- 中国最大的大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地近日在湖南株洲正式投产。长期以来，高端半导体器件技术和市场一直被国外垄断，该基地的投产运行将加速推动国产化大功率半导体器件产业化进程。
大尺寸功率半导体器件(晶闸管、IGBT、IGCT均属于大尺寸功率半导体器件)是变流器的关键元件，被誉为电力电子产品的“CPU”，广泛用于轨道交通、电力(高压直流输电、风力发电)、化工、冶炼等领域。长期以来，国内高端半导体器件技术和产品主要依靠进口，价格昂贵，严重制约民族工业的快速发展。
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半导体 晶闸管 IGBT
- 从普通串级调速原理入手，简要分析影响串级调速系统功率因数的主要因素。对三相四线双晶闸管串级调速、新型GTO串级调速等高功率方案分析与比较的基础上，提出了一种新型三相四线制双IGBT串级调速控制方案。
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IGBT 斩波 串级调速 系统
- 英飞凌科技股份公司在功率电子半导体分立器件和模块领域连续第六年稳居全球第一的宝座。据IMS Research公司2009年发布的《功率半导体分立器件和模块全球市场》报告称，2008年，此类器件的全球市场增长了1.5%，增至139.6亿美元(2007年为137.6亿美元)，而英飞凌的增长率高达7.8%。现在，英飞凌在该市场上占据了10.2%的份额，其最接近的竞争对手份额为6.8%。在欧洲、中东和非洲地区以及美洲，英飞凌也继续独占鳌头，分别占据了22.8%和11.2%的市场份额。
随着汽车、消费和工
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英飞凌 IGBT MOSFET
- 经济领域有两大活跃因子：技术与资本。走进凤凰半导体科技有限公司，你可以感受到这两大活跃因子结合后迸发出的强劲效应。这家注册于2008年7月的“530”企业，一期工厂已开始安装设备。今年9月正式投产后,其生产的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片将填补国内空白，告别同类产品依赖进口的局面。
刚满“周岁”的凤凰半导体就将进入产业化阶段,其速度令人惊奇，但在总经理屈志军看来,这一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士团队拥有国际一流技术;二是拥有
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变频开关 IGBT
- IGBT综述
1．1 IGBT的结构特点
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器
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IGBT 600 系统 逆变器
- 引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特
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电路 研究 保护 驱动 EXB841 IGBT 基于 电源
- 在日益增长的变频器市场，许多厂商提供性能和尺寸各异的变换器类型。这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米（当前模块的标准尺寸）模块中使用新IGBT技术使用户可以因不必改变其机械
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IGBT 性能
- 摘要：本文通过分析IGBT的结构及其安全工作区，解释了在实际应用中可能造成其损坏的原因，并利用硬件电路结合单片机的控制程序对弧焊逆变电源的IGBT采取相应措施进行保护，从而确保了IGBT安全可靠的工作。 叙词：IGB
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技术 保护 IGBT 逆变电源 大功率 电源
- 摘要：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是应用广泛的功率半导体器件，驱动器的合理设计对于IGBT的有效使用极为重要。本文就利用栅极电荷特性的考虑，介绍了一些计算用于开关IGBT的驱动器输出性能的方法。 叙词：IGBT，驱动
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计算 性能 输出 驱动器 IGBT
- 新闻事件：
韩国LS与英飞凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
事件影响：
将使英飞凌和LSI得以加速进入高效能家电、低功率消费与标准工业应用等前景好的市场
LS预计于2010年1月在天安市的生产基地开始量产CIPOS模块
韩国LS Industrial Systems与英飞凌科技(Infineon)共同成立了一家合资公司──LS Power Semitech Co., Ltd，将聚焦于白色家电压模电源模块的研发、生产与行销。
合
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英飞凌 IGBT CIPOS 射极控制二极管技术 SOI
- 6月4日，为期3天的“PCIM China 2009”展会在上海光大会展中心落下帷幕。在展会期间，国内外知名功率半导体厂商向与会观众展示了众多新产品和高能效解决方案;同时，参展企业也纷纷表示对中国功率半导体的市场前景充满信心。
新产品亮相PCIM展
一年一度的PCIM展是功率半导体领域的盛会，同时也是业内企业展示新技术、新产品的舞台。在今年的展会上，英飞凌推出IGBT(绝缘栅双极晶体管)MIPAQ base模块，该模块是变频器的核心部件。在传统的变频器中，通常要在I
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英飞凌 IGBT DIPIPM
- 目前，混合动力汽车是大规模应用新能源汽车的切入点。功率半导体器件与模块在混合动力汽车中起着不可替代的作用。除降低成本之外，混合动力汽车还需要在电池、电动、传动及电气系统等方面得到改善。
节能和环保的双重需求使得新能源汽车在全球范围内日益引起业界的重视，在最近的国际汽车展上，多家汽车企业推出了电动和混合动力汽车，这预示着新能源汽车即将进入真正的商用阶段。如今，中国对于新能源汽车的推广也进入了一个关键时期，今年2月，财政部、科技部发出《关于开展节能与新能源汽车示范推广试点工作的通知》，推广节能与
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新能源 IGBT F-RAM 混合动力
- 在2009年纽伦堡PCIM展会上，英飞凌科技股份公司宣布推出全新的Smart系列IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块。Smart 模块封装采用自动压接装配工艺，仅需一个螺钉通过单步安装流程可将模块安装到印刷电路板和散热器上。通过提供高可靠性压接技术，英飞凌满足了功率高达55 kW逆变器的设计要求。Smart模块能够优化功率变换器的解决方案，应用于通用变频器、不间断电源(UPS)、感应加热和焊接设备、太阳能逆变器及空调系统中。
安全、简单的自动压接装配
压接工艺结合自动装配技术的革命性创新简化了
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infineon IGBT 压接
- 1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压（VG(
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IGBT 栅极电阻 开关
绝缘栅双极型晶体管(igbt)介绍
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