- 知情人士表示，日本东芝集团和电气部件公司罗姆公司将合作开展功率半导体业务。他们表示，这两家公司总共花费了3800亿日元（26亿美元）来扩大其功率半导体的生产，预计日本经济产业省将承担高达约1300亿日元的成本。功率半导体能够处理高电压和大电流，通常用于电动汽车。据消息人士透露，东芝和罗姆的合作将分别涉及在石川县和宫崎县建造的新工厂。日本工业伙伴股份有限公司领导的财团收购了东芝78.65%的股份，东芝将于本月退市。罗门是该财团的一部分。全球对功率半导体的需求预计将增长，罗姆和东芝是主要供应商之一。根据研究公
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东芝 罗姆 半导体
- 东芝官网消息，近期东芝公司股东在特别股东大会上通过公司私有化提案，该公司将于12月20日从东京证券交易所退市。资料显示，东芝是日本制造业代表厂商之一，2021年11月东芝对外宣布进行战略重组，计划在2024年3月之前原东芝集团将拆分为三间独立公司，分别专注于基础设施、电子设备和半导体，其中，分拆后的半导体公司将由东芝所持有的铠侠和东芝科技公司组成。2022年2月东芝又调整了重组方案，放弃了一分为三计划，仅计划分拆成两家独立的公司，分别专注于基础设施服务和包括半导体在内的设备业务，并且出售非核心资产。不过，
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东芝 退市
- 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品，包括一系列新型N通道功率场效应管（MOSFET）。新增系列将涵盖600V-650V的高压和30V-150V的低压产品。Farnell及e络盟高级供应商客户经理Ibtissame Krumm表示：“全球功率半导体市场正在迅速扩张。尽管这段时间以来，汽车应用对功率半导体的需求一直是人们的热点话题。但它掩盖了一个事实，那就是许多其他应用的需求增长速度也非常迅猛，至少与汽车应用的需求增长速度相当。”他补充道：“功率场效
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e络盟 东芝 场效应管
- 中国上海，2023年11月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。 截至目前，东芝的N沟道共漏极MOSFET产品线重点聚焦于12V产品，主要用于智能手机锂离子电池组的保护。30V产品的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。&nbs
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东芝 N沟道共漏极 MOSFET
- 第六届中国国际进口博览会（以下简称“进博会”）正式拉开帷幕。本届展会上，东芝以“为了人类和地球的明天”为主题，连续六次参加进博会，展示了在半导体、工业制造、减碳、能源、医疗、数字化六大领域的14项先进技术和解决方案。其中，东芝车载半导体产品、东芝分散·耦合式仿真平台、良品学习AI图像检测技术、现场业务数字化MR软件、音场优化解决方案、离线语音识别模块等多款创新数字化解决方案均首次参展进博会。东芝（中国）有限公司董事长兼总裁八木隆雄表示：“作为进博会的‘铁粉’，东芝已连续六年参加这一全球经贸盛会。我们深刻感
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- 随着科技的飞速发展，电子产品智能化在逐步走进我们的生活，其中就包含着智能插头。这些智能产品可以使我们的生活和工作更安全、更舒适、更便捷。同时，也让我们更好的享受生活。那么，智能插头到底如何“智能”？其实，智能插头就是将原有的普通插头接入到物联网平台之中，在保证原有的功能正常前提之下，使其带有联网的属性，方便用户可以远程控制智能插头，从而控制接在智能插头上的用电设备，降低引发危险的可能性并提高人们的生活质量。智能插头的内部构造大致由电源转换、MCU控制、继电器、无线通信、外围保护电路等部分组成，其中无线通信
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东芝 智能插头
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用小巧纤薄的WSON4封装的光继电器“TLP3475W”。它可以降低高频信号中的插入损耗，并抑制功率衰减[1]，适用于使用大量继电器且需要实现高速信号传输的半导体测试设备的引脚电子器件。该产品于近日开始支持批量出货。TLP3475W采用了东芝经过优化的封装设计，这有助于降低新型光继电器的寄生电容和电感。降低插入损耗的同时还可将高频信号的传输特性提高到20GHz（典型值）[2]——与东芝现有产品TLP3475S相比，插入损耗降低了约1/3[2]。TL
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东芝 半导体测试设备 高频信号开关 光继电器
