EOS失效分析

          在芯片失效分析领域，EOS（电过应力）是一种常见的失效模式。传统的EOS失效通常表现为电压或电流输入引脚的明显烧毁痕迹，然而近期我们遇到很多特殊的案例（开盖观察可能的EOS引入引脚在电性测试并未检测出来）。这种非典型的失效模式为我们理解EOS的传播机制和失效路径提供了新的视角。

典型案例：

某DC-DC芯片失效，Vin输入未见明显短路，但芯片输出电压异常。

IV测试：VIN-VCC、VIN-SW、VCC-RTN异常，其中VCC-RTN短路，VIN-VCC开路；VCC-RTN阻抗下降但未见明显短路。

注：红色为失效芯片，蓝色为正常芯片对比。

声扫(SAT)：失效芯片VIN管脚处有疑似烧毁点！

开盖检测(Decap)：嚯！开盖一看，果然！VIN打线附近有明显的Burn Mark。

        但是为什么VIN-RTN未短路，VCC-RTN短路呢？——通过进一步放大观察可知，VIN相关的部分metal走线烧断（详见红箭头处），因此推断VIN击穿短路后产生了大电流，导致金属metal烧毁，同时大电流沿着内部金属连线传播至相对脆弱的区域（详见绿箭头示意），最后在VCC-RTN路径形成热点烧毁，导致短路。

         芯片烧毁路径分析：VIN和VCC之间有一个VCC regulator，详见规格书描述，这个regulator直连VIN，因此推断VIN引入EOS后过流致使VIN到这个regulator的metal烧断路（详见下图红X位置），同时过流导致VCC regulator烧毁，最终始VCC-RTN呈现短路的现象，短路路径为VCC-VCC regulator-RTN。