- IBM、索尼和东芝日前宣布，由这3家公司组成的联合技术开发联盟已经进入到一个新的5年发展阶段。 组成这一广泛的半导体研究和开发联盟的3家公司将合作进行与32纳米及更高级技术相关的基础研究。该协议将促成这3家公司更加迅速地研究和确定相关的新技术并实现这些技术的商业化，满足消费者和其它应用的需求。 在过去的5年中，索尼公司、索尼计算机娱乐公司、东芝公司和IBM协作完成了“Cell”微处理器的设计以及支持该处理器的90纳米和65纳米基础绝缘硅（silicon-on-insul
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- 2006年1月18日，日立、东芝、瑞萨签署了共同建立先进工艺半导体制造工厂规划有限公司的协议(Advanced Process Semiconductor Foundry Planning Co., Ltd.)，计划成立的公司是一家采用先进制造工艺的半导体工厂。
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- 日本日立有限公司、东芝公司以及瑞萨科技公司近日宣布，三方将结成同盟，成立联合公司，生产更加先进的芯片，以更好地与世界第一大芯片生产公司——英特尔之类的大公司进行竞争。 据《日本经济新闻》于周三的报道称，这三家公司将投资1000亿日元8.516亿美元），在日本成立新的芯片生产线，并希望新公司能于2007年开始大量生产系统芯片。 东芝、日立及瑞萨三家公司在一份联合声明中也表示，三方将开始考虑建立一个半导体生产工厂，但具体情况仍未最终确定。&n
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- 2005年12月28日，日立集团、东芝集团、瑞萨科技启动关于实现独立的半导体制造业务的可行性研究，这一业务可以为每一家公司提供先进的制造工艺，从而将制造外包以减低成本。
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- 日本东芝公司近日否认了媒体关于“东芝公司将在新加坡建立Nand闪存芯片”的报道。 东芝公司发言人Makoto Yasuda称，“在新加坡，我们目前尚没有与SanDisk建立风投项目、生产Nand闪存芯片的计划。” 周一晚些时候，新加坡一家电视台报道称，东芝公司将与SanDisk公司建立风投项目，从事生产Nand闪存芯片的计划。并且报道称这一风投项目将选址在新加坡和日本之间，投资额大约为60亿美元，主要生产55纳米工艺的Nand
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- 近日，日本东芝公司已经在一个SOI（绝缘体上外延硅）晶圆上制造出一款128MB无输出电容器DRAM芯片，正在对这款芯片进行测试运作。 东芝公司报告称，去年二月份在最尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC）上东芝公司报告了无输出电容器DRAM芯片的设计和模拟效果。在本周举行的电子装置国际会议上，东芝公司展示了这款芯片的运作。声称是全球最大储存密度无输出电容器DRAM芯片。 无输出电容器DRAM芯片是在绝缘薄膜下电池产生的浮体效
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东芝 电容器
- 近日，日本东芝公司已经在一个SOI（绝缘体上外延硅）晶圆上制造出一款128MB无输出电容器DRAM芯片，正在对这款 芯片进行测试运作。 东芝公司报告称，去年二月份在最尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC）上东芝公司报告了无输出电容器DRAM芯片的设计和模拟效果。在本周举行的电子装置国际会议上，东芝公司展示了这款芯片的运作。声称是全球最大储存密度无输出电容器DRAM芯片。 无输出电容器DRAM芯片是在绝缘薄膜下电池产生的浮体效应取代了电容
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- 双方将以东芝生产的高性能 65nm FPGA 原型晶圆为基础， 为生产下一代赛灵思产品做准备 东芝公司与赛灵思公司近日宣布双方已就共同开发下一代 65nm（纳米）级 FPGA 达成协议，并已成功生产出 65nm FPGA 原型晶圆，其中包括实际的可编程逻辑电路。关键的 65nm 联合开发里程碑的实现预计将使双方扩展战略代工关系。 众所周知，东芝是目前全球少数几家能够批量生产 65nm&n
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东芝
- 双方将以东芝生产的高性能 65nm FPGA 原型晶圆为基础，为生产下一代赛灵思产品做准备 东芝公司与赛灵思公司近日宣布双方已就共同开发下一代 65nm（纳米）级 FPGA 达成协议，并已成功生产出 65nm FPGA 原型晶圆，其中包括实际的可编程逻辑电路。关键的 65nm 联合开发里程碑的实现预计将使双方扩展战略代工关系。 众所周知，东芝是目前全球少数几家能够批量生产 65nm&nb
