来自市场研究机构DRAMeXchange的最新数据，6月份全球DRAM出货量(折合为256M比特DRAM内存)增长了4%，达到了5.54亿件，其中DDR内存的比例从5月份的63%下滑到了61%，DDR2的比例为30%。 DRAMeXchange预测，随着DDR内存出货量的削减，其供应紧缺状况贯穿整个第三季度，而DDR2内存市场，就出货量而言，Powerchip半导体公司和ProMOS 科技公司在我国台湾厂商中处于领先地位。该研究机构还预测
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DRAM 存储器
据市场研究机构IDC的调查显示，未来四年内，磁盘存储市场仍将保持稳定的增长态势。这种增长主要得益于信息存储必须符合全球标准、低价易用的存储产品的推广以及存储虚拟等新技术的涌现。 据IDC机构存储专家Dave Reinsel分析，2001-2002年存储业走过低迷时期后，2004年存储市场迎来了第二个持续增长期。与2003年相比，2004年全球的存储产品销售增长了4.4%。2005年，全球存储产品销售将达到234亿美元，而到2009年会增长
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磁盘 存储器
富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory, FRAM)非易失存储器技术。 根据协议，双方计划研制一种高集成度的下一代FRAM，其组件面积将只有目前市场上销售的常规FRAM的1/6， 研发计划预计将于2006年上半年完成。同时，富士通和爱普生还计划开发一种存储器核心处理技术，其特点是对于可执行的读写周期的限制达到了最小。 近年来，便携式信
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富士通 存储器
在5月份时曾有报道指，中芯国际计划提高其SDRAM产品的报价。然而如今，业内的消息人士开始声称这家位于中国的晶圆厂计划从第三季度开始，大幅削减其SDRAM的产能——幅度高达70%～80%。业界观察员指出，这个举动将有助于该公司为其新的Fab 5工厂购置设备。 据报道，中芯国际向美国进出口银行的贷款申请之所以遭到拒绝，是因为一名来自爱达荷州——美光公司的大本营--的参议员努力游说和阻挠的结果。中芯国际原本计划用这笔贷款来购买全球最大芯片制造设备制造商Applied M
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中芯国际 存储器
韩国三星电子昨天表示，公司董事会已通过投资6,367亿韩元(约6.17亿美元)升级存储器芯片生产线的计划。 港台媒体报道，三星电子在一篇简短的信息公告中指出，该投资是为了响应快速闪存市场扩大以及生产增加的变化。
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三星电子 存储器
ARM公司在加利富尼亚州旧金山市召开的JavaOne大会上发布了其全新的Jazelle® RCT 技术，该技术能在移动电话和消费电子产品等众多应用终端上显著地降低Java应用程序对内存的占用空间，同时提高性能并降低功耗。ARM® Jazelle RCT (运行时间编译器目标，Runtime Compiler Target)架构扩展集扩展了Jazelle技术范围，使其涵盖了运行时间和提前时间编译器技术的最优化，如即时编译（Just In Time Compiler, JIT)和动态适应编译
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ARM 存储器
国际DRAM厂供应货源不足因应旺季需求 OEM厂转向台厂寻求产能支应。由于OEM计算机大厂担心进入下半年产业旺季后，目前库存货源可能不敷使用，近期纷纷开始增加对DRAM厂下单，惟国际DRAM厂已陆续转移产能生产标准型DRAM颗粒以外的产品，因此供货情况未能满足国际OEM计算机厂需求，为此，OEM计算机厂也转向台湾DRAM厂寻求产能支应，且以过去主力供应现货市场的DRAM厂为主，据传订单数量相当惊人。 TRI观点：以产业链各厂商的动态来观察DRAM产业目前上下游市况如下：
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DRAM 存储器
据台湾内存厂商透露，由于自今年初以来，内存的价格经历了重大下挫，所以这些内存厂商已经开始将目光投在闪存市场上，其中茂德科技(ProMOS Technologies)已经设立了一家NAND闪存存储卡封装合资厂，而华邦(Winbond)则收购了一家NOR闪存设计企业。 据茂德总裁陈民良透露，他们已经投资245万美元于上海开办了一家合资企业，看中的就是大陆手机和数码相机市场对存储卡的巨大需求。茂德在此合资企业中的股份是49%，
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内存 存储器
