CMOS器件抗静电措施的研究
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高压静电场靠近CMOS器件时，例如人体带来高压静电场而用手摸装CMOS器件的塑料管虽然人体没有触及CMOS的栅极管脚，但是电场是可以穿越过去的，因为电场是绝缘不了的，它只能用金属板或金属盒子来屏蔽，所以这个高压静电场在CMOS栅极氧化层的一个面上感应带内部电场，如果这个感应电场的强度超过了CMOS栅极的击穿电压，则CMOS栅极同样会被击穿而失效的。
如果CMOS器件受到静电损伤而产生失效，那么失效有两种结果：
1)当即损坏失效：
2)延迟失效，过几个月或几年后产生失效。
如果属于当即失效，进行更换就能使整机工作正常，如果属于延迟失效，这就麻烦大了，因为不知道何时失效，会给整机留下严重的隐患，但CMOS器件90％是延迟失效，这就对整机应用的可靠性影响太大。因为延迟失效问题目前还没有办法把它筛选掉，所以只能采取各种防御措施。
2 在线路设计上采取抗静电措施
为了提高印刷版以及整机的应用可靠性，在线路设计上采取各种措施来保护CMOS器件避免受到静电损伤，这些保护措施主要放在一个系统，一台整机，或一块制板上的“接口处”，即它们的输入处和输出处，因为这里最容易受到外界静电的损伤。以下是各种方法：
1)增加限流电阻或泄放电阻的保护措施
增加限流电阻或泄放电阻的保护措施见图2，在图2中R1，R2及R5是限流电阻，对CMOS器件选0．2～10 kΩ左右，R3及R4及并联的电容C1和C2对防静电有好处。必须说明增加泄放电阻及电容后会影响输入波形的，电容要小。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/176960.htm
2)隔离保护措施
这里有几种方案，把进入CMOS输入端的静电用各种方法隔离或吸收。
①采用射极跟随器的隔离保护如图3所示。
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