随着汽车市场电气化时代的到来，对电池充电器的需求越来越大。通过简单的公式可以知道，功率越大，充电时间就越短。本文考虑的是三相电源，其所能提供的功率最高为单相电源的3 倍。这里提及的三相 PFC 板是基于碳化硅 MOSFET 的车载充电器系统第一级的示例，它会提高系统效率并减少 BOM 内容。开发 PFC 板的主要目的是方便访问不同设备，从而为测试阶段和测量提供便利；外形尺寸优化从来不是 EVB 的目标。 一 输出电压在这里，三相 PFC 提供的输出电压被固定为 700 V（精度5%）。得益于
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安森美 PFC 车载充电器
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在衬底和外延的概况，同时也分享了安森美在器件开发的一些特点和进展。到这里大家对于SiC的产业链已经有一定的了解了。也就是从衬底到芯片，对于一个SiC功率器件来说只是完成了一半的工作，还有剩下一半就是这次我们要分享的封装。好的封装才能把SiC的性能发挥出来，这次我们会从AQG324这个测试标准的角度来看芯片和封装的开发与验证。图一是SSDC模块的剖面示意图，图二是整个SSDC模块的结构图，从图一和图二我们可以发现这个用在主驱的功率模块还是比较复杂的，里面包含了许
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SiC Traction模块 安森美 202311
中国上海 - 2023年7月7日--领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，将携领先的图像感知技术及方案亮相于7月11日至13日在上海国家会展中心举办的中国（上海）机器视觉展（Vision China 2023），展位号为5.1号馆D204号展台。 安森美将展示基于其 AR0822图像传感器和Rockchip的RK3588处理器的高精度条码扫描方案。AR0822支持120 dB高动态范围片上融合（eHDRTM）、近红外响应增强（NIR+）和超
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安森美 智能成像 Vision China
最近，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的应用日益增多，受到广泛关注。然而，在这些新技术出现之前，许多高功率应用都是使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，事实上，许多此类应用仍然适合继续使用 IGBT。在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构，然后探讨这种多用途可靠技术的新兴拓扑结构。IGBT 器件结构简而言之，IGBT 是由 4 个交替层 (P-N-P-N) 组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体 (MOS
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安森美 IGBT
2023 年 7 月 4 日，中国上海讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，将携多款面向新能源汽车、ADAS与自动驾驶（AD）、汽车智能网关与域控制器以及智能驾驶的先进解决方案，亮相2023年慕尼黑上海电子展（以下：慕展）。本次展会将于7月11日在上海国家会展中心隆重开幕，为期三天，瑞萨电子展位号：H7.2，D202。那瑞萨究竟将带来哪些汽车电子先进解决方案呢？让我们先睹为快。 · 新能源汽车
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瑞萨 汽车电子 慕尼黑上海电子展
支持蓝牙低功耗 (LE) 的设计可让设备长时间处于非工作状态，因此，您可能需要选用具有超低功耗睡眠模式的高能效无线微控制器 (MCU)，这对于优化整体系统性能至关重要。设计人员应当仔细选择采用蓝牙低功耗技术的 MCU 的规格，确定超低功耗的真正含义。这不是对照数据表确定最低电流消耗值，针对应用寻求最佳解决方案并非易事。睡眠模式（又称低功耗模式或休眠模式）不仅意味着低电流，还需考虑以下几个因素：● 电流消耗● 唤醒源● 保留内存●&n
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安森美 MCU
自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。最常见的充电方法是在家充一整夜或白天到工作场所充电。这两种情况对电动汽车的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅电源插座可能无法在一整夜后就为电动汽车充满电。工作场所提供的可能是中等功率的交流充电桩，如果汽车配备的是较低功率的车载充电器 (OBC)，那么充电桩使用时间可能会成为
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安森美 MOSFET 车载充电器
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) NCN26010工业以太网控制器。这款新型10BASE-T1S以太网控制器设计用于为工业环境提供可靠的多点通信。安森美NCN26010是一款10Mb/s、符合IEEE 802.3cg标准的器件，包含媒体访问控制器 (MAC)、PLCA协调子层 (RS) 和10BASE-T1S PHY，设计用于工业多点以太网网络。该器件可在单根双绞线上实现40多个节点，
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贸泽 安森美 以太网控制器
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美（onsemi），推出了一款端对端定位系统，让设计人员可以更方便快速地开发出更高精度、更具成本效益、更省电的资产追踪解决方案。该系统基于安森美的RSL15 MCU，这是业界功耗最低的Bluetooth® 5.2 MCU，并采用了Unikie和CoreHW的软件算法和组件，形成一个全集成的解决方案，其组件已经过优化，可以协同工作。新的蓝牙低功耗（Bluetooth LE）解决方案使标签能够用于在规定的封闭空间（如仓库、商店或其他建筑物）中以亚米级的精度追踪物体或人员。它
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安森美 定位 资产追踪
自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。最常见的充电方法是在家充一整夜或白天到工作场所充电。这两种情况对电动汽车的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅电源插座可能无法在一整夜后就为电动汽车充满电。工作场所提供的可能是中等功率的交流充电桩，如果汽车配备的是较低功率的车载充电器 (OBC)，那么充电桩使用时间可能会成为
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安森美 onsemi MOSFET 车载充电器 800V电池架构
SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南。本文为第三部分，将重点介绍NCP517
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安森美 SiC MOSFET 隔离栅极驱动器
本文旨在介绍 安森美 (onsemi) 的在线 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技术优势，提供有关如何使用在线工具和可用功能的更多详细信息。我们首先介绍一些与 SPICE 和 PLECS 模型有关的基础知识，接下来介绍开关损耗提取技术和寄生效应影响的详细信息，并介绍虚拟开关损耗环境的概念和优势。该虚拟环境还可用来研究系统性能对半导体工艺变化的依赖性。最后，本文详细介绍对软硬开关皆适用的 PLECS 模型以及相关的影响。总结部分阐明了安森美工具比业内
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安森美 PLECS模型 仿真工具
IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。图 1. IGBT的等效电路图 2. IGBT的导通电流为了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时，会存在一个从双
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安森美 IGBT 栅极驱动
简介 本文旨在介绍 安森美 (onsemi) 的在线 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技术优势，提供有关如何使用在线工具和可用功能的更多详细信息。我们首先介绍一些与 SPICE 和 PLECS 模型有关的基础知识，接下来介绍开关损耗提取技术和寄生效应影响的详细信息，并介绍虚拟开关损耗环境的概念和优势。该虚拟环境还可用来研究系统性能对半导体工艺变化的依赖性。最后，本文详细介绍对软硬开关皆适用的 PLE
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安森美 Elite Power 仿真工具 PLECS 模型自助生成工具
在众多谐振转换器中，LLC 谐振转换器有着高功率密度应用中最常用的拓扑结构。之前我们介绍过采用 NCP4390 的半桥 LLC 谐振转换器的设计注意事项，其中包括有关 LLC 谐振转换器工作原理的说明、变压器和谐振网络的设计，以及元件的选择。今天我们将介绍设计程序的前9个步骤并配有设计示例来加以说明，帮助您完成 LLC 谐振转换器的设计。设计程序本文介绍了使用图 12 中的电路图作为参考的设计程序，其中谐振电感是用漏感实现的。设计规格如下所示：● 标称输入电压：396 VDC（PF
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安森美 半桥 LLC 转换器
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