新型BiCMOS带隙基准电路的设计 作者： 时间：2010-11-07 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/180291.htm 3 结语 带隙基准电压电路作为模拟电路中的重要模块对A/D采集精度、电源管理芯片的性能都有重要影响。本文设计了一种高精度、高电源抑制比、低电压的带隙基准电路，并且实现了对基准电压的外部修调。结果表明：电路在3.3 V电源电压，-40～+125℃下能提供稳定的0.5 V基准电压输出，温漂15 ppm，低频时电源抑制比-103 dB，达到了设计要求。 DIY机械键盘相关社区:机械键盘DIY 上一页 1 2 3 4 下一页
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