- 近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。
美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。
IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。
对于美光而言，混合式记忆体立方(HMC)
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美光 内存芯片 硅穿孔
- 美光公司今天表示，泰国水灾过后固态硬盘的需求大增。自今年夏末以来，传统硬盘的价格一直在稳步上扬，因为全球70%左右的硬盘相关产品供应来自泰国，而泰国洪水造成了硬盘供应的短缺。最近惠普CEO梅格·惠特曼(Meg Whitman)就曾表示，该公司大客户近期受到了硬盘缺货的困扰。
美光表示，固态硬盘的订购量也在上升。该公司NAND解决方案集团市场总监凯文·基尔巴克(Kevin Kilbuck)表示，现在硬盘供应减少，而固态硬盘可以填补这一供应缺口。他指的是PC的传统硬盘插槽
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美光 固态硬盘
- 近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(Hybrid Memory Cube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。
美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。
IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE 国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。
对于美光而言，混合式记忆体立方
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美光 内存芯片
- 兰巴斯公司(Rambus)指控美光(Micron)与海力士(Hynix)共谋阻止其记忆芯片成为业界标准的官司失利，16日股价一度暴跌78%。
兰巴斯指称美光科技与南韩海力士公司违反加州反托辣斯法，串通操纵DRAM价格，但旧金山的加州高等法院法官16日以九票对三票驳回这项指控。
兰巴斯16日午盘股价最多暴跌14.04美元，以每股4美元成交，跌幅高达78%，收盘时回升到7.11美元，但跌幅仍达60.6%。美光股票则飙升23.4%，以6.74美元收盘;海力士股价17日在首尔股市则涨3.8%，收每
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美光 DRAM
- 单条64GB的内存看来也要“普及”了——不过首先当然是用在服务器上。11月3日，美光科技正式宣布更新旗下LRDIMM内存产品线，首次推出单条容量高达64GB的产品，面向云计算、HPC、Web服务器，数据中心等对高性能、高容量有要求的领域。
美光的新LRDIMM服务器产品线除64GB外还提供8GB、16GB、32GB等档次不同的型号，默认频率1333MHz，时序为CL=9，电压为符合DDR3L标准的1.35V。
美光LRDIMM产品中8GB、1
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美光 服务器内存
- 之前我们曾经提到过美光开发的“夹心饼干”内存技术即HMC(Hyper Memory Cube)，该公司还联合Intel在IDF 2011旧金山开发者论坛上展示了相关样品。10月6日，美光宣布将和存储芯片业界龙头韩国三星电子一起研发HMC这种新的内存架构，目标是尽快使其实用化，进入工业化生产阶段。
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美光 内存
- 美系存储器大厂美光(Micron) 5月底才宣布，第3代低延迟RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已开始送样，预计2011年下半可进入量产，日前正式宣布打入阿尔卡特朗讯下世代网通产品供应链，阿尔卡特朗讯将藉由美光第3代低延迟 RLDRAM 3存储器芯片，支持业界第1个400 Gb芯片组。
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美光 RLDRAM
- 美系存储器大厂美光科技(Micron)和高智发明(Intellectual Ventures;IV)宣布双方已签署智能财产授权合约，未来美光可取得高智发明旗下所拥有高达3万多种的智能专利组合(IP)的使用权，高智发明也可向美光取得专利权，扩展智能财产权组合。
高智发明创立于2000年，集结顶尖的发明家与开创型的先驱公司合伙，并在发明的过程中，投入专业知识与资金，公司成立的使命是推动「发明型经济」(invention economy)，促进全球各地的各项产品创新。
高智发明表示，将持续与所有
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美光 存储器
- 由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能，未来不排除再扩大NAND Flash产能，可行方案包括释出代工权给华亚科生产，或是启动新加坡二厂。美光指出，未来NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
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美光 NAND
- 美光科技(Micron Technology Inc.) 日前宣布扩建在西安的电路测试工厂，其中包括完成二期 40万平方英尺的芯片测试的模组封装工厂项目，以满足其亚洲客户不断增长的订单需求，新的工厂将视市场需求情况，在未来3-5年内投入运营。
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美光 电路测试
- 美光执行长Steve Appleton表示，看好3~5月的DRAM报价逐渐触底反弹;再者，日前三星电子(Samsung Electronics)也开始调涨DRAM合约价，南亚科也认为4月合约价将会续涨，市场弥漫春燕将至的气氛。
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美光 DRAM
- 投资公司Raymond James & Associates日前发布报告称，DRAM内存芯片市场将在下半年出现供货短缺的局面。DRAM芯片市场近一段时间表现低迷，需求降低，价格也大幅下滑。
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美光 DRAM
- 近来市场上传出，因晶圆代工端产能吃紧，故使得部分CMOS影像感测器(CMOS Image Sensor;CIS)业者供货不顺，而自家拥有产能的业者可望因此获得更多订单。
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美光 晶圆
- 美光科技首席执行官Steve Appleton 日前表示，2011年存储芯片制造产业应当抑制资本支出，以避免困扰整个产业的产能过剩问题再度出现。
Appleton 预计，存储芯片制造商用于购买制造DRAM内存芯片设备的支出在2011年将出现下滑，这仍将有助于减少供给过剩的问题。阿普里顿同时表示，市场对闪存芯片的需求依旧强劲。
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美光 存储芯片
- 随着英特尔和美光科技之间的合资企业IM Flash技术公司关闭的可能性日益增大，英特尔与美光科技之间的关系似乎有些紧张。
这两家公司面临的困难是美光科技提出的有关英特尔对IM Flash新加坡公司做出的贡献的争议。美光科技首席执行官史蒂夫-阿普尔顿(Steven Appleton)指责英特尔没有为升级新加坡的这个工厂提供必要的资金。
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美光 Flash
美光介绍
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
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