- 二极管是主要构成是一个PN结，外加电极、外壳等组成。二极管种类很多，有肖特基二极管、稳压二极管、发光二极管等。电路设计中，二极管应用的非常多。因此，我们需要了解它的参数。参数符合电路需求，我们才会选择它。同一种型号的二极管，它可能有几种封装（包括SOT23、DO-15、SOT-323等），所对应的参数也有区别。一般数据手册上的参数，对应温度为25℃。温度对电子元器件的影响比较大。Vr:表示反向电压，在二极管阴极和阳极加的最大电压，大于这个电压值，二极管可能被击穿。IF（av）:平均整流电流，二极管加上正向
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二极管 参数 电路设计
- 全球的封装设计普及率和产能正在不断扩大。封装产能是一个方面，另一方面是在原型基板和封装上投入资源之前，进行测试和评估的需求。这意味着设计人员需要利用仿真工具来全面评估封装基板和互连。异构集成器件的封装是非常先进的设计，当然也需要电气仿真。但是这些热机电系统是否还需要其他仿真呢？您也许已经猜到了，确保高可靠性封装涉及到一系列测试，而多用途仿真工具可以提供高准确度的结果。先进封装的三个仿真领域从大方面来说，需要从三个不同领域开展仿真和实验来确保可靠性。首先要先进行仿真，这为设计团队提供了在测试之前修改封装的机
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芯片封装 仿真
- ● 借助由仿真驱动的虚拟合规性测试解决方案，采用更智能、更精简的工作流程，提高 PCIe 设计的工作效率● 具有设计探索和报告生成能力，可加快小芯片的信号完整性分析以及 UCIe 合规性验证，从而帮助设计师提高工作效率，缩短新产品上市时间System Designer for PCIe 是一种智能的设计环境，用于对最新PCIe Gen5 和 Gen6 系统进行建模和仿真是德科技（
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是德科技 System Designer Chiplet PHY Designer 仿真
- 设想一个场景：一个电池组连接到充电器上正在充电。第 1 分钟，一切正常，电能正常流入电池组。突然，一个电池单元发生短路并迅速升温，进而引发连锁反应，电池组中的其他电池纷纷效仿。20 分钟后，整个电池组已经完全损坏。为了研究这种存在安全隐患的情况，我们模拟了一个经历这种快速变化过程的电池组。电池出问题的风险当电池超出其正常工作范围、受损或发生短路时，就会像上述极端一样经历热失控。在这个过程中，一个电池单元会不受控制地升温，并引发邻近电池效仿。当过多的热量产生却没有足够的散热来抵消时，整块电池就会出现热失控。
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COMSOL 仿真 电池
- 在逻辑电平转换期间，电流短暂地流过两个晶体管。本文探讨了由此产生的功耗，并为测量电流和功率提供了一些有用的LTspice技巧。在本系列的第一篇文章中，我们研究了CMOS反相器的动态和静态功耗。在随后的文章中，我们使用LTspice模拟来进一步了解电容充电和放电引起的功耗。作为讨论的一部分，我们创建了如图1所示的LTspice反相器电路。增加了负载电阻和电容的CMOS反相器的LTspice示意图。 图1。具有负载电阻和电容的CMOS反相器的LTspice示意图。我们将在本文中继续使用上述原理图，研
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CMOS逆变器，短路功耗，仿真，LTspice
- 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于紧靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管分为结型和绝缘栅两种，因为绝缘栅型晶体管（MOSFET，下面简称MOS管）的栅源间电阻比结型大得多且比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，因而目前普遍采用绝缘栅型晶体管。MOS管分为N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，只要栅极-源极电压uGS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，只要栅极-源极
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MOSFET 参数 米勒效应
- 信号完整性的定义 定义：信号完整性（Signal Integrity,简称SI）是指在信号线上的信号质量。差的信号完整性不是由某一单一因素导致的，而是板级设计中多种因素共同 引起的。当电路中信号能以要求的时序、持续时间和电压幅度到达接收端时，该电路就有很好的信号完整性。当信号不能正常响应时，就出现了信号完整性问题。信号完整性包含：1、波形完整性（Waveform integrity）2、时序完整性（Timing integrity）3、电源完整性（Power integrity）信号完整性分析的目的就是用
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PCB设计 信号 仿真