- 1 SiC、GaN相比传统方案的优势虽然硅功率器件目前占据主导地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的热特性，适用于需要高效率和高输出的应用，而GaN 功率器件具有出色的射频频率特性，能满足要求高效率和小尺寸的千瓦级应用。最为重要的一点，SiC 的击穿场是硅的10 倍。由于这种性质，SiC 器件的块层厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外，SiC 的导热系数大约是硅的3 倍，因此它能提供更高的散热能力
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202310 东芝 SiC GaN
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，进一步扩展ThermoflaggerTM过温检测IC产品线---“TCTH0xxxE系列”。该系列可用于具有正温度系数（PTC）热敏电阻的简单电路中，用来检测电子设备中的温度升高，六款新产品于近日开始支持批量出货。为了使电子设备按规定运行，半导体和其他电子元件必须在设计参数范围内工作。内部温度是一个关键参数，特别是当它高于设计流程中的假设温度时，它就可能成为安全性和可靠性方面的一个主要问题，因此需要过温监测解决方案来检测任何温度升高。当配置在具有PTC热
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东芝 Thermoflagger 过温检测
- 人体传感器是设计用于检测人体靠近或离开等特征的电子设备。随着物联网的兴起，其在消费电子、汽车、医疗设备、楼宇自动化、工业设备等领域掀起了热浪。在智能手机和可穿戴设备上几乎都能见到它的身影，用来检测人体移动过程或者跌倒告警是当今一种重要的技术手段。同时，在家庭和企业安全系统中也得了广泛的应用，例如人体探测器灯、移动探测警报器、无线门铃、智能冲水设备上都是基于此原理实现的。市场上有各种各样的人体传感器，但都可归类为这两种：主动人体传感器（有源传感器）和被动人体传感器（无源传感器），且分为电池供电的人体检测器以
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东芝 传感器 人体传感器
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影
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东芝 碳化硅MOSFET 降低开关损耗
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多为1200V或1700V产品。然而，预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用，因此东芝发布了业界首款
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东芝 2200V 双碳化硅 SiC MOSFET模块
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）---“TPD4163F”和“TPD4164F”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。“TPD4163F”和“TPD4164F”的输出电流（DC）额定值分别为1A和2A，于今日开始支持批量出货。这两款新产品均采用表面贴装型HSSOP31封装，与东芝之前的产品相比，表贴面积减小了约63%[1]---这不仅缩小了电机驱动电路板的尺寸，同时也降低了电机高度。考虑到在供电不稳定的地区，供电电压可能波动较大，
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东芝 直流无刷电机 智能功率器件
- 继电器已使用多年，提供在一个位置连接到主板并在另一个位置连接到保护板的触点。缺点包括电路板上的空间量（因为某些电路板有多达 24 条保护线）和功耗。单个继电器所需的功率并不大，但当乘以大型电信系统中的 N 条线路时，产生和消耗的功率就变得相当大。欧洲 E1 和北美 T1 电话标准管理直接到终客户（访问）或中心局之间（传输）的高速语音和数据传输。由于任何一种情况出现故障都是不可接受的，而且维修技术人员可能不会及时出现，因此这些系统包括本地备用电池、冗余电源以及信号处理板的 1+1 或 1+N 冗余。这种冗余
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继电器
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标准系统相比，它们集成了更多的器件，需要更多的表贴空间。所以，要进一步缩小汽车设备的尺寸，需要能够在高电流密度下表贴的功率MOSFET。XPJR6604PB和XPJ1R004
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东芝 车载40V N沟道功率MOSFET
东芝.继电器介绍
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