GlobalFoundries与onsemi合作开发200毫米氮化镓产品组合

Globalfoundries（GF）与OnSemi签署协议，采用GF的200mm eMode GaN-on-硅工艺开发和制造先进氮化镓功率产品。

初期开发重点将是用于AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天、国防和安全的650伏电力设备。

OnSemi企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示：“此次合作将Onsemi的系统和产品专长与GlobalFoundries先进的氮化镓工艺相结合，为高速增长市场交付新的650V电力设备。”

他补充道：“我们计划在2026年上半年开始向客户提供样品，并迅速实现批量生产。”

GF表示，其eMode（增强模式）MISHEMT（金属绝缘体半导体高电子迁移晶体管）技术使用硅基板上生长的氮化镓（GaN），主要用于高性能、节能的无线通信，包括数据中心、工业和汽车应用，这些应用需要高电压、高频性能。

OnSemi将使其硅芯片驱动器、控制器和热增强封装与GF的650V GaN技术结合，以优化高功率密度的器件。Onsemi表示，该产品组合将包括用于人工智能数据中心的电源和DC-DC转换器、电动车的车载充电器和DC-DC转换器、太阳能微逆变器和储能系统、电机驱动和DC-DC转换器，这些产品适用于工业和航空航天、国防和安全领域。

采样工作将于2026年上半年开始。