- 摘 要：本文在分析了非对称同步FIFO的结构特点及其设计难点的基础上，采用VHDL描述语言，并结合FPGA，实现了一种非对称同步FIFO的设计。关键词：非对称同步FIFO；VHDL；FPGA；DLL；BlockRAM引言FIFO是一种常用于数据缓存的电路器件，可应用于包括高速数据采集、多处理器接口和通信中的高速缓冲等各种领域。然而在某些应用，例如在某数据采集和处理系统中，需要通过同步FIFO来连接8位A/D和16位数据总线的MCU，但是由于目前同步FIFO器件的输入与输
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BlockRAM DLL FPGA VHDL 非对称同步FIFO 存储器
- LSI逻辑公司于2005年1月24日宣布，全球五大服务器生产商中有四家已成功地选用LSI逻辑的SAS设计方案，并准备推出第一代SAS企业级平台，他们将使用LSI逻辑上SAS设计方案中的控制器IC、HBA、MegaRAID® 存储适配器等。SAS设计方案的成功将使LSI逻辑继续保持其在存储市场中的领先地位，目前LSI逻辑已开始批量供应其4端口、8端口SAS 控制器IC和SASx12扩展器。 这些设计方案的成功进一步印证了LSI逻辑存储技术的领先地位、率先向市场（first-to-marke
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LSI逻辑 存储器
- 瑞萨科技加入Symbian同盟技术计划
伦敦和东京，2005年1月19日－今天瑞萨科技公司宣布，瑞萨科技的superAND闪存存储器使用的驱动器软件，将包括在Symbian OS™的发货中，提供给Symbian 操作系统许可使用商。通过Symbian同盟技术计划，瑞萨科技将为使用Symbian操作系统生产智能电话的手机生产商提供简单、低风险的机制，以评估其电话中使用的superAND闪存存储器。通过授权许可使用，世界领先的移动电话生产商可以使用Symbian OS™。
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瑞萨 存储器 存储器
- 2004年9月A版
在下一代存储器的开发中，强电介质存储器MRAM(磁膜RAM)、OUM(双向一致存储器)是最有力的修补者，多家公司都进行产品化。不过各家公司的产品战略有所不同，其产品或逻辑电路与强电介质存储器结合而成系统LSI，或做成替代EEPROM、内存及DRAM的单个存储器。
强电介质存储器(FERAM/FRAM)为非易失性存储器，除了象DRAM及SRAM一样无需数据保持电源外，比起同样非易失的闪速存储器及EEPROM来，在写入时间、写入电压、耐改写性(写入次数)、数据保存时间方面也十分
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存储器 存储器
- 日前瑞萨科技公司宣布推出H8S/2189F 16位片上闪存存储器微控制器，可以提供业界首个软件IP（知识产权）保护。在2005年1月7日，将从日本开始样品发货。
H8S/2189F包括完整的标准片上外设功能，通过安装网络、图像处理或其它专用软件IP，这些外设功能可以用在很多领域。
H8S/2189F的特性总结如下。
(1) 软件IP保护功能，可以防止非法读出。
片上闪存存储器中有64K字节的区域用于软件IP安装。实现对此区域的保护可以防止外部对它的访问，
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瑞萨科技 存储器
- 日立集团（NYSE：HIT）全资子公司日立数据系统有限公司（HDS）发布拓展全球中小型企业市场的重要举措，即推出专为渠道优化的、构建在最新日立 Thunder 9520VTM 工作组模块存储系统之上的 SAN 整合与数据备份的解决方案。这些解决方案将主要面向微软 Windows 2003 服务器平台市场，是日立数据系统推出的首款渠道专用的解决方案。日立数据系统将通过日立 TrueNorthTM 全球渠道合作伙伴进行销售，其中包括亚洲的联想和宏基、美洲的 Gateway 等电脑巨头，以及欧洲的 MAXD
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日立 存储器
- 意法半导体（纽约证券交易所：STM）推出了一款64兆位的串行代码存储闪存，这个器件是世界上速度最快的64兆位串口闪存，数据传输时钟频率达被提高到50MHz，数据读取吞吐量高达50兆位每秒，简单的四线SPI串行外设接口大大简化了系统设计，减少了封装的引脚数量，深节能模式（power-down）仅消耗1微安电流，从而大幅度降低了系统功耗。M25P64是STM25P闪存产品家族中最新的密度最大的产品，特别适用于一体化打印机、PC主板、机顶盒、CD唱机和DVD视盘机、数字电视、数码相机、图形卡和平面显示器等各种应
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意法半导体 存储器
- 意法半导体近日推出了一款64兆位的串行代码存储闪存，这个器件是世界上速度最快的64兆位串口闪存，数据传输时钟频率达被提高到50MHz，数据读取吞吐量高达50兆位每秒，简单的四线SPI串行外设接口大大简化了系统设计，减少了封装的引脚数量，深节能模式（power-down）仅消耗1微安电流，从而大幅度降低了系统功耗。
