国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计，包括马达驱动、不间断电源系统 (UPS)、太阳能逆变器和焊接。
IR全新的IGBT在线选择工具能评估总线电压、开关频率和短路保护要求等应用条件。新在线工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供预估损耗，还可以建议一些能够在给定限制条件内运行的器件。该工具还为每个零件提供了定价，使设计人员能够考虑有关器件的选择对系统
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IR IGBT
士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。
士兰微7月29日发布公告称，公司第四届董事会第九次会议审议通过《关于控股子公司组建功率模块生产线项目的议案》。
多芯片高压功率模块组件因其具有较高的功率密度和可靠性、较高的集成度、安装使用便捷等优点，而越来越受到市场的关注，应用的领域也越来越广。目前采用芯片设计与制造一体化运行的士兰微电子，通过芯片设计、器件结构开发、工艺开发等
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士兰微 IGBT 芯片设计
Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文介绍EconoDUAL 3模块主要特性,典型应用电路以及EconoDUAL™3模块驱动板主要特性,评估板电路,以及IGBT各种驱动电路和驱动板材料清单(BOM).
The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
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Infineon EconoDUAL3 汽车驱动 IGBT
【 导读：在新能源领域的大多数功率变换装置中，IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是最为重要的器件，与欧洲、日本和美国相比，中国在该领域还相对落后，尽管国内也有一些企业和科研机构在进行研发，但产业化进程缓慢，技术上也落后于国外。】
今年6月，功率半导体业界的盛会“PCIMChina2010”在上海光大会展中心举行，国内外知名功率半导体厂商向与会观众展示了各自推出的新产品和众多高能效解决方案。记者观察到，功率半导体在新能源领域的应用成为本届展会的热点，而中国功率器件产业的未来发展
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功率半导体 IGBT
·随着IGBT升级换代，变频器性能不断提高，体积不断减小。
·三菱电机在功率半导体领域的一个很大的优势就是贴近系统用户。
日本从上世纪80年代开始使用工业用的变频器，还有家庭用的变频空调，在市场上变频技术得到了很快的发展。最初变频器都用晶闸管，但是后来出现了用在变频器上的IGBT。通过使用IGBT，功率损耗大幅降低。同时，经过25年的发展，出现了各种各样的研究开发成果，目前三菱电机的IGBT芯片已经发展到第6代。可以举一个直观的例子来说明IGBT的发展水平：如果
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IGBT 变频器
摘要：分别针对矩阵变换器的整流级和逆变级IGBT的过流现象进行了讨论，提出了一种新的集中式过流保护电路的设计方式。该方式可确保IGBT在短路情况下及时被关断，从而安全稳定地运行。试验结果表明：新的集中式过流保
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保护 电路设计 集中式 IGBT 矩阵 变换器 基于
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%.
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%,MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半导体
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终
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IGBT 软开关 损耗
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为 2833亿美元，增长率达到23.2%。
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%，MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率
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MOSFET IGBT
近日，中国南车在英国林肯丹尼克斯公司成立了半导体研发中心，并举行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片线开通仪式，为实现功率半导体器件世界第一的战略目标奠定了更加坚实的基础。
中国南车2008年10月成功收购了丹尼克斯半导体公司，获得了战略性资源，与中国南车现有功率半导体产业形成优势互补。为寻求更大发展，南车确立了功率半导体器件世界第一的战略目标，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融资，进一步加大对功率半导体产业的投资，着力提升六英寸IGBT芯片的生产能力;同时建立世界水平的功率半导体研发中心，
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轨道交通 IGBT
针对汽车功率模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT结构强度，大大提高了IGBT的寿命预期。
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IGBT 汽车级 混合动力车 中的设计
英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列。该系列经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。
近年来，各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT，比如开关和通态损耗优化，以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源(SMPS 和UPS)等高频应用，帮助最大
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英飞凌 IGBT UPS
英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上，推出了专为实现最高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块：采用PrimePACK 3封装、电压为1700 V、电流为1400 A的PrimePACK模块，和EconoDUAL系列的最新旗舰产品、电压为1200V、电流为600 A的EconoDUAL 3。
英飞凌公司副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出：“通过推出这两款新产品，英飞凌再次巩固了其在提供具备最高功率密
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英飞凌 IGBT PrimePACK
英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议，针对全球工业运动控制与驱动市场，提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念，两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。
根据协议规定，三菱电机将新一代功率芯片，应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中，推出的具备不同额定电流和电压(电流范围：15A 至150A，电压等级：600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
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英飞凌 IGBT
英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上，推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术，英飞凌可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求，并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。
英飞凌副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出：“通过推出全新的.XT技术，英飞凌再次巩固了自己在IGBT模块设计和制造领域的技术
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英飞凌 IGBT 封装
绝缘栅双极型晶体管(igbt)介绍
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