CMOS器件抗静电措施的研究
加入技术交流群
图3中R1、R2和R4大约0．5～2 kΩ，因为这个电阻很小，到达输入端及输出端的静电荷，通过R1、R2和R4很快就吸收掉。但有时影响输出波形，使用时应注意。
②采用互补放大器的隔离保护如图4所示。
这种方法对输出波形影响小，但增加器件数目，互补三极和参数要对称一致，必须进行配对测试。
③采用光电耦合器的隔离保护。
把图4的互补放大器换为光电耦合器，减少了配对测试的必要性。
3)增加稳压器或瞬变电压抑制二极管保护CMOS栅极避免电击穿
如CMOS电源电压为10 V，增加15 V左右的稳压管；如CMOS电源电压为5 V，增加7 V左右的稳压管，不仅可以加在CMOS的输入端或输出端，还可以加在CMOS的电源端，如图5所示。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/176960.htm
因为静电不是直流电，是很快可以吸收而消除的，如果有几百伏或几千伏的静电接触，如图5中CMOS的输入端、输出端或电源端，那么D1、D2、D3和D4立刻击穿导通，把静电吸收掉。
3 结束语
通过上述几种方法，能够有效的消除静电对CMOS器件的损伤，不过都是以增加元器件的数量以及牺牲输入信号的质量为代价。但如果元器件选用得当，在多数情况下只会牺牲很少的输入信号质量，而使CMOS器件免受静电损伤。
评论