封装的创新非常重要，尤其是在设计适用于支持更大电流的新一代便携式设计所需的超薄的MOSFET时更显得不可或缺。
计算机、工业及电信领域的电源应用设计人员通常使用分立式 MOSFET 支持更高的轨道电路，以提升电源效率，但其难点是如何设计出尽可能小的外形尺寸。现在，设计人员可通过与德州仪器(TI)最新电源模块 II 系列的同步 NexFET™ 电源双管 MOSFET结合，同时实现高效率、低导通电阻以及业界最小尺寸的效果。
最新超薄电源块 II 器件不仅可使产品变得更密集，同时还可
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MOSFET 封装 NexFET
三菱电机开发出了支持50kHz左右高频开关动作的工业设备用混合SiC功率半导体模块，并在7月23～25日举办的“日本尖端技术展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。该模块组合了高频用Si-IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC-SBD(肖特基势垒二极管)，从2014年5月开始样品供货。
据介绍，新产品可用于光伏发电用逆变器等多种工业设备，尤其适合经常采用高开关频率的医疗设备用电源。新产品有6种，耐压均为1200V，额定电流为100A～600A不等。通过采
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SiC 医疗设备
氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广
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宜普 EPC MOSFET
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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DC/DC转换器 宽电流 MOSFET 集成型稳压器
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。 SBD适合各种应用，包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外，它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件，能够将效率提升50%(东芝调查)。 SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行，即便是在高电压
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东芝 SBD SiC
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，适合需要极小占位面积和大电流性能的汽车应用，包括泵电机控制和车身控制等。 使用紧凑5x6mm PQFN封装的AUIRFN8403，是IR运用该公司最先进的COOLiRFET 40V沟道技术的全新器件系列的首款产品，具有3.3 mΩ超低导通电阻和95A大电流承载能力。PQFN封装具有加长管脚，管脚的端口通过电镀进行焊接，从而
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IR MOSFET COOLiRFET
美国阿肯色大学研究人员已经设计出可在温度高于350°C (大约660°F)时工作的集成电路。该研究由美国国家科学基金(NSF)提供资助，研究成果可以提高用于电力电子设备、汽车和航空航天设备领域的处理器、驱动器、控制器和其他模拟与数字电路的功能，因为所有这些应用场合的电子设备都必须在高温甚至经常在极限温度下运行。
阿肯色大学电子工程学院特聘教授Alan Mantooth说，“坚固性允许这些电路被放置在标准硅基电路部件无法工作的地方。我们设计了性能优越的信号处理电路模
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SiC 集成电路
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。 SBD适合各种应用，包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外，它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件，能够将效率提升50%(东芝调查)。 SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行，即便是在高电压
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东芝 SBD SiC
美国设计出可在温度高于350°C 时工作的集成电路，该产品可以用于高温甚至极温下运行的航空航天设备......
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SiC 集成电路
]新日本无线的MEMS传感器累计出货量突破1亿枚，这是新日本无线执行董事兼电子元器件事业部长村田隆明先生今年来访时带来的最新消息，同时在SAW滤波器、MOSFET、光电半导体器件、功率半导体器件和最新型运算放大器等各个方面都有了长足的进步。
记得去年七月份村田隆明来到本刊时，详细介绍了新日本无线将向综合电子元器件供应商转型的发展战略，而今表明这一战略转型已经初步完成。
电子元器件业务已占赢收85%
纵观新日本无线公司历长达50多年的发展历程，可以看到其业务构成主要是独特的模拟技术和微
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MEMS MOSFET 滤波器
球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具备
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IR MOSFET DirectFET
最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由矽晶制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014VLSI技术研讨会上的研究人员们表示，未来，这种MOSFET将改采三五(III-V)族材料在矽基板上生长而成。
在一场由Semiconductor Research Corporation(SRC)所举行的产品展示中，美国加州大学圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人员们展示他们所宣称世界上最高性能的MOSFET──这种MOSFET是由在(InP)上的砷化铟镓(InGaAs)所形成;这种
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III-V族 MOSFET
最高性能的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)将不再由矽晶制成。根据近日在美国夏威夷檀香山举行的2014 VLSI技术研讨会上的研究人员们表示，未来，这种 MOSFET 将改采三五(III-V)族材料在矽基板上生长而成。
在一场由Semiconductor Research Corporation(SRC)所举行的产品展示中，美国加州大学圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人员们展示他们所宣称世界上最高性能的 MOSFET ──这种 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化铟镓(InGaA
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矽晶 MOSFET
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 展示产品简介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE：Inject
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东芝 IEGT SiC
碳化硅(sic)mosfet介绍
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