- 美国模拟器件公司发布日本东芝公司已经选用了ADI公司的几款业界领先的信号处理解决方案以支持业界首款具有高清晰度（HD）DVD性能的硬盘录像机的视频和音频信号链。其中RD-A1硬盘录像机带有1000吉字节（TB）硬盘，使用了ADI公司的数据转换器、视频编码器、放大器、SHARC®处理器和温度监视器等多种芯片以支持消费者在当今家庭电子设备中所要求的HD视频和音频质量。Toshiba公司以前通过选择ADI公司的SHARC处理器选用了ADI公司的信号处理专家经验，支持全球首款HD DVD、HD
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- 消费、网络、个人娱乐、通信和商业应用提供业界标准处理器架构及内核的领先供应商 MIPS 科技（纳斯达克交易代码：MIPS）宣布，东芝（Toshiba Corporation）已选择 MIPS32® 24KEc™ Pro和 24KEf™ Pro 内核作为其针对下一代数字消费先进解决方案的微处理器，主要应用于数字电视、高清数字电视和机顶盒等方面。东芝是 MIPS 科技公司的长期授权者，曾采用 MIPS® 架构开发应用于各个方面的 32 位和 64 位的产品，其中包括数码
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- 据国外媒体报道，7月12日，日本东芝公司和美国SanDisk公司宣布，两家公司在今年四月份组建的NAND闪存合资公司正式命名为“闪盟”（Flash Alliance）。 合资公司的消息最初是在今年四月份对外宣布的。这家公司的主体晶圆厂代号“第四厂”，位于东芝公司的闪存生产基地内。这座晶圆厂的设计生产能力为每月10万片300毫米直径的晶圆，目前，工厂仍在建设过程中，计划在明年第四季度竣工投产。 按
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- 北京时间7月14日消息，据国外媒体报道，东芝对外表示，由于供货商没能及时提供相应配件，原定于7月14日在日本本土上市的全球首款HD DVD录像机RD-A1推迟发布，即延迟到7月27日再正式上市。 东芝称，因配件供货商没能及时交货，导致RD-A1供货量小于原定预期，但并没有遇到软件及制造环节漏洞等问题。该公司没有透露将于何时在海外市场销售RD-A1，但计划于9月份于柏林举行的IFA国际电子展会上展示该款产品。 虽然东芝RD-A1已推迟发
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- 北京时间6月28日消息，据国外媒体报道，东芝本周二表示，仍然希望为下一代DVD光盘开发业界统一标准，但在统一标准出现之前，互不兼容的两大标准——HD-DVD标准与蓝光标准的相关产品将分别上市。 东芝是HD-DVD标准的主要支持者，该标准的主要竞争对手是以索尼和松下等支持的蓝光标准。东芝公司总裁兼CEO西田厚聪(Atsutoshi Nishida)在公司年度股东大会上表示： “我们仍然没有放弃开发统一标准的努力，如果时机适
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- 东芝今天发布了一款2.5英寸、双碟结构硬盘驱动器，该公司称其存储密度再次在同类产品中创下了一个新的记录。 据外电报道，该产品采用垂直记录技术，存储密度为每平方毫米277.1Mb（兆比特），相当于每平方英寸178.8Gb（吉比特）。 这个密度打破了当前同样由东芝保持每平方英寸133Gb的最高记录。 该硬盘设计存储容量为200GB。 东芝表示，该硬盘将自8月份开始量产。 这项新技术有可能被应用在东芝即将与微软及NTT DoCoMo携手为日本市场开发的数字
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- 东芝公司宣布在平板PC中使用英特尔的Core Duo处理器，希望进一步推动这种产品的销售。 东芝公司推出了Portege M400，同时推出了具有最新双核移动处理器种功能的三款笔记本。 Portege M400，重量为镑，有CD-RW/DVD-ROM驱动器。 过去，微软曾倡导平板PC，称这是未来移动计算的。2002年，微软推出了Windows XP Tablet PC版本，允许用
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- IBM、索尼和东芝日前宣布，由这3家公司组成的联合技术开发联盟已经进入到一个新的5年发展阶段。 组成这一广泛的半导体研究和开发联盟的3家公司将合作进行与32纳米及更高级技术相关的基础研究。该协议将促成这3家公司更加迅速地研究和确定相关的新技术并实现这些技术的商业化，满足消费者和其它应用的需求。 在过去的5年中，索尼公司、索尼计算机娱乐公司、东芝公司和IBM协作完成了“Cell”微处理器的设计以及支持该处理器的90纳米和65纳米基础绝缘硅（silicon-on-insul
