基于XPM存储器RFID高频接口设计
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100%和10% ASK 调制仿真结果
调制的数据和天线的波形图
4.结论
基于 SMIC 0.18um one poly four metal 标准CMOS 工艺设计的符合ISO15693 国际标准协议的RFID 射频前端电路. 电路仿真的结果表明: 此射频前端电路可以有效地从 13.56MHz 的RF 信号中恢复出直流电压1.8v, 并提出数字部分需要的时钟,和解调出指令数据。整个芯片的版图照片如图所示.芯片的面积为960um*600um.流片后测试发现在7.5A/m 场强下可以工作在12CM.满足设计规格要求。
整个芯片的照片
本文作者创新点：在标准0.18um CMOS process 上实现了满足ISO15693 国际标准的 RFID 射频前端电路的设计，并流片验证通过。而且成功的把XPM 存储器技术(标准CMOS 的One time program memory)集成到RFID 芯片中, 实现了世界上第一次采用XPM 存储器技 术成功的RFID 芯片。
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