罗姆开发出超低IR肖特基势垒二极管 作者： 时间：2012-06-26 来源：电子产品世界 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> <特点>本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/133946.htm 1) 与传统产品相比，损耗约降低40% 与一般用于车载的FRD相比，VF降低约40%。有助于降低功耗。 2) 小型封装有助于节省空间 与传统产品相比，可实现小一号尺寸的封装设计。 3) 高温环境下亦无热失控 实现了超低IR，因此Ta=150℃也不会发生热失控，可在车载等高温环境下使用。 模拟电路相关文章:模拟电路基础 上一页 1 2 3 下一页
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