- 本方案使用NCP1681 Totem pole PFC架构 + NCP13994 LLC架构 + NCP4306同步整流电源应用,次级采用NCL38046可以支持Analog 与PWM调整输出功率 ,辅助电源采用NCP1343-CCM/QR控制。NCP1681是一种创新的多模式操作控制IC，此IC载重载时操作在连续导通模式
(CCM)，在轻载或中载时则应用在边界模式(CrM) 的功率因数校正控制器 IC，并且适合设计用于驱动无桥图腾柱拓扑(Totem pole
PFC)。 这种无桥图腾柱 PFC
- 关键字：
Analog PWM 智能工业电源 安森美 GaNFET
- 问题没有专门用于驱动GaNFET的控制器时，如何使用GaNFET设计四开关降压-升压DC-DC转换器？回答众所周知，GaNFET比较难驱动，如果使用原本用于驱动硅(Si) MOSFET的驱动器，可能需要额外增加保护元件。适当选择正确的驱动电压和一些小型保护电路，可以为四开关降压-升压控制器提供安全、一体化、高频率GaN驱动。简介在不断追求减小电路板尺寸和提高效率的征途中，氮化镓场效应晶体管(GaNFET)功率器件已成为破解目前难题的理想选择。GaN是一项新兴技术，有望进一步提高功率、开关速度以及降低开关损
- 关键字：
DC-DC控制器 GaNFET ADI
- 在不断追求减小电路板尺寸和提高效率的征途中，氮化镓场效应晶体管(GaNFET)功率器件已成为破解目前难题的理想选择。GaN是一项新兴技术，有望进一步提高功率、开关速度以及降低开关损耗。这些优势让功率密度更高的解决方案成为可能。当前市场上充斥着大量不同的Si MOSFET驱动器，而新的GaN驱动器和内置GaN驱动器的控制器还需要几年才能面世。除了简单的专用GaNFET驱动器（如 LT8418)外，市场上还存在针对GaN的复杂降压和升压控制器（如LTC7890, LTC7891)。 目前的
- 关键字：
ADI GaNFET DC-DC
- GaN FET与硅FET的比较-功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影响到最终产品性能的退化机制很重要。
- 关键字：
GaNFET 硅FET
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