根据应用恰当选择MOSFET的技巧

低输出电容也有利于传统的降压转换器(有时又称为硬开关转换器)，不过原因不同。因为每个硬开关周期存储在输出电容中的能量会丢失，反之在谐振转换器中能量反复循环。因此，低输出电容对于同步降压调节器的低边开关尤其重要。

马达控制应用的MOSFET

马达控制应用是功率MOSFET大有用武之地的另一个应用领域，这时最重要的选择基准可能又与其它大不相同。不同于现代开关电源，马达控制电路不在高频下开关。典型的半桥式控制电路采用2个MOSFET (全桥式则采用4个)，但这两个MOSFET的关断时间(死区时间)相等。对于这类应用，反向恢复时间(trr) 非常重要。在控制电感式负载(比如马达绕组)时，控制电路把桥式电路中的MOSFET切换到关断状态，此时桥式电路中的另一个开关经由MOSFET中的体二极管临时反向传导电流。于是，电流重新循环，继续为马达供电。当第一个MOSFET再次导通时，另一个MOSFET二极管中存储的电荷必须被移除，通过第一个MOSFET放电，而这是一种能量的损耗，故trr 越短，这种损耗越小。

所以，若设计团队需要在电源电路采用MOSFET，在评估过程开始之前，需对手中的应用进行仔细全面的考虑。应根据自己的需求而非制造商吹嘘的特定规格来对各项参数进行优先级划分。

补充：利用IC和封装设计获得最小的 RDS(ON) 规格

在MOSFET的选择过程中，评估参数的设计人员一般通过仔细分析相关规格来了解自己到底需要什么。但有时深入了解IC制造商如何提供工作特性是很有必要的。以RDS(ON)为例，你也许通常期望该规格只与器件的设计及半导体制造工艺有关。但实际上，封装设计对导通阻抗RDS(ON) 的最小化有着巨大的影响。

封装对RDS(ON)的作用巨大是因为该参数主要取决于传导损耗，而封装无疑可以影响传导损耗。考虑本文正文提及的飞兆半导体FDMS7650 和1mΩ导通阻抗。该器件能获得较低RDS(ON) 值，大约一半原因可归结于封装设计。其封装采用一种坚固的铜夹技术取代常用的铝或金键合引线来连接源极和引线框架。这种方案把封装阻抗降至最小，并降低了源极电感，源极电感是开关器件产生振铃的主要原因。