通过初级端调节提高HB LED照明效率
作者：Peter Hsieh，Leon Lee，Kevin Hsueh 飞兆半导体公司
时间：2009-11-10
来源：电子产品世界
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当PSR控制器导通MOSFET时，变压器电流iP将线性地从零增加到ipk，如算式(1)。 在导通期间，能量存储在变压器中。当MOSFET关断时(toff)，存储在变压器中的能量通过输出整流器传送到功率转换器的输出端。在此期间，输出电压VO和二极管的正向电压VF被反射到辅助线圈NAUX，辅助线圈NAUX上的电压可由算式(2)表示。这时可运用一种专有的采样技术来对反射电压进行采样，由于输出整流器的正向电压变得恒定，故可获得相关输出电压信息。然后，采样得到的电压与精确的参考电压进行比较，形成一个电压回路，从而确定MOSFET的导通时间，并精确调节恒定输出电压。
在这算式中，LP为变压器初级线圈的电感;VIN为变压器的输入电压;ton是MOSFET的导通时间;NAUX/NS为辅助线圈与次级输出线圈的匝数比;VO是输出电压;VF是输出整流器的正向电压。
这种采样方案也使得变压器的放电时间(tdis)加倍，如图2所示，输出电流IO与变压器的次级端电流有关。IO还可通过ipk、tdis求得，如算式(3)所示。PSR控制器利用这个结果来确定MOSFET的导通时间，并调节恒定输出电流。Sense电阻RSENSE用来调节输出电流的数值。
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