- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。
完成收购恒忆后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。恒忆去年第4季营收约5.50亿美元，自由现金流量达4,200万美元。交易完成后美光/恒忆将与意法共享位于义大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- DRAM价格走扬，带动全球第一季DRAM产值持续攀高至92.77亿美元，较去年第4季再成长6.9%;其中，南韩三星市占率达32.3%，稳居全球DRAM龙头宝座。
集邦科技表示，尽管第一季为DRAM产业传统淡季，不过，在电脑系统厂商担心下半年恐将缺货、积极储备安全库存下，带动第 1季DRAM市场需求淡季不淡，价格也持续走扬。
根据统计，第一季DDR3合约季均价上涨16%，现货季均价也上涨14%;DDR2产品方面，第1季合约季均价上涨5%，现货季均价则持平表现。
而在产品价格走扬，加上各
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三星 DRAM DDR3
- 根据集邦科技公布价格，DDR3合约季均价与现货季均价继2009年第四季分别大涨40%与30%后，在2010年第一季分别续涨16%与 14%;DDR2合约季均价与现货季均价2009年第四季分别大涨61%与68%后，在2010年第一季淡季不淡，合约季均价续涨5%，现货季均价持平，持续维持在高档价格。
由于计算机系统厂商于第一季拉高DDR3的搭载比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供货吃紧。DDR2方面在现货市场需求仍大部份在DDR2，而DRAM厂快速转进至DDR3，使买方亦努力拉
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Samsung DRAM DDR3
- 以收入计全球第二大电脑记忆芯片制造商海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司动态随机存取存储器(DRAM)平均售价季比上升3%，09年四季度涨幅为26%。
然而，海力士半导体公司在一份声明中称，一季度NAND快闪记忆芯片售价季比下降8%，09年四季度降幅为5%。
该公司补充道，一季度DRAM芯片发货量季比上升6%，NAND芯片发货量季比持平。
海力士半导体公布，该公司一季度营业利润率为28%，09年四季度该公司营业利润率为25%。
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海力士 NAND DRAM
- 日韩DRAM大厂制程竞赛延伸至产品规格之战，在三星电子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服务器内存模块后，日系内存大厂尔必达(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式问世，不但采40奈米制程生产，未来也将用此芯片生产32GB内存模块，应用于服务器、大型数据中心或其他大型系统等，DRAM大厂在产品规格之战，逐渐由主流规格2Gb，延伸至4Gb容量。
尔必达22日指出，将正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40纳米制程生产，且响应近期科技产业吹起的环保
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Samsung DRAM 40纳米
- 在渡过困难的09年后,全球半导体业迎来新一轮的高潮。市场相继出现存储器, 模拟电路等缺货现象及OEM库存不足。具风向标意义的1Gb DDR2价格由1,5美元升至3,0美元, 所以亏损了近3年的美光, 尔必达及海力士都报导扭亏为盈, 预计2010年全球DRAM增长40%,可达319亿美元。
以台积电为首的代工业也是看好, 预计今年有20%的增长。2010年Q1，它的65纳米先进制程取消淡季的固定优惠，实际上是变相的价格上涨。台积电去年第四季营收920.9亿台币，季增2.4%，65纳米占营收30%，
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存储器 DRAM 模拟电路
- 2010年DRAM产业自谷底回春，不淡摆脱过去亏损连连的情况，或是各厂要求政府要纾困，几乎每家DRAM业者都开始赚钱，且DRAM供不应求情况越来越严重，价格也不断上涨，现在DDR3和DDR2价格1颗3美元的情况发生在传统淡季，实在少见，且缺货的情况短期内无法纾解。
市场分析主要原因可分为供给和需求两方配合。在供给端方面，除了三星电子(SamsungElectronics)实力和财力雄厚外，厂的资本支出顶多只能应付制程微缩的需求，没有多余的资金可盖新厂房。
再者，2010年各厂转进50或是4
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DRAM 40纳米
- 韩国半导体大厂海力士(Hynix)公布2010会计年度第1季 (2010年1~3月)财报，与2009年同期净损1.18兆韩元(约10.62亿美元)相比，海力士本季达成获利8,220亿韩元，比前季成长25%。营收则达2.82兆韩元，比2009年同期成长115%，亦比前季略增220亿韩元。
海力士营收稳定成长，主要受到存储器市场景气兴盛、DRAM出货量增加及存储器平均价格拉台刺激。
