全CMOS基准电压源的分析与仿真
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4 高精度MOS管电压源
图8所示电路是在图4的基础上增加了一个差分运放电路，通过该运放强制使得M1和M2的漏一源电压相等，从而极大地削弱沟道调制效应产生的影响。而运放的输出为M1和M2提供了栅极偏置电压。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/178769.htm
图8中M1-M2、M5-M10的W／L=1．8μm／0．18μm，M3-M4的W／L=3．6μm／0．18μm。仿真结果如图9所示，温度在0～80℃变化时，输出电压在661．4～662．6mV之间变化，温度特性很好。电源电压在2．5～3．3V变化时，输出电压在580～660mV之间变化。
5 小结
基准电压源电路作为模拟集成电路不可缺少的模块，对其进行分析和研究具有重要意义。本文通过Hspice对四种MOS管基准电压源电路进行仿真，给出了电路图、电路参数和仿真结果。
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