- 面板大厂再度进入扩产竞赛。南韩LGD与三星新世代面板厂产能预计两年后全面开出，届时将可满足自身电视、显示器的面板需求，恐削减对台系面板厂的采购量，台系面板厂对大陆客户的依赖度将大为提高。
台湾对大陆依赖日深
面板需求与价格全面翻扬，随南韩LG与三星启动新世代面板厂扩产计划，台湾业者担心，届时南韩面板产能即可完全供应自身需求，不再对台采购，或是大幅减少采购量。而且随着韩系面板厂产能大量开出，两年后面板产业再度陷入供过于求的窘境。
目前三星与LG的面板产能都不足以支应自有品牌产品的需求，
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三星 面板 液晶电视
- TFT LCD面板大厂在过去几个月股价不断跃升，归功于消费者于平面电视需求较预期更为强劲，成长态势在电子产业中领先。拜大陆的振兴方案所赐，以及北美市场反弹所赐，都有助于电视和计算机需求提升。
随着TFT LCD面板厂商获利回温，产出在第2季回升至一般水平，全球市占排名第2的LG Display，在2009年以来股价上涨逾60%，位居第3名的友达同期股价涨幅接近40%。全球TFT LCD面板龙头三星电子(Samsung Electronics)日前甫公布最新财测，预期营运利益远超出先前预期，分析师
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三星 TFT-LCD LCD面板 玻璃基板
- 据外电报道，集亚洲芯片、面板和手机龙头于一身的三星电子向证管会发出的文件显示，该公司第二季主业获利预计介于2.2兆到2.6兆韩元(合约17亿美元)，该个数字包括海外子关系的贡献在内。而单季营收预计在31-33兆韩元之间。
三星电子在公布这份文件后，美国银行旗下的美林证券将其股票由“表现不及大盘”一举拉高到“买进”，并且将其目标价由48万韩元一口气推高67%至80万韩元的水平。
此外，韩国《经济日报》周一报导，集团为了应对市场需求转强，将在今年
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- IT巨头三星电子的股价昨日创造了一个月以来的新高。此前该公司预测，第二季度运营利润有望比上季增长5倍。
在昨日一份声明中，三星电子表示，受惠于半导体和液晶面板售价上涨，第二季度总营收将接近260.3亿美元，运营利润在17亿美元~20亿美元，净利有望创造连续四季度最高水平。此前，其第一季度运营利润仅4700亿韩元，约合3.71亿美元。
美林证券分析师表示，这远高于市场预期，由于危机来临后，三星份额明显增长，这将有助于进一步扩大其领先优势。
三星电子这一业绩背后，有着它对中国台湾地区及大
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- 三星破天荒公布第二季获利预估，优于市场预期，业界认为作多意味浓厚，三星主要业务涵盖面板、手机、半导体晶片等三大领域，以现况来看，面板需求畅旺无虞，但半导体芯片，尤其是DRAM与NAND Flash两大存储领域，则仍有观察空间。
近来包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等岛内外大厂，纷纷看好下半年DRAM价格走势，为市场信心吞下一颗定心丸。
但业界忧心，三星第二季整体获利超乎市场预期，在记忆体价格仍未见明显起色下，是否会以其他部门的获利，来弥补存储事业亏损，进而持续以&
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- 韩国三星电子发布了采用45nm低功耗CMOS工艺技术的应用处理器“S5P6440”。其特点是图形性能高、功耗及成本低等。适用于PND等家电产品。
该处理器配备有英国ARM工作频率533MHz或667MHz的CPU内核“ARM1176”。CPU内核、芯片上的所有硬件加速器及周边部件接口均由工作频率166MHz、64bit总线“AXI”连接。
还配备有支持现行及新一代多值NAND闪存的错误订正用硬件，以及支持移动DDR或D
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- 全球NAND闪存的尺寸缩小竞赛再次打响。无论英特尔与美光的联合体,IMFlash,三星及东芝都欲争得NAND缩小的领导地位而互相较劲。但是实际上在目前存储器下降周期时尺寸缩小竞赛并无实际的意义。
按分析师报告,IMFlash正讨论2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm样品及美光计划利用每单元3位技术于今年第四季度开始量产。
在DRAM领域,三星一直是技术领导者,目前已作出46nm DRAM样品。
究竟谁是NAND尺寸缩小的领导者,据今年早些时候报道,东芝与新帝合资公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存储器
- 北京时间7月6日，据国外媒体报道，全球第二大芯片制造商三星电子周一表示，该公司第二季度的运营利润可能较上一季度增长4倍以上。受此消息推动，三星电子股价在周一的交易中创出近一个月以来的新高。
