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碳化硅(sic)mosfet 文章 进入碳化硅(sic)mosfet技术社区

EPC瞄准氮化镓功率器件市场兴起机遇

  •   功率器件一直都是由材料引导技术革新,硅材质的MOSFET已经应用多年,现在面临在功率密度、工作温度和更高电压方面的技术挑战,而解决这一问题最根本的办法是采用更高性能的材料。   宜普电源转换公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司,他们希望借助技术优势快速推广其技术和产品,并于未来数年间取代硅功率MOSFET器件及IGBT,抢夺超过百亿美元的功率转换市场份额。   增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管作为宽频隙器件,其优势包括具有更高功率密度、更
  • 关键字: MOSFET  EPC  eGaN  201406  

首批6英寸碳化硅外延晶片在厦门投产

  •   5月29日,国内首批产业化6英寸碳化硅外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天天成电子科技(厦门)有限公司投产,并交付第一笔商业订单产品, 成为国内首家提供商业化6英寸碳化硅外延晶片的生产商。   据悉,碳化硅是继第一代硅、锗和第二代砷化镓等材料之后的第三代新型半导体材料。碳化硅半导体仪器大禁带宽度、高临界场强和高热导率等优良特性,成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。   瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理郑忠惠介绍,6英寸碳化硅外延晶片相对于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
  • 关键字: 碳化硅  外延晶片  

Vishay荣获《电子产品世界》2013年度电源产品奖

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的Si8851EDB TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET荣获《电子产品世界》杂志的2013年度电源产品奖。  《电子产品世界》年度电源产品奖评选已经举行了11年,面向全球的电源供应商征集参选产品。五个门类的最佳产品奖和最佳应用奖的获奖产品是通过在线投票,以及《电子产品世界》的编辑、专家和工程师的严格评审选出的。Vishay的Si8851EDB能够在便携式计算设备中显著提高效率
  • 关键字: Vishay  MOSFET  电子产品世界  

三菱电机携六款新品亮相PCIM亚洲展2014

  •   三菱电机今年以“创新功率器件构建可持续未来”为题,携带六款全新产品,于6月17至19日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2014中隆重亮相。  今年展出的产品范围跨越六大领域,包括:工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。  在新产品方面,这次展出的全新第7代IGBT模块,适合应用在工业驱动和太阳能发电上。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流7
  • 关键字: 三菱电机  PCIM  碳化硅  

美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列 继续保持在碳化硅解决方案领域的领导地位

  •   致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用,包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。  美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件,据市场研究机构Yole Développement预计,从201
  • 关键字: 美高森美  MOSFET  SiC  

开关电源技术产业链发展状况分析

  •   开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。   根据中国电源学会收集整理的数据,2008年全国开关电源(主要包含消费类开关电源、工业类开关电源、通信电源、PC电源,下同)产值达到855亿元,2009年达931亿元,
  • 关键字: 开关电源  MOSFET  

耐高温半导体解决方案日益受到市场欢迎

  •   日前,CISSOID 公司与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售 CISSOID 产品的经销协议,后者将会帮助CISSOID公司的高温半导体产品在中国市场大范围推广。  诺卫卡公司将其在碳化硅方面的专业技术与 CISSOID 的技术及其产品组合完美结合在一起,形成独一无二的竞争力。例如:SiC 电源开关专用的隔离式栅极驱动器HADES 技术;高温 SiC MOSFET;及 SiC 传感元件的高温信号调节器。  CISSOID公司营销拓展副总裁Jean-Christophe Doucet先生表示,为保
  • 关键字: CISSOID  诺卫卡  SiC  

一款基于AN8026的变频器电源设计方案

  • 1.前言 变频器在能源节约、电力环保方面意义重大,电动机驱动是电能消耗大户,约消耗全国65%发电量,近三十多年来变频调速已在钢铁、冶金、石油、化工、电力等工作中得到广泛运用,其他家用电器例如变频冰箱,变频洗衣机、变频微波炉等也已相继出现,因此设计可靠高性能的变频器电源尤为重要。 变频技术目前得到了广泛的应用,而变频器的可靠稳定运行决定了变频器性能指标,作为基础硬件,变频器电源的高效可靠运行至关重要。如图1所示为变频器的拓扑结构,主要由整流单元、预充电电路、制动单元和逆变单元组成,从图中可知,变频器电源
  • 关键字: AN8026  MOSFET  

用于汽车启停的低耗能电源设计的几种方法

  • 随着城市快节奏的发展,大多数人拥有自己的车,这也使得交通变得拥堵,而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源,不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能,但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战,汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。 为了控制燃油消耗,许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能,而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机,当脚从刹车踏板移动
  • 关键字: P-FET  MOSFET  

IR扩充StrongIRFET系列

  •    国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。  全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界
  • 关键字: IR  StrongIRFET  MOSFET  

电容器

  •   2014年慕尼黑上海电子展产品亮点  TDK公司为变频器提供一款采用了爱普科斯(EPCOS) CeraLink™技术的全新直流链路电容器。CeraLink™技术是以PLZT陶瓷材料为基础(铅镧锆钛酸),使用的容值范围为1 微法 至100 微法,额定直流电压为400 伏。另一款电容器的额定直流电压为800伏,容值为5 微法。  CeraLink™新技术在功率变换器的直流链路的稳定性和滤波方面具有很多优势-特别与传统电容器技术相比:由于该款新电容
  • 关键字: TDK  电容器  CeraLink  SiC  

Allegro MicroSystems推出新型双同步低降压稳压器

  •   Allegro MicroSystems, LLC 公司宣布推出针对多输出系统的新型双转换器。Allegro’经 AEC-Q100 标准认证的 A8651 是双 2 A 低 VIN 同步稳压器,带可调频率,整合了高端 P 通道 MOSFET 和低端 N 通道 MOSFET。A8651 整合电流模式控制,可
  • 关键字: Allegro  双转换器  MOSFET  

工程师该如何选择电源?

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 供电处理器  凌力尔特  MOSFET  均流控制器  二极管  

基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相开关电源的方案

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: MOSFET  TVS串联  三相开关电源  ICE3AR2280JZ  

同步正向 MOSFET 驱动器无需信号变压器

  •    凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311,该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311 采用独特的预测模式,通过在副边检测信号以控制同步整流,无需信号变压器实现原边至副边通信。这种模式减少了组件数量和解决方案尺寸。  LT8311 在 3.7V 至 30V
  • 关键字: 凌力尔  MOSFET  LT8311  
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碳化硅(sic)mosfet介绍

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