DRAM厂商第2季财报恐多出现赤字，早盘股价纷纷拉回修正，盘中力晶、南科、茂德跌幅均超过1%以上，茂硅一度跌停。 据港台媒体报道，DRAM 价格第 2 季处于低档，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)会计盈转亏，税后亏损 1.28 亿美元、每股亏损 0.2&nbs
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DRAM 存储器
DRAM制造业巨头调换产能抢攻NAND型闪存市场的效应正在快速扩散，那就是内存芯片正面临缺货危机。三星、Hynix以及我国台湾的力晶纷纷实施或宣布了将产能转调入闪存生产的消息后，内存模块制造商即将进入长达数个月的供货“枯水期”。 内存模块制造业人士称，原本DRAM芯片供货量仅受三星转换产能影响，还没有明显感受到货源不足压力，但从7月起，Hynix也将转换产能生产闪存，在2大DRAM芯片制造商双双转换
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三星 存储器
超微（AMD）自从4月发出打算将旗下快闪内存（Flash）部门公开上市，以Spansion之名向美国证管会提出IPO申请后，华尔街分析师认为，近来美国半导体类股市场不佳，Spansion恐怕无法募得足够资金，在市场不看好声中，传出超微有可能递延IPO消息。 据港台媒体报道，超微执行官Hector Ruiz在2005年初就直言对Flash事业营运很不满意，不仅销售额衰退，连续2季营运亏损，2004年第四季（Q4）与2005年Q1分别亏
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AMD 存储器
三星公司的CEO兼总裁黄昌圭(HwangChang-gyu)指出，计算机内存芯片价格在下滑40%之后，有望趋于稳定。 今年第二季度，全球芯片制造商超负荷生产，导致了DRAM的价格下降，这对三星第二财季的利润也产生了影响。黄昌圭称：“到现在为止，DRAM的价格下降了40%。今后，价格会趋于稳定。” 三星表示，DRAM制造商开始由生产低价的DRAM向闪存芯片过渡，闪存芯片主要用于数码相机、移动手机和音乐播放器等产品中。同时，由于业内向下一代芯
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三星 存储器
硬盘手机将成主流之时，随着手机用户在手机上存储的信息日益增多，业者认为硬盘将成为“必需品”。硬盘手机一旦进入“黄金时代”之时，元件市场也将随之又蕴商机。 据悉，数年来，硬盘厂商一直在为iPod的成功而欢欣鼓舞。iPod以及其它MP3播放机已经使得微型硬盘的销售达到了一个新的高峰。之后手机厂商积极将微型硬盘用于新款手机产品中，业内不断听到新的好消息：三星、诺基亚新出品的手机将集成有硬盘。与以前只能在闪存中存储数首歌曲的手机不同，这些手机的
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存储器
Crolles2联盟在京都VLSI研讨会上宣布的论文，为未来的低成本、低功耗、高密度消费电路采用超小制程尺寸又添新选择日本京都 (2005年 VLSI 研讨会) ， 2005年6月15日 - Crolles2联盟今天宣读一篇有关在正常制造条件下采用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0.25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文*，这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。Crolles2联盟是由飞思卡尔半导体(NYSE: FSL, FSL.B)、飞利浦(NYSE: PHG, AEX: PH
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飞利浦 飞思卡尔 意法 存储器
采用45纳米低成本低功率普通CMOS体效应技术
Crolles2联盟在京都VLSI研讨会上宣布的论文，为未来的低成本、低功耗、高密度消费电路采用超小制程尺寸又添新选择
日本京都 (2005年 VLSI 研讨会) ， 2005年6月15日 – Crolles2联盟今天宣读一篇有关在正常制造条件下采用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则制造面积小于0.25平方微米的六晶体管SRAM位单元的论文*，这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。
Crolles2联盟是由飞思卡尔半导体(NYSE: F
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存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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