用肖特基二极管实现多电源系统有多种方式。例如，µTCA 网络及存储服务器等高可用性电子系统都在其冗余电源系统中采用了肖特基二极管“或”电路。二极管“或”电路还用于采用备用电源的系统，例如 AC 交流适配器和备份电池馈送。
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凌力尔特 肖特基二极管 MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
GT Advanced Technologies(纳斯达克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
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GT SiC 晶体
虽然所有领先指标都显示2013年下半年将恢复季节性增长，但包括半导体在内的电子元件产业目前订单情况逊于当前市场复苏阶段的预期水平。据IHS公司的元件价格走势追踪服务，这种需求缺口可能限制今年电子元件市场的增长幅度。
2013年商品类芯片的总体前景仍然坚挺，预计半导体营业收入增长4.8%，尽管该市场的各个领域不会同样强劲。
在假日季节之前的这个时期，MOSFET、电容与逻辑器件的订单活动没有呈现出通常的水平。这个阶段通常出现交货期延长和价格上涨现象，而目前尚未看到这些情况。同时，消费电子、汽
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电子元件 MOSFET
欢迎来到电源设计小贴士！随着现在对更高效、更低成本电源解决方案需求的强调，我们创建了该专栏，就各种电源管理...
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工作频率 MOSFET Pcon
飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商，通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程，将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内，代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。
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飞兆 MOSFET LED
安森美半导体 (ON Semiconductor) 推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。
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安森美 MOSFET 锂离子电池
Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1，这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的产品。
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Mouser CAS100H12AM1 碳化硅
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。
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Vishay E系列 MOSFET
什么是功率MOSFET？我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信...
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功率 MOSFET 基础知识
一、引言电力电子设备正朝着高频、高效、高可靠、高功率因数和低成本的方向发展，功率器件则要求高速、...
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IGBT MOSFET
日前，集设计，研发一体的著名功率半导体及芯片供应商万国半导体(AOS, 纳斯达克代码: AOSL)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS™ (MOS™)中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。
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AOS AON6250 MOSFET
高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质量问题。 同样，热致噪声可能影响系统的图像传感器，也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量，占用电路板空间，让这些设计变得更复杂。
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飞兆 FDMQ86530L MOSFET
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
碳化硅(sic)mosfet介绍
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