DIGITIMES研究中心预估，2023～2028年晶圆代工产业5奈米以下先进制程扩充年均复合成长率（CAGR）达23％；不过先进封装领域，AI芯片高度仰赖台积电CoWoS封装技术，因此台积电2023～2028年CoWoS产能扩充CAGR将超过50％。 DIGITIMES研究中心发表最新研究《AI芯片特别报告》，其中指出生成式AI模型的训练与推论仰赖大量运算资源，提供运算力的AI芯片将成为关注焦点，而晶圆代工业者先进制造技术与产能，将是实现此波AI芯片加速运算的关键要角。因应云端及边缘AI芯片强烈的生产需
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当前，在人工智能AI、高性能计算HPC、数据中心以及自动驾驶汽车等新兴应用的推动下，FOPLP方法凭借显著提高计算能力，减少延迟并增加带宽的优势成功引起了业界对FOPLP技术的注意，越来越多的厂商也开始加入到这一竞争赛道。近日，半导体设备厂商盛美上海推出了用于FOPLP的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备。而在此前，盛美上海还推出了适用于扇出型面板级封装应用的Ultra C vac-p负压清洗设备。这意味着盛美上海已经成功进军高增长的扇出型面板级封装FOPLP市场。值得一提的是，自今年二季度以来，
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FOPLP 先进封装
人工智能（AI）浪潮转动全球半导体行业新一轮周期的齿轮，AI加速芯片的关键技术先进封装被推至新的风口。台积电、日月光、Amkor、英特尔、三星等大厂纷纷踊跃下注、调整产能布局，大小企业收购，各国补贴奖励到位...先进封装市场门庭若市，而CoWoS产能仍“吃紧”的消息一释出，再度吸引业界目光。一、CoWoS产能“大缺”，Foveros有望替补？CoWoS封装技术早已被视为尖端人工智能（AI）芯片生产的关键，随着AI需求爆发，台积电CoWoS产能紧缺。值得注意的是，近期，业界传出，由于台积电先进封装CoWoS
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先进封装
8月8日，江苏芯梦TSV先进封装研发中心揭牌仪式在中吴润金先进制造产业园举行。据江苏芯梦介绍，其TSV先进封装研发中心为江苏芯梦半导体设备有限公司打造，中心以水平式电化学沉积工艺为核心，以自主研发为导向，构建先进封装产业全工艺流程测试平台。该研发中心总面积1232.8㎡，拥有千级和百级两种测试洁净环境。配备自研生产的Xtrim-ECD
电镀设备及全套涂胶、曝光、显影、蚀刻等先进封装主流程工艺设备，可实现先进封装中RDL、Bumping、TSV等电镀工艺的打样测试；同时还配备了Xtrim-FC
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据博众半导体官微消息，近日，苏州市科技局正式公布了2024年度苏州市创新联合体名单。其中，由博众精工牵头的“苏州市半导体2.5D/3D封装关键技术及核心装备创新联合体”被纳入指令性立项项目清单。据悉，该创新联合体由博众精工科技股份有限公司作为核心力量，携手苏州大学、哈尔滨工业大学等12家企事业单位共同组建。该联合体聚焦于半导体封装测试领域的核心部件自主研发，旨在通过跨学科、跨领域的协同创新，构建国内领先的半导体2.5D/3D封装设备关键技术平台，为破解国外技术垄断、提升我国高端装备制造业竞争力贡献力量。博
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外媒报导，美国商务部10日公布意向通知（NOI），启动研发（R&D）竞赛，建立加速美国半导体先进封装产能。正如美国国家先进封装制造计划（NAPMP）愿景，美国芯片法案计划提供16亿美元给五个新创领域。借潜在合作协议，芯片法案提供多个奖项，每奖项约1.5亿美元资金，领导工业界和学术界民间投资。政府资助活动包括一或多个领域，如设备、工具、技术和技术整合，电力输送和热管理，连接器技术，光子学和射频（RF），小芯片（Chiplet）生态系统，以及协同设计／电子设计自动化（EDA）等。美国除了资助研发领域，
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先进封装 半导体
IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化学 6 月 12 日宣布开发出新型半导体后端制造设备，可直接在封装基板上构建符合 2.5D 先进封装集成需求的电路图案。▲ 蚀刻图案这意味着可在 HBM 内存集成工艺中完全省略昂贵的中介层（Interposer），在大大降低生产成本的同时也缩短了先进封装流程。▲ 2.5D 集成结构对比信越表示，该新型后端设备采用准分子激光器蚀刻布线，无需光刻工艺就能批量形成大面积的复杂电路图案，达到了传统制造路线无法企及的精细度。结合信越化学开发的光
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信越化学 HBM 先进封装
当地时间周二，美国商务部发表官方声明，宣布将拨款高达16亿美元用于加速国内半导体先进封装的研发。此举是美国政府2023年公布的国家先进封装制造计划NAPMP的一部分。声明中称，该笔资金来源于2022年《芯片与科学法案》520亿美元授权资金的一部分，重点支持企业在芯片封装新技术领域进行创新。美国政府计划通过奖励金的形式向先进封装领域的创新项目提供每份不超过1.5亿美元的激励。且项目需与以下五个研发领域中的一个或多个相关：1、设备、工具、工艺、流程集成；2、电力输送和热管理；3、连接器技术，包括光子学和射频；
