超低功耗CBRAM存储器技术　或能加速IoT应用发展

　　属于非挥发性存储器的快闪存储器(flash memory)过去在智能手机、平板电脑等市场需求的带动下，快闪存储器产业快速成长，然随着快闪存储器技术逐渐濒临尺寸与性能极限，各式新存储器技术陆续浮上台面，导电桥式随机存取存储器(conductive- bridging RAM;CBRAM)就是相当被看好的接班技术之一。

　　The Daily Reckoning网站报导，过去几10年来，半导体技术的重大进展多是来自于微缩，然随着每次的微缩，快闪存储器都会变得更不可靠，且这种以电荷储存为基础的存储器技术也会变得更加耗电，对于正在起飞的物联网(IoT)应用而言，恐怕还得仰赖新一代的存储器技术来满足其超低功耗之需求。

　　在各种新存储器技术当中，由美国亚历桑纳州立大学(Arizona State University)所开发出的导电桥式随机存取存储器也开始崭露头角，该技术属于电阻式存储器，主要是利用记忆元件电阻之大小作为资讯储存状态判读之依据，不同的电阻代表不同的储存状态，其在存取速度及能耗表现上都优于快取存储器，被视为最有潜力成为下一世代的非挥发性存储器元件之一。

　　在应用上，导电桥式随机存取存储器的资料写入速度是快闪存储器的20倍，且执行该任务时的耗电量也比快闪存储器低10~100倍，对于极度要求低功耗的IoT应用而言，可说是非常重要的特性。

　　目前多种不同的产业中的大厂产品已可见到导电桥式随机存取存储器的踪迹，包括汽车零组件之Delphi Automotive、消费性电子产品之Garmin、Roku、通讯之三星电子(Samsung Electronics)、博通(Broadcom)、医疗装置之娇生(Johnson & Johnson)及GE(General Electric)、个人电脑之戴尔(Dell)、惠普(HP)及联想等。

　　由于CBRAM属于通用的存储器技术，举凡穿戴式装置、感应器节点、智能电表(smart meter)、相机等皆可采用此技术，应用的范围非常广，能为市场上提供速度更快、能源效率更好的存储器解决方案，并可望为IoT发展带来新动力。