M25P64是STM25P闪存产品家族中最新的密度最大的产品，特别适用于一体化打印机、PC主板、机顶盒、CD唱机和DVD视盘机、数字电视、数码相机、图形卡和平面显示器等各种应用的代码存
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存储闪存 存储器
- 2004年8月A版 6月22日，全球部分主要电子媒体聚集到英飞凌(Infineon)科技公司的存储器生产基地—德国德累斯顿市，聆听了存储器产品事业部首席技术官(CTO)W. Beinvogl博士的讲演，了解了这家世界主要的存储器公司在非易失存储器(NVM)方面所取得的一些研究成果。 尽管DRAM、Flash(闪存)等存储器发展如日中天，但世界存储器市场的主要供应商—英飞凌早已意识到现有的存储器都有一定的技术局限，因此为了满足未来更高性能、更低成本需求，需要创新性地开发一些新技术/产品(图1)。
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存储器
- 2004年8月A版 存储器与处理器、逻辑电路并称为IC的三大主流器件。存储器可分为易失与非易失两类，在市场上现存的存储器归类如图1所示。 市场调查公司Gartner 2003年的研究认为，2003年整个存储器的市场规模为334亿美元左右，各种存储器的市场份额如图2所示，半导体存储器的增长势头如图3所示。可见当今DRAM、NOR闪存和NAND闪存的市场及前景最吸引业界的眼光。 当前SoC中也集成了存储器，并且有容量越来越大的趋势。实际上，单片的存储器器件与SoC中的存储器各有千秋，其
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存储器
- 电子系统设计师很少考虑他们下一个设计中元器件的成本，而更关注它们能够达到的最高性能。
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DDR 存储器 接口设计
- IDT公司今天宣布推出最新先进存储器缓冲器(AMB) 样品，服务于多种全缓冲双插线存储器模块（FB-DIMM）的生产商。这个新产品完全兼容JEDEC的AMB标准，是下一代高带宽应用产品的必备技术，比如服务器和工作站，这些设备都要求更高的性能和大型的存储容量。
FB-DIMM信道架构的一个关键功能就是在信道中的存储控制器和模块之间实现高速度、串行、点对点的连接。每个FB-DIMM上的AMB芯片负责收集和分配来自DIMM 的数据，在芯片上进行内部数据缓冲，并将数据转发至下一个DIMM或者存储控制器。
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IDT 存储器
- 英飞凌科技公司在2004年IEEE（电子和电气工程师学会 2004年12月13～15日于美国旧金山举行）国际电子器件会议（IEDM）上，展示了该公司具有高生产性的、适合未来DRAM产品的70 nm工艺技术，此技术以在300 mm晶圆上的深沟（DT）单元为基础。目前全球25％的DRAM生产都是以沟槽技术为基础的。在其报告中，英飞凌阐述了全部集成计划和主要技术特征――包括首次在基于沟槽技术的DRAM生产流程中使用高介电常数物质。英飞凌70 nm DRAM程序堪称重大技术突破，显示了沟槽技术的可伸缩性。
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DRAM 存储器
- 英飞凌科技公司的专家已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元，打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米，约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难，这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32 Gbit的非易失性闪存芯片，相当于市场上现有产品的8倍。 非易失性闪存已经成为一种日益普及的海量存储媒体，广泛用于数码相机、摄像机和带USB接口的记忆棒等装置。在没有电源电压的情况下，目前最先进的非易失性闪存装置的每个存储单元只能永久存储1或2
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infineon 存储器
- 瑞萨科技公司今日宣布研制出一种高速度、高可靠性的MRAM（磁阻式随机存取存储器）技术，用于系统级芯片（SoC）。
瑞萨科技运用这项技术，利用130 nm（纳米）CMOS工艺制造了存储容量为1 Mb的MRAM存储器原型样品。研究表明，在1.2 V的工作电压下，有希望在143 MHz或者更高的工作频率下高速运行，而且在一千亿次重复写入试验中进行的测量证实，它的性能并没有下降。
瑞萨科技通过与三菱电气公司合作进行的研究，取得了这些成果，并且在2004年12月14日（美国时间）在美国旧金山举行的I
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瑞萨 存储器
存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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