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- 东芝公司开始生产用在ＰＨＳ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ级别１或无线ＬＡＮ等从１．９ＧＨｚ到２．５ＧＨｚ的频带中的中功率无线通信设备的发送信号用功率放大器ＩＣ「ＴＡ４４０１ＣＴ」，并从２００５年１１月开始出样品。计划从明年第1季度开始每月量产５０万个。 新产品采用ＳｉＧｅ制程，据说是原来中功率放大器ＩＣ中使用的钾元素制程的大约１/３的成本。可以解决无线通信设备中的大课题的成本问题，而且在性能方面针对以往ＰＨＳ用产品的１００ｍＷ级输出，可以在较少信号恶化的情况下输出２００ｍＷ的功率。本产品内置偏压电路，除了提高使用方
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- 本公司开始生产用在ＰＨＳ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ级别１或无线ＬＡＮ等从１．９ＧＨｚ到２．５ＧＨｚ的频带中的中功率无线通信设备的发送信号用功率放大器ＩＣ「ＴＡ４４０１ＣＴ」，并从２００５年１１月开始出样品。计划从明年第1季度开始每月量产５０万个。
新产品采用ＳｉＧｅ制程，据说是原来中功率放大器ＩＣ中使用的钾元素制程的大约１/３的成本。可以解决无线通信设备中的大课题的成本问题，而且在性能方面针对以往ＰＨＳ用产品的１００ｍＷ级输出，可以在较少信号恶化的情况下输出２００ｍＷ的功率。本产品内置偏压电路，除了提
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东芝 模拟IC 电源 无线 通信
- ARM技术帮助东芝公司推动其数字消费电子产品和移动电话市场的SoC业务 东芝公司和ARM公司共同宣布东芝获到了ARM1176JZF-S?处理器的授权。东芝公司将用该处理器开发用于先进数字消费电子产品和移动电话的SoC，首批产品将于2006年底面市。 高性能的ARM1176JZF-S处理器可以在现有的90纳米工艺技术上实现超过550 MHz的速度，并拥有为加速3D图形的处理的矢量浮点运算单元，同时也是第一个整合了
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- 东芝公司推出两款非升压型LED驱动器IC——TAH8N401K和TAH6N201U，可通过并联连接或个别驱动方式驱动为手机显示提供背光的白光LED。 传统背光系统由于对白光LED进行串联连接，因而在使用锂离子充电电池的设备中，必须通过DC/DC变压器等进行升压等。东芝的这两款新型驱动器IC采用非升压方式，因而电力利用效率较高，有助于降低电力消耗。另外，只需一个电阻即可设定电流值，减少了线圈等升压型产品中所必须的外围部件，从而减小安装面积。新器件还内置了振荡电路，可降低EMI噪音。
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- 东芝对外公布一款使用燃料电池 MP3播放器东芝对外公布了一款使用燃料电池（Fuel Cell）的MP3 播放器原型（prototype）。 东芝的这款产品由一个甲醇燃料电池供电。播放器分为采用闪存和采用HDD两种，各自的燃料电池输出功率为100mW和300mW。两播放品原型配置的零件都还在试验中，体积分别为宽35mm
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- 据外电报道，东芝公司近日决定将闪存生产能力提高2.5倍。具体计划是，到2007年，生产闪存用300毫米晶圆将比今年9月提高2.5倍，月生产能力达到15万片。为此需要增加2000亿日元的设备投资。 全球市场目前急需大容量闪存，韩国三星公司占有全球50%的市场份额。东芝大幅提高闪存产能，意在与三星公司竞争，以夺取更多市场份额。 东芝的主要产品是手机和便携音乐播放器用的NAND型大容量闪存。为扩大生产能力，东芝决定提高四日市工厂的生产能力，该工厂是与美国S
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东芝介绍
东芝（TOSHIBA），是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团旗下。
历史
东芝是由两家日本公司于1939年合并成的。
两家公司中第一个成立的是田中制造所，那是日本国内第一家电报设备制造公司；是由田中久重于1875年创立的。在1904年公司更名为芝浦制作所。在20世纪初期，公司以供应日本国内的重型机电制造为主业；在明治维新之后，公司更跃升为世界的工业大厂之一。
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