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3.3D先进封装、玻璃基板、小芯片Chiplet、3D堆叠SoIC...新一代先进封装技术奔涌而来，三星电子、英特尔、台积电、日月光等企业加码投资扩产，谁将站在下一代先进封装发展浪头引领行业发展？三星电子正开发“3.3D先进封装技术”，目标2026年第二季度量产近日，据韩媒报道，三星电子正在开发面向AI半导体芯片的新型3.3D先进封装技术，并计划于2026年二季度实现量产。据悉，这项封装技术整合了三星电子多项先进异构集成技术。图片来源：三星在概念图中，GPU（AI计算芯片）与LCC缓存通过垂直堆叠的方式形
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台积电 CoWoS 先进封装
美国当地时间7月8日，晶圆代工大厂台积电美股股价盘中一度上涨超过4%，市值首次突破1万亿美元，创下历史新高。截至当日收盘，台积电上涨1.43%，总市值来到9678.77亿美元。今年以来，台积电美股股价累计已上涨80.75%。业界认为，AI应用需求快速增长，台积电先进制程芯片市场需求强劲，以上因素推动台积电股价与市值实现成长。今年6月全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，台积电在AI应用、PC新平台等HPC应用及智能手机高端新品推动下，5/4nm及3nm呈满载，今年下半年产能利用率有望突破1
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由三星电子于去年 6 月发起的 MDI（多芯片集成）联盟，正涌入更多的合作者。目前，该联盟中包括多家存储、封装基板和测试厂商在内的合作伙伴已增至 30 家，较去年的 20 家有所增长，仅一年时间就增加了 10 家。近年来，随着 AI 爆火，先进封装的崛起逐步成为业界共识。在算力需求与电路可容纳晶体管数量双双接近极限之时，堆叠和组合不同的芯片便被认为是一种更具效率的芯片制造理念。此次合作伙伴数量的增加，也反映出三星电子在半导体封装技术方面的积极态度和坚定决心。通过与更多的合作伙伴建立紧密的合作关系，三星电子
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先进封装
晶圆代工龙头台积电将在7月18日举行法说会，2日业界先传出台积电可能会在云林觅地设先进封装厂，台积电表示，一切以公司对外公告为主；法人认为台积电受惠AI强劲需求，仍看好长线，挤进千元俱乐部没问题。 台积电在嘉义的CoWoS先进封装P1厂，在整地时发现遗址，因此停工，改兴建P2厂，日前传出台积电在屏东或者云林觅地，希望能找到P1的替代场址，2日供应链传出台积电可能已在云林的虎尾园区觅地。针对云林设厂的传言，台积电表示，设厂地点选择有诸多考虑因素，公司以台湾作为主要基地，不排除任何可能性；将持续与管理局合作评
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随着人工智能技术快速发展，AI芯片需求正急剧上升，推动先进封装以及HBM技术不断提升，硅晶圆产业有望从中受益。近期，环球晶董事长徐秀兰对外透露，AI所需的HBM内存芯片，比如HBM3以及未来的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆叠，层数从12层到16层增加，同时结构下面还需要有一层基底的晶圆，这增加了硅晶圆的使用量。此前，媒体报道，AI浪潮之下全球HBM严重供不应求，原厂今明两年HBM产能售罄，正持续增加资本投资，扩产HBM。据业界透露，相较于同容量、同制程的DDR5等内存技术，HBM高带宽存储芯片晶圆
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近日，先进封装相关项目传来新的动态，涉及华天科技、通富微电、盛合晶微等企业。频繁的项目动态刷新和先进封装技术的不断涌现，不断吸引着业界关注。在摩尔定律发展趋缓的大背景下，通过先进封装技术来满足系统微型化、多功能化，成为集成电路产业发展的新趋势。随着先进封装技术的声名鹊起，引来一众行业厂商群雄竞逐。封测产业在半导体产业链中的地位愈发重要，有望成为集成电路产业新的制高点，同时也将迎来更多发展机遇。封装技术发展和先进封装技术的兴起自 1947 年美国电报电话公司（AT&T）发明第一只晶体管以来，半导体封
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随着对人工智能（AI）计算能力的需求飙升，先进封装能力成为关键。据《工商时报》援引业内消息的报道指出，台积电正在聚焦先进封装的增长潜力。南台湾科学园区、中台湾科学园区和嘉义科学园区都在扩建。今年批准的嘉义科学园区计划提前建造两座先进封装工厂。嘉义科学园区一期工程计划在本季度破土动工，预计将在明年下半年进行首次设备安装。二期工程预计将在明年第二季度开始建设，首批设备安装计划在2027年第一季度进行，继续扩大其在AI和高性能计算（HPC）市场的份额。先进封装技术通过堆叠实现性能提升，从而增加输入/输出的密度。
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先进封装介绍
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