海力士表示，DRAM本季平均价格成长3%、出货量成长6%。NAND Flash平均价格虽下滑8%，然出货量持平。
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Hynix DRAM 存储器
- 存储器大厂三星电子(Samsung Electronics)器兴厂3月底甫发生停电事件，海力士(Hynix)位于韩国M10厂房21日亦出现停电意外，海力士宣称仅发生0.1秒瞬间电压下降，由于有不断电系统支应，并未造成任何损失，存储器业者则传出这次海力士实际停电时间是下午1~3点，长达2小时之久，尽管停电事件对于实际产出影响有限，然因目前DRAM市场供给严重吃紧，若韩系大厂再减少一些产能，恐怕将对PC厂出货造成冲击。
海力士位于韩国京畿道M10厂房在 21日下午传出突然停电事件，公司在第1时间出面
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Samsung 存储器 DRAM
- 全球模拟IC市场自2010年初以来，一路传出的缺货声浪至今未歇，虽然模拟IC供货商不断加班赶货，但比起下游客户预先在淡季建立库存，及越买不到越要买的心态，市场供不应求的缺口看来比整个半导体供应链想得都还要大。业者更是直言，此模拟IC供需吃紧风潮将至少延续到2010年底。
原因无他，国外模拟IC供应厂在机台设备采买名单上，只能算是个后段名单，而台系模拟IC设计业者在抢产能动作上，也只算是个较慢的族群，当两者因素放在一起时，就是客户缺货抱怨的电子信件一路传送下去。
国外模拟IC供货商虽然普遍都
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模拟IC 晶圆代工 DRAM
- 按Information Network总裁Robert Casterllano的说法,2009年存储器芯片向铜互连工艺过渡开始热了起来，由此虽然2009年整个半导体设备市场下降超过40%以上, 而与铜互连直接相关连的设备仅下降8.7%。
在2006未Micron技术公司首先在DRAM产品制造中采用铜工艺代替铝。一年之后Elpida跟进。之后所有的存储器制造商, 以三星为首都对于存储器生产线进行升级改造, 导入铜工艺。因此影响了2009年铜淀积设备和材料的市场。公司认为此种趋势将影响半导体设备市
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三星 存储器 DRAM
- 茂德以新台币85亿元价格将茂德位于竹科12寸晶圆厂Fab-2(未来将成为旺宏的Fab-3)出售予旺宏电子。茂德售厂所获得新台币85亿元资金中，估计约有25亿~30亿元将用于偿还银行债务，减轻偿债压力。由于茂德另一12寸厂位于中科的Fab-3制程仅为75nm，欠缺竞争力，因此茂德售厂后获得资金将可提升其Fab-3，并于2010年第4季增加产出。
因茂德替尔必达(Elpida)代工，故在 DRAM市场争夺战中，尔比达将是主要受益者;另一方面，旺宏在ROM及NOR Flash产品市场近一年来，因NOR
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Elpida DRAM
- 尔必达(Elpida Memory Inc.)总裁兼首席执行长阪本幸雄(Yukio Sakamoto)上周五表示，目前个人电脑市场的内存芯片需求十分强劲，而今年的全球供应有可能低于需求。
阪本幸雄在台湾举行的新闻发布会上对记者表示，今年动态随机存储器(DRAM)芯片的全球产能可能增长30%-40%，但需求增幅有可能高达50%-60%。
尔必达与台湾茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)上周五还共同宣布，双方将扩大合作，生产用于数字消费电子产品和移动设备的DRAM芯片。
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Elpida DRAM
- 据国外媒体报道称，显示面板业界人士称，三星电子计划在中国投资DRAM工厂，以加速中国政府对其液晶面板投资计划的审批。
上述消息人士称，三星电子不仅要在中国投资DRAM工厂，还愿意放弃中国政府对其液晶面板工厂项目的补贴。
但是，中国台湾地区的DRAM芯片厂商对此传言持怀疑态度，称三星电子近期不大可能在中国投资DRAM工厂。
上述消息人士指出，韩国面板厂商担心，台湾地区竞争对手和大陆地区电视厂商的密切合作关系将削弱它们在中国市场的竞争力。
业内人士称，三星电子还考虑在韩国建设第十一
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三星电子 DRAM 液晶面板
- 据来自IC分销渠道的消息人士透露，目前包括电源管理芯片(PWM)、金氧半场效晶体管(MOSFET)和DRAM在内的大部分半导体元件供应比较紧张，但是由于代工厂已经在满负荷运行，预计短期内这种情况不会得到缓解。
据台湾媒体报道，消息人士指出，预计在今年第二季度，半导体元件的价格涨幅将超过10%。在第一季度中，其价格已经平均提高了5-10%。
另外，消息人士还表示，由于在第一季度NOR闪存芯片供应不足，多芯片封装(multi-chip package，MCP)价格涨幅最大，在今年余下几个月中，
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PWM MOSFET DRAM
动态随机存取内存(dram)介绍
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