三星电子在周一的声明中表示，该公司第二季度的运营利润，将在22万亿韩元(约合17亿美元)至26万亿韩元之间。三星电子的这一业绩预期，暗示出随着半导体和液晶显示器售价的上涨，推动了三星电子的业绩复苏。今年以来，三星电子的股价累计涨幅已经达到39%。业绩分析师预计，三星电子今年第二季度的净利润，将达到过去四个季度
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- 6月30日消息，三星日前推出了基于ARM的应用处理器，主要针对移动设备，该设备包括内置图形加速硬件，可专门应用于运行Windows CE和Linux等系统的卫星导航套件设备。
据国外媒体报道，三星计划在今年第三季度开始出货，其中S5P6440是公司首次生产的ARM11应用处理器，采取低能耗的45纳米级制造工艺。
三星透露，基于ARM1176的新型芯片有667MHz和533MHz两种，但二者都拥有符合OpenVG图形编程标准的二维加速硬件。此外，该芯片具有高性能低能耗的特点，是符合成本效益优
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- 三星电子日前已经开始向合作厂商提供ARM11架构新款S5P6440处理器的样品,这款处理器将面向消费电子市场,使用45nm制程工艺,封装形式为 13x13 FBGA,核心工作频率为533/667MHz,支持OpenVG 2D图像硬加速,处理器使用64位166MHz总线与外部链接,而且还集成了可配合移动版DDR/DDR2内存的内存控制器.
这款芯片同时还集成了对DSI显示输出接口的支持功能,并能运行WinCE和Linux操作系统,预计这款处理器将在今年第三季度正式上市.
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- 随着LED(发光二极管)户外显示器及LCD(液晶)背光(backlight)市场快速增长，市调机构Display Search预估，至2012年用于这2类产品的LED，在全球出货量1670颗的市占率合并将达34.7%，分别将使用240亿颗及340亿颗。
DisplaySearch报告中指出，去年去年LED全球出货量共798亿颗，其中用于上述2大类显示器产品比重，分别为户外动态显示器使用110亿颗LED，市占率15%﹔LCD背光使用80亿颗，占总出货量的11%。
DisplaySearch预
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- 全球NAND Flash需求仍相当疲弱，尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心，然存储器业者透露，由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链，推测其增产系为苹果供货做准备，近期更需关注的是，三星电子(Samsung Electronics)除采用既有42纳米制程应战，亦开始准备最新版35纳米制程NAND Flash芯片，且已陆续送样给控制芯片厂，这不仅将对东芝和英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟造成压力，亦将影响NAND Flash市场
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三星 NAND 30纳米 43纳米
- 6月24日消息,三星电子和Numonyx表示，双方将联合开发前途光明的下一代记忆体科技--相变化记忆体技术。
三星电子和Numonyx表示，双方将合作开发PCM的通用规范，该技术有望用于高级听筒、移动电话和电脑设备中。英特尔和意法半导体(STM去年合资组建了Numonyx.。三星电子和Numonyx称，PCM读写速度非常快，但耗电量却低于传统的NOR和NAND快闪记忆体。
三星电子和Numonyx还表示，双方的通用规范将于今年完成，预计明年将推出兼容设备。
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三星 NAND NOR PCM 相变化记忆体
- 6月22日消息，据路透社报道，三星电子周一表示，已与日本东芝就半导体业务签署交叉授权交易。
东芝是继三星电子之后，全球第二大NAND快闪记忆体(闪存)芯片制造商。
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- 据台湾媒体报道，大尺寸TFT面板市场集中化趋势达到历史新高峰，根据市场调查机构DisplaySearch预估，今年全球液晶面板的总产出面积当中，前5大厂商估计将会占掉近9成比重。
DisplaySearch指出，相较于2008年大尺寸液晶面板面板74.8%大幅成长，液晶面板厂计划在2009年合计将投入1.05亿平方公尺玻璃基板来生产大尺寸液晶面板，较2008年的投入量成长15.5%。
DisplaySearch大中华区总经理谢勤益指出，由于8代线的产出增加，加上10代线将在2009年第四季
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