非易失性光存储器，利用相变材料实现

　　由英国和德国大学及研究所的研究人员组成的研究小组开发出了可用光线写入信息并用光线读取信息的光存储芯片。材料采用了电存储器也使用的相变存储材料，此次首次实现了非易失性光存储器。

　　预计随着存储器的光化，将来存储器的密度将不断提高，耗电量和访问时间将大幅减少。介绍技术详情的论文已发表在学术杂志《自然光子学》(Nature Photonics)上。

　　开发出这款光存储芯片的是英国牛津大学、德国卡尔斯鲁厄理工学院(KIT)、德国明斯特大学(University of Muenster)、英国埃克塞特大学(Exeter University)的研究者们。

　　使用的相变材料是相变存储器一般使用的Ge2Sb2Te5 (GST)。信息记录采用的原理是通过GST在结晶状态与非晶状态之间变化，或在非晶状态之间变化时，光的透过性会随之发生变化。另外，电相变存储器则是利用随着结晶/非晶状态的不同，电阻值发生变化的特点来记录信息的。

　　信息擦写时，通过向GST照射能量高但波长非常短的光脉冲来实现结晶与非晶状态。而读入时，采用能量较弱的光脉冲，来读取GST的状态。此次开发的芯片实现了利用尺寸大约为1ns的一个元件便可记录3bit、8值状态的多值化。擦写时的切换频率大约为1GHz。