- 英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上,推出了专为实现最高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块:采用PrimePACK 3封装、电压为1700 V、电流为1400 A的PrimePACK模块,和EconoDUAL系列的最新旗舰产品、电压为1200V、电流为600 A的EconoDUAL 3。
英飞凌公司副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出:“通过推出这两款新产品,英飞凌再次巩固了其在提供具备最高功率密
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英飞凌 IGBT PrimePACK
- 英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议,针对全球工业运动控制与驱动市场,提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念,两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。
根据协议规定,三菱电机将新一代功率芯片,应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中,推出的具备不同额定电流和电压(电流范围:15A 至150A,电压等级:600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
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英飞凌 IGBT
- 英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上,推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术,英飞凌可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求,并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。
英飞凌副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出:“通过推出全新的.XT技术,英飞凌再次巩固了自己在IGBT模块设计和制造领域的技术
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英飞凌 IGBT 封装
- 英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议,针对全球工业运动控制与驱动市场,提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念,两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。
根据协议规定,三菱电机将新一代功率芯片,应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中,推出的具备不同额定电流和电压(电流范围:15A 至150A,电压等级:600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
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英飞凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
- 混合动力车电力驱动的关键组件是电机和电机驱动器,IGBT作为电机驱动器的核心,它的可靠性关系着混合动力车辆的安全运行,本文主要针对IGBT模块应用于汽车领域,所涉及的可靠性相关问题进行了探讨,提出了汽车级IGBT概念,并详细说明了英飞凌汽车级IGBT针对汽车应用做出的改进。
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英飞凌 IGBT 可靠性 功率循环 温度循环 201003
- 国际著名电子、电机和工业产品分销商RS Components于今日宣布,通过其在线目录RS Online(RS在线:http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半导体公司的1200类半导体产品。
此次推出的产品中,除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导通电阻特性, 并实现了小型薄型大功率), 低压驱动闪光用IGBT产品以外,还包括低饱和电压,射频用各种双极晶体管产品。 通过驱使独自的核心技术, 三洋在多
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RS MOSFET IGBT
- 在新系统架构、控制方法和器件设计中的持续创新使得太阳能的利用效率更高。这些进步包括从全球政府部门对清洁能源的有力推动,使太阳能利用的前途真正变得光明。
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趋势 采用 发展 结构 器件 IGBT
- RS Components于今日宣布,增加飞兆半导体900种新装置,飞兆是全球领先节能半导体技术供应商。RS目前拥有最先进、最全面的飞兆电源产品系列,均可从库存直接发货至广大设计工程师。
新添加的电源IC家族包括飞兆获得大奖的直流直流控制器,融合了领先行业的便携式装置高功率、高性能、功率密度和规格等特点。RS推出的飞兆系列也包括Intellimax™负荷开关和MOSFET、高性能光耦合器、二极管、IGBT、逻辑及接口产品。
飞兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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RS 电源 IGBT MOSFET Intellimax
- 英飞凌科技股份公司近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列。全新的600V RC IGBT驱动系列(RC指逆向导通),可使变频电机设计更加经济高效,从而确保采用多个电机的家电实现高达30%的节能。
洗衣机、冰箱、空调和洗碗机等家电使用的变频电机驱动装置,采用电子控制装置和一个开关电源,以便在不同使用条件下,达到最佳能效。RC IGBT(绝缘栅双极晶体管)驱动系列将英飞凌行业领先的TRENCHSTOP™ IGBT技术和续流二极管集成在单晶粒上,确保器件相对于竞争性解决方
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英飞凌 功率转换器 IGBT TRENCHSTOP
- 针对不久前结束的哥本哈根会议,中国政府出台了具体的量化政策,“到2020年我国单位GDP二氧化碳排放比2005年下降40%—45%”。同时,2010年是“十一五”的最后一年,单位GDP能耗降低20%的目标也需要实现。在“节能减排”政策的量化、“十一五”的最后冲刺加上可再生新能源应用不断发展、智能电网的持续建设、混合动力和电动汽车市场的刺激等若干利好因素的共同作用下, 2010年将成为电力电子行业
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慕尼黑上海电子展 可再生能源 IGBT
- 随着绿色电力运动势头不减,包括家电、照明和电动工具等应用,以至其他工业用设备都在尽可能地利用太阳能的优点。为了有效地满足这些产品的需求,电源设计师正通过最少数量的器件、高度可靠性和耐用性,以高效率把太阳能源转换成所需的交流或者直流电压。
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太阳能 逆变器 高效率 造就 电压 IGBT 优化
- 英飞凌科技股份公司今天宣布,公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月,英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。
通过广泛的半导体技术专利交叉许可,双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议,飞兆半导体将向英飞凌支付许可费,但协议的具体条款和条件保密。
英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院,双方已经达成和解,并将申请撤诉。
作为半导体行业的全球领袖,英飞凌目前正
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英飞凌 MOSFET IGBT
- 新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国都处于全方位的落后状态。应当认识到,电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要,因此,政府应该对IGBT产业予以大力扶持。
众所周知,电力电子技术可以提高用电效率,改善用电质量,是节省能源的王牌技术。当今以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的新型电力半导体器件是高频电力电子线路和控制系统的核心开关元器件,它的性能参数将直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。IGBT已成为新型电力半导体器件的代表性器件,
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器件 IGBT 封装 测试 MOSFET
绝缘栅双极型晶体管(igbt)介绍
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