- 碳化硅（SiC）功率开关器件正成为工业电池领域一种广受欢迎的选择，因其能够实现更快的开关速度和更优异的低损耗工作，从而在不妥协性能的前提下提高功率密度。此外，SiC还支持 IGBT技术无法实现的新型功率因数拓扑结构。本文将介绍隔离式DC-DC功率级选择。隔离式DC-DC功率级的选择对于隔离式DC-DC转换，可以根据应用的功率等级来选择多种不同的拓扑结构。■ 半桥LLC拓扑采用次级端全桥同步整流的半桥LLC拓扑结构非常适合600W至3.0kW的充电器应用。iGaN功率开关适用于600W至1.0k
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工业充电器 隔离式DC-DC
工业充电器介绍
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