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- IBM、索尼和东芝日前宣布，由这3家公司组成的联合技术开发联盟已经进入到一个新的5年发展阶段。 组成这一广泛的半导体研究和开发联盟的3家公司将合作进行与32纳米及更高级技术相关的基础研究。该协议将促成这3家公司更加迅速地研究和确定相关的新技术并实现这些技术的商业化，满足消费者和其它应用的需求。 在过去的5年中，索尼公司、索尼计算机娱乐公司、东芝公司和IBM协作完成了“Cell”微处理器的设计以及支持该处理器的90纳米和65纳米基础绝缘硅（silicon-on-insul
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- 2006年1月18日，日立、东芝、瑞萨签署了共同建立先进工艺半导体制造工厂规划有限公司的协议(Advanced Process Semiconductor Foundry Planning Co., Ltd.)，计划成立的公司是一家采用先进制造工艺的半导体工厂。
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- 日本日立有限公司、东芝公司以及瑞萨科技公司近日宣布，三方将结成同盟，成立联合公司，生产更加先进的芯片，以更好地与世界第一大芯片生产公司——英特尔之类的大公司进行竞争。 据《日本经济新闻》于周三的报道称，这三家公司将投资1000亿日元8.516亿美元），在日本成立新的芯片生产线，并希望新公司能于2007年开始大量生产系统芯片。 东芝、日立及瑞萨三家公司在一份联合声明中也表示，三方将开始考虑建立一个半导体生产工厂，但具体情况仍未最终确定。&n
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- 2005年12月28日，日立集团、东芝集团、瑞萨科技启动关于实现独立的半导体制造业务的可行性研究，这一业务可以为每一家公司提供先进的制造工艺，从而将制造外包以减低成本。
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- 日本东芝公司近日否认了媒体关于“东芝公司将在新加坡建立Nand闪存芯片”的报道。 东芝公司发言人Makoto Yasuda称，“在新加坡，我们目前尚没有与SanDisk建立风投项目、生产Nand闪存芯片的计划。” 周一晚些时候，新加坡一家电视台报道称，东芝公司将与SanDisk公司建立风投项目，从事生产Nand闪存芯片的计划。并且报道称这一风投项目将选址在新加坡和日本之间，投资额大约为60亿美元，主要生产55纳米工艺的Nand
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- 近日，日本东芝公司已经在一个SOI（绝缘体上外延硅）晶圆上制造出一款128MB无输出电容器DRAM芯片，正在对这款芯片进行测试运作。 东芝公司报告称，去年二月份在最尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC）上东芝公司报告了无输出电容器DRAM芯片的设计和模拟效果。在本周举行的电子装置国际会议上，东芝公司展示了这款芯片的运作。声称是全球最大储存密度无输出电容器DRAM芯片。 无输出电容器DRAM芯片是在绝缘薄膜下电池产生的浮体效
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- 近日，日本东芝公司已经在一个SOI（绝缘体上外延硅）晶圆上制造出一款128MB无输出电容器DRAM芯片，正在对这款 芯片进行测试运作。 东芝公司报告称，去年二月份在最尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC）上东芝公司报告了无输出电容器DRAM芯片的设计和模拟效果。在本周举行的电子装置国际会议上，东芝公司展示了这款芯片的运作。声称是全球最大储存密度无输出电容器DRAM芯片。 无输出电容器DRAM芯片是在绝缘薄膜下电池产生的浮体效应取代了电容
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东芝介绍
东芝（TOSHIBA），是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团旗下。
历史
东芝是由两家日本公司于1939年合并成的。
两家公司中第一个成立的是田中制造所，那是日本国内第一家电报设备制造公司；是由田中久重于1875年创立的。在1904年公司更名为芝浦制作所。在20世纪初期，公司以供应日本国内的重型机电制造为主业；在明治维新之后，公司更跃升为世界的工业大厂之一。
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