- 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于紧靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管分为结型和绝缘栅两种，因为绝缘栅型晶体管（MOSFET，下面简称MOS管）的栅源间电阻比结型大得多且比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，因而目前普遍采用绝缘栅型晶体管。MOS管分为N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，只要栅极-源极电压uGS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，只要栅极-源极
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MOSFET 参数 米勒效应
- 搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图中，绿色的波形是GE电压，蓝色的波形是CE电压，红色的波形是集电极电流IC。在开通过程中，GE的电压从-10V开始上升，上升至阈值电压后，IGBT导通，开始流过电流，同时CE电压下降。CE电压下降过程中，门极电压不再上升，而是维持在一定的电压平台上，称为米勒平台。在这期间，CE电压完全降至0V。随后GE电压继续上
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英飞凌 米勒电容 米勒效应
米勒效应介绍
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