利用安森美IGBT实现高能效的高性能开关应用

　　•3) 功率因数校正
　　安森美半导体的600伏专用于功率因数校正和升压的600伏IGBT采用第一代场截止工艺，可以低廉价格实现可靠工作、低导通电压和低开关损耗，提升系统开关效率，节省线路板空间，包括NGTG50N60FWG和NGTG30N60FWG等。基于这类应用的特殊性，这类IGBT不含并联续流二极管，适用于太阳能逆变器升压转换器、空调机空滤引述校正和不间断电源功率因数校正等低频硬开关或是高频软开关电路。安森美半导体开发的单相3千瓦功率因数校正系统可用于IGBT的测试。

　　•4) 逆变式电焊机
　　安森美半导体还提供一系列可用于逆变式电焊机的600伏和1200伏从15到50安培IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)，采用场截止第一代工艺和场截止第二代工艺，这些IGBT有较低的导通压降和开关损耗，可降低并联续流二极管正向导通压，提升系统开关效率，低功率损耗，节省线路板空间，适用于全桥式逆变电焊机、半桥式逆变电焊机、电焊机功率因数校正、高频电焊机、激光切割机等高速开关应用。

　　•5) 不间断电源和太阳能逆变器
　　安森美半导体用于不间断电源和太阳能逆变器 (包括中点钳位式逆变器) 的1200伏和600伏IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)采用场截止第一代和场截止第二代工艺，价格低廉，工作可靠，导通电压低，开关损耗小，并联的高速续流二极管正向导通电压低。这些器件适用于电池充电器、不间断电源、功率因数校正、全桥和半桥式太阳能逆变器/变换器、中点钳位式逆变器、升压变换器半/全桥拓扑结构。安森美半导体提供不同功率的逆变器用来测试分立式IGBT和IGBT模块。

　　安森美半导体的客户已成功使用其场截止型第一代IGBTNGTB50N60FLWG开发出了各种应用，如功率10 千伏安、功率因数0.9的不间断电源，以及采用半桥谐振拓扑结构的1450瓦厨用电炉。客户认为，安森美半导体场截止型第一代IGBT的性能达到了市场上最好的性能;其IGBT在电磁炉上的温升低于其它2款IGBT。

　　未来，安森美半导体将推出超过20款第四代 (场截止型第二代) IGBT以及专用于逆变式电焊机IGBT，并继续开发IGBT模块。无论客户的产品需求如何，安森美半导体总有一款高性能、高能效的IGBT方案能够满足要求，帮助设计工程师设计出高能效及高性能的产品。