出追加计画，2010年总预算调高至18.19亿美元，主要用以扩充12寸与8寸厂产能。
联电原订2010年资本支出为12亿~15亿美元，执行长孙世伟在8月初法人说明会中即宣布，将资本支出调高至18亿美元。
孙世伟日前指出，2010年资本支出将有高达87%用以扩充12寸厂产能，13%资金用以扩充8寸厂产能。目前机台采购与装置进度顺利，新加坡 Fab12i厂大幅建置65/55奈米产能以服务客户，在台南科学园区 Fab12A厂的第3期无尘室
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- 据台湾媒体报道，台湾联电周四宣布，公司6月份收入同比增长26%，从上年同期的新台币82.4亿元增至新台币103.4亿元。
联电在公告中称，截至6月30日的6个月收入同比增长69%，从新台币334.7亿元增至564.6亿元。联华电子没有透露收入增长的原因。
联电第二季度收入增长31%，从上年同期的新台币226.3亿元增至新台币297.5亿元。该公司第一季度收入增长超过一倍，从上年同期的新台币108.4亿元增至新台币267.2亿元。
联电4月底表示，继第一季度8英寸等值晶圆发货量达到10
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- 据悉，台湾代工厂联电(UMC)计划于2011年年中开始，使用28nm新工艺试产3D立体堆叠式芯片，并于2012年批量投产。
联电CEO孙世伟(Shih-Wei Sun)表示，这种3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术，是联电与日本尔必达、台湾力成科技(PTI)共同研发完成的。这次三方合作汇聚了联电的制造技术、尔必达的内存技术和力成的封装技术，并在3D IC方案中整合了逻辑电路和DRAM。
孙世伟指出，客户需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS图像传感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
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- 联电15日召开股东会，会中通过私募增资案，联电董事长洪嘉聪指出，为维护股东权益，目前的股价不会发行，未来发行价格将贴近市价，而大股东也不会参与。对于第3季状况，财务长刘启东表示，第3季产能依然吃紧，其中以高阶制程最紧。
联电股东会中承认2009年度财报，每股纯益新台币 0.31元，并决议通过每股配发0.5元现金股息。
另外，会中也通过办理私募增资。洪嘉聪强调，通过私募增资案只是保留弹性，于未来适当时机办理，引进策略合作伙伴，而目前价格将不会发行，未来发行价格将会贴近市价，同时，联电大股东及
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- 联电5月营收恢复成长态势，达到新台币100.9亿元，创下历史第4高纪录，由于联电6、8及12寸厂产能处于满载，预期2010年下半单月营收仍有高点可期。至于产能同样处于满载的台积电近期亦将公布营运实绩，预期将续创历史新高。
受惠于产能满载、产品平均单价(ASP)攀升及部分订单递延到5月出货，联电5月营收表现亮丽，一举突破100亿元大关，达100.9亿元，创下近30个月来单月新高纪录，同时亦是过去历史第4 高。联电累计前5月营收461.24亿元，年增率82.82%。
由于联电接单畅旺，尤其65
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联电介绍
台湾联电集团总部设在台湾,集团旗下有5家晶圆代工厂,包括联电、联诚、联瑞、联嘉以及最新投资的合泰半导体,是全球半导体投资第四大,仅次于英代尔、摩托罗拉及西门子. 根据"经济部中央标准局"公布的近5年岛内百大"专利大户"名单,以申请件数排名, 联电第一、工研院第二、台积电第三;就取得美国专利件数而言,1993年至1997年所累积的件数,联电是台积电的两倍、工研院的3倍. [
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