新型BiCMOS带隙基准电路的设计
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1.4 电路启动及简并点分析
因为常规电流模带隙结构引入了新的电流通道，使每支路都有2个电流通道，因此存在着第三种可能的简并态。文献给出了解决第三简并态的解决办法，但是其启动电路复杂。本设计实现电流模结构的同时没有引入额外的电流通路，故只存在2个简并态：零点态和工作态。所以，所需启动电路简单，其结构如图4所示。
图4中M点与核心电路中AMP1输出端的M点相连，当AMP1输出高电平时，核心电路中各PMOS不能导通。这时启动电路通过反相器的作用使M10导通，M10的漏端接核心电路中的a点，从而M10开始对a点充电，使电路脱离零电流状态。电路导通以后，M点输出低电平使M10关断，启动电路从主电路脱离。
1.5 电路中运算放大器的设计
本设计中考虑放大器的重要性能指标是开环直流增益大、电源抑制比高。运放结构如图5所示，采用两级放大结构：第一级是双端输入单端输出的以共源共栅PMOS为负载的折叠共源共栅结构;第二级为共源放大(两级中间用电容做补偿)。这样的结构提供足够高的直流增益，同时共源共栅负载的应用，不仅提高了开环直流增益而且增大了电源抑制比。
2 带隙基准电路仿真结果
电路采用Xfab O.35μm BiCMOS的工艺模型库，用Cadence Specte仿真器对电路进行仿真模拟。当电源电压为3.3 V时，图6和图7分别是温度相关性和电源抑制比(PSRR)的曲线图。结果显示，本带隙基准输出O.5 V稳定电压，在-40～+125℃的温度范围内，温漂为15 ppm，电路表现出良好的温度特性。同时，低频时基准电压源的电源抑制比可达-103 dB，在40 kHz以前电源抑制比小于-100 dB。图8是本电路在不同工作电压下的输出电压，可见电路正常启动电压为2 V，电路启动后基准电压的变化小于O.06 mV。
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