- 当CMOS反相器切换逻辑状态时，由于其充电和放电电流而消耗功率。了解如何在LTspice中模拟这些电流。本系列的第一篇文章解释了CMOS反相器中两大类功耗：动态，当反相器从一种逻辑状态变为另一种时发生。静态，由稳态运行期间流动的泄漏电流引起。我们不再进一步讨论静态功耗。相反，本文和下一篇文章将介绍SPICE仿真，以帮助您更彻底地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文关注的是开关功率——当输出电压变化时，由于电容充电和放电而消耗的功率。LTspice逆变器的实现图1显示了我们将要使用的基本LTspice逆变器
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CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
- 我们经常讨论PCB中损耗大小的问题。有的工程师就会问，哪些因为会影响损耗的大小呢？其实，最常见的答案通常会说PCB材料的损耗因子、PCB传输线的长度、铜箔粗糙度，其实答案肯定远不至于此。下面我们分别就相应参数做一些实验给大家介绍下PCB板中哪些因素对传输线损耗有影响。首先看看介质损耗因子Df对损耗的影响，以Df为变量，分析Df的变化对损耗的影响，下图是分析的原理图：仿真对比结果如下，显然，随着PCB介质损耗因子的变大，损耗越来越大：长度也是损耗的主要因素之一，把传输线长度设定为Len变量，分析Len的变化
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PCB 损耗 仿真
- 相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面从而确保内存稳定，另外，DDR4内存的金手指设计也有明显变化，金手指中间的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。当然，DDR4最重要的使命还是提高频率和带宽，总体来说，DDR4具有更高的性能，更好的稳定性和更低的功耗，那么从SI的角度出发，主要有下面几点, 下面章节对主要的几个不同点进行说明。表1 DDR3和DDR
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DDR4 PCB设计 仿真
- 过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。当今大多数功率器件不是横向结构，而是垂直结构，它们使用多个掺杂层来处理大电场。栅极从平面型变为沟槽型，引入了更复杂的结构，如超级结，并极大地改变了MOSFET的行为。基本Spice模型中提供的简单器件结构没有考虑所有这些非线性因素。现在，通过引入物理和可扩展建模技术，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
- 随着物联网互联设备和5G连接等技术创新成为我们日常生活的一部分，监管这些设备的电磁辐射并量化其EMI抗扰度的需求也随之增加。满足EMC合规目标通常是一项复杂的工作。本文将介绍如何通过开源LTspice仿真电路来回答以下关键问题：(a) 我的系统能否通过EMC测试，或者是否需要增加缓解技术？(b) 我的设计对外部环境噪声的抗扰度如何？为何要使用LTspice进行EMC仿真？针对EMC的设计应该尽可能遵循产品发布日程表，但事实往往并非如此，因为EMC问题和实验室测试可能将产品发布延迟数月。
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LTspice EMC 仿真
- 中国上海，2023 年 8 月10日 – VIAVI Solutions（纳斯达克股票代码：VIAV）近日推出业界首款用于 5G 网络测试的轻量级（RedCap）设备仿真，实现真正意义上的RedCap性能验证，RedCap是基于新一类更简单、更低成本设备（包括可穿戴设备、工业无线传感器和视频监控）的物联网（IoT）和专用网络。该解决方案基于TM500 网络测试平台，被广大网络设备制造商用于基站性能测试。 3GPP在5G NR R17标准中引入了 RedCap 设备，也称为宽带物联网或 NR-Li
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VIAVI RedCap 仿真 5G物联网
- 屏蔽电缆的屏蔽层主要是作为电磁辐射、电磁干扰和接地保护的作用。屏蔽层悬浮电位的接地主要有单点接地、多点接地、交叉互联和连续交叉互联等方式。对于接地的屏蔽电缆是由电容效应和电感效应组成的。本文通过仿真模拟137/220 kV屏蔽电缆单端接地与双端接地的电容效应，研究不同高压输电线路下屏蔽电缆的电压电流分布特性，进而分析220、330、500 kV屏蔽电缆屏蔽层的电压电流特性和损耗特性。
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202305 屏蔽电缆 屏蔽层 接地 仿真 电容效应
- 半导体行业在了解 IC 老化如何影响可靠性方面正在取得进展，但仍有问题待解决。
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Cadence 仿真
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