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单片机一些基础问题

作者: 时间:2013-05-16 来源:网络 收藏

中断允许控制寄存器寄存器地址A8H,位寻址AFH~A8H。

中断的允许或禁止是由片内可进行位(什么是位,大家可别到现在还说不知道哦)寻址的 8位中断允许寄存器 IE 来控制的,中断系统中有两种不同类型的中断:一种称为非屏蔽中断;另一种称为屏蔽中断。对于非屏蔽中断,用户不能用软件方法加以禁止,一旦有中断申请,CPU 将根据自然优先级予以响应。这里主要讲屏蔽中断,对于屏蔽中断,我们可以通过软件的方法来予以控制(允许中断我们把它称为中断开放,不允许中断我们把它称之为中断屏蔽),如何操作,说穿了其实很简单,就是通过对 IE 的相应位的置“1”或请“0”来允许或禁止某个中断,请看下面的表格:

EA × × ES ET1 EX1 ET0 EX0

(1)EA:总中断允许开关。它是个总开关,凡是要设置中端都得先通过它。EA=1,开放所有的中断;EA=0,则所有中断都被禁止。

(2)ES:串行口中断控制位。ES=1,允许中断;ES=0,禁止中断。

(3)ET1:定时/计数器 1 中断控制位。ET1=1,允许中断;ET1=0,禁止中断。

(4)EX1:外中断 1 中断控制位。EX1=1,允许中断;EX1=0,禁止中断。

(5)ET0:定时器 0 中断控制位。ET0=1,允许中断;ET0=0,禁止中断。

(6)EX0:外中断 0 中断控制位。EX0=1,允许中断;EX0=0,禁止中断。

SETB

SETB是汇编指令,意思是把其后面的那个寄存器的位置1。

DJNZ ,

功能:减1,若非0则跳转

说明:DJNE指令首先将第1个操作数所代表的变量减1,如果结果不为0,则转移到第2个操作数所指定的地址去执行。如果第1个操作数的值为00H,则减1后变为0FFH。该指令不影响标志位。跳转目标地址的计算:首先将PC值加2(即指向下一条指令的首字节),然后将第2操作数表示的有符号的相对偏移量加到PC上去即可。byte所代表的操作数可采用寄存器寻址或直接寻址。

为什么要通过了74HC14把持ULN2003 驱动芯片驱动蜂鸣器

74HC14是六反相施密特触发器集成电路,其基础作用就是反相器,一般用于信号输入电路,用施密特触发器对输入信号进行波形整形,对干扰信号有必定的克制作用,其输出为标准的TTL电平。ULN2003 的每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路直接相连,可以直接处理本来需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。所以,ULN2003 是通过74HC14把持的,而74HC14是反相器,不加是不行的。。。

ULN2003 是高耐压、大电流复合晶体管阵列,由七个硅NPN 复合晶体管组成。ULN2003 工作电压高,工作电流大,灌电流可达500mA,并且能够在关态时承受50V 的电压,可以在高负载电流并行运行。 74HC14实现了6路施密特触发反相器。 蜂鸣器和继电器是电流型驱动的器件,直接用的引脚驱动的话电流不够,所以用ULN2003 进行驱动,74HC14是反向器,也就是把输入的1变为0

2003是反向的三极管输出阵列(有7路),但是,其集电极是开路输出的。输入高就输出低;输入低时,其输出三极管截止,电平悬浮,高电平靠外部负载上的电源V+实现。

2003的第8脚,通常接地;第9脚COM接电源V+,可以为负载电流在断流时提供续流通路.

2003的电流驱动能力就相当于是多个普通的分离的三极管,总电流可达五百毫安。加74HC14主要是确保上电后2003无输出,否则上电后蜂鸣器会先叫一声。

继电器的引脚怎么接

2和6是常开,1和6是常闭,3和4是线圈,5和6是连着的,用哪个都行。

其实不用看引脚图,用万能表一测便知。

把万能表跳到电阻X1K档,有一定值的是线圈,等于0的是常闭,无穷大的是常开,一试就知道了

74HC与74LS的区别

LS的驱动能力要比HC的强一些,所以如果后级的负载比较重的话,要选LS的.同时,LS的功耗也比HC的大一些.HC采用高速CMOS工艺制作,自身功耗低,输出高低电平范围宽。 LS采用早期的双极型工艺,驱动能力相对较大些。

74系列集成电路大致可分为6大类:l 74××(标准型);l 74LS××(低功耗肖特基);l 74S××(肖特基);l 74ALS××(先进低功耗肖特基);l 74AS××(先进肖特基);l 74F××(高速)。近年来还出现了高速CMOS电路的74系列,该系列可分为3大类:l HC为COMS工作电平;l HCT为TTL工作电平,可与74LS系列互换使用;l HCU适用于无缓冲级的CMOS电路。这9种74系列产品,只要后边的标号相同,其逻辑功能和管脚排列就相同。根据不同的条件和要求可选择不同类型的74系列产品,比如电路的供电电压为3V就应选择74HC系列的产品。

TTL和CMOS有什么区别

1,TTL电平:

输出高电平>2.4V,输出低电平0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平=0.8V,噪声容限是0.4V。

2,CMOS电平:

逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

3,电平转换电路:

因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。

4, OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。

5,TTL和COMS电路比较:

1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。

2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。

COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。

3)CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成

4)COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作

5)CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差

数码管的8位二进制是高位在前底位在后



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