一种DSP内嵌DARAM的电路设计与ADvance MS仿真验证

　　存储阵列的结构如图10。存储单元为常用的6管SRAM单元，进行读写操作时，OE由低变高，预充电管关闭，通过读写放大器对位线的充电与放电来实现数据读写。

　　3 仿真验证

　　为了使仿真结果准确，输入波形应该与实际情况一致，先用ModelSim对整体DSP芯片进行仿真，然后观察DARAM的输入端，按照所得的输入信号再单独对DARAM进行仿真，由于电路中既有数字电路也有模拟电路，所以采用数模混合仿真的方法，用ADvance MS对该电路进行仿真。仿真波形如图11。

　　在4个时钟周期内，对DARAM进行三次写操作和三次读操作，数据在SCLOCK2上升沿时写入，在SCLOCK1上升沿时读出，在第二个周期与第三个周期内，W_en和R_en同时使能，也就是要在一个周期内进行两次操作，进行“双存取”。从两块存储阵列中读出的数据分別为DRD0和DRD1，可以看出，DRD0依次读出的三组数据0123H、4567H和89ABH即为前一周期写入的数据，说明此电路可以正确的读写数据，也可以在一个周期内完成一次读操作和一次写操作。

　　4 结束语

　　本文以一款国外公司的DSP为例，介绍了其内嵌的一块DARAM的整体电路，给出了关键部分的具体电路，并结合仿真波形，详细介绍了电路的工作原理，最后采用数模混合仿真的方法，用ADvance MS对整体的电路进行仿真，结果证明此电路可以实现一个周期内的“双存取”功能，可以为DSP乃至SOC中存储器接口电路的设计提供一种参考。