NAND闪存产业正处在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari称未来的产能需要和产品需求“失去了关联”。NAND闪存糟糕的产业模式使厂商对建新厂失去兴趣。
积极地来看，Harari称2013年NAND闪存位需求将达10万petabyte(PB，1 peta=100万Giga)，而现在为7000PB。当前和未来的NAND闪存需求让将爆炸性增长，其中包括最有潜力的市场驱动力——嵌入式移动应用市场。
Harari在闪存峰会的主题演讲中
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SanDisk NAND 闪存
英特尔和美光科技周二发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称，他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片，存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术，从而将实现高容量的优盘。
美光NAND闪存营销经理Kevin Kilbuck说，虽然在一个存储单元加入更多比特的数据能够提供更大的数据密度，但是，这种做法没有基于更标准的技术的闪存那样可靠。因此，每个储存单元3比特的芯片最初将仅限于应用到优盘。优盘没有要求固态硬盘的那种数据存储可靠性。固
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英特尔 NAND 34纳米
曾经是欧洲最大内存厂的奇梦达进入资产拍卖阶段，而此举刚好给了大陆切入内存产业领域的大好时机!浪潮集团将于8月中收购奇梦达西安研发中心，至于苏州封测也传出将由华润集团接手，而这些收购公司背后都有国资背景，显见在官方撑腰并下指导棋的情况下，大陆内存产业链终于完备。
德国内存龙头厂奇梦达确定遭到市场淘汰，并已正式进入资产拍卖阶段。目前奇梦达的资产包括6大研发中心、美国的弗吉尼亚与德国的德勒斯登12吋晶圆厂，以及大陆、葡萄牙、马来西亚的后段封测厂。至于奇梦达在大陆的基地，只有西安的研发中心与苏州的内存后
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奇梦达 晶圆 服务器 DRAM NAND
据日本媒体报道，日本近期半导体和液晶面板的生产水平得到回升，大型电器生产厂家纷纷决定利用暑期休假时间加班加点进行生产。由于环保积分制度促进数码家电销量增长等因素，市场需求得到恢复，库存调整也取得进展。生产水平的回升一旦上了轨道，这些企业的业绩有望得到好转，也可能为日本国内经济带来一股活力。
在液晶生产领域拥有主导权的夏普公司旗下龟山第二工厂的液晶面板生产线暑期照常开工。该工厂从8月起将液晶面板产能提高约10%，在建中的堺市新工厂也将于10月起按预定计划开工。
东芝公司旗下生产用于手机等的&
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夏普 液晶面板 半导体 NAND
8月6日消息，日本芯片制造业龙头东芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片业务资本支出增长将减缓，并寻求扩张核能发电及智能型电网业务，3年后其电力及基础建设业务的获利，将达电子产品部的2倍。
东芝的半导体部门已连续3季出现营业亏损，使其减缓该部门支出，并在其它领域寻求固定营收来源，例如健康医疗及水处理等。
东芝目前预期，包含微芯片、传感器及液晶显示器(LCD)等电子产品部门于2012年3月底结束的会计年度，获利将达约1000亿日元(10亿美元);而届时社会基础建设业务获利则可达2000亿
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东芝 NAND 晶圆
尽管最近市场调研公司VLSI仍不修正半导体业阴沉的预测， 即09年全球设备市场下降44.2%及半导体市场下降12.4%，而其CEO Hutcheson对于IC工业仍非常乐观。
根据与Hutcheson的对话及公司的最新报告， 以下将结论刊出， 共有4个正面意见及2个负面看法。以下是为什么分析师呈现乐观或者担心的原因。
1. 看到回升
7月的周报IC销售额上升到33亿美元， 打破了三周来IC销售额的阴沉局面， 因为通常7月是典型的弱月份， 所以这条消息具正面意见。依周与周的比较，IC销
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Cisco 通讯 太阳能 NAND
在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下，第二季NAND Flash平均销售价格(ASP)约上涨20% QoQ，整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长，2009年第二季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿8千6百万美元，较上一季的20亿8千6百万美元成长33.6%QoQ。
就2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收排行来看，Samsung营收为10亿3千7
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Micron NAND
据台湾媒体报道，东芝日前发生日本晶圆厂遭到雷击短暂停电事件，尽管NAND Flash产能并未受到影响，然令业界意外的是，由于该厂房主要生产包含快闪记忆卡控制芯片的逻辑IC产品，因此，使得东芝microSD卡供应量骤降，带动近期microSD卡价格上涨逾10%。
内存业者认为，过去记忆卡价格一直严重偏低，业界趁此机会调涨终端记忆卡售价，但NAND Flash芯片价格上涨机率则不高。
业内人士表示，2009年初NAND Flash芯片价格持续上涨，记忆卡价格却没有跟上来，导致NAND Flas
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东芝 NAND 晶圆
据国外媒体报道，美国知识产权公司BTG International Inc.(以下简称“BTG”)今天向美国国际贸易委员会提出申诉，称三星的NAND闪存芯片侵犯其5项专利，要求禁止进口侵权芯片及相关产品。BTG还将苹果、RIM等8家采用该芯片的公司列为被告。
BTG申诉材料称，涉案专利与采用“多层存储单元”(MLC)技术的闪存芯片的编程和读取方法有关。MLC技术能降低闪存芯片制造成本，并提高存储密度。
申诉材料指出，包括手机、摄像机、笔记本和
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三星 NAND 闪存芯片 MLC
海力士(Hynix)NAND Flash产业之路命运多舛，之前48纳米制程量产不顺，加上减产之故，几乎是半退出NAND Flash产业，直到近期新制程41纳米制程量产顺利，才开始活跃起来，日前更打入苹果(Apple)iPhone 3G S供应链，获得认证通过，可以一起和东芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大厂一起「吃苹果」!
海力士2008年下半开始，NAND Flash出货量变得相当少，一方面是48纳米制程量产不顺，另一方面是NAND Flash价格崩盘，导致亏损
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Hynix NAND 48纳米 41纳米 34纳米 存储器
7月下旬NAND Flash合约价在一片淡季声中，仍是稳住阵脚，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈现持平。模块厂表示，三星电子(Samsung Electronics)释出数量不多，因此即使市场的买气平平，NAND Flash价格下跌压力有限，而英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营则是维持低价抢单的策略;市调机构英鼎(inSpectrum)预估，全球第3季的NAND Flash产出仍会较第2季成长25%，估计约16.26亿颗(以8Gb容量计算)。
根据英鼎
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三星 NAND 记忆卡
台塑集团布局DRAM产业更趋积极，除集团挹注资金、争取国发基金投资，近期传出华亚科有意让英特尔(Intel)投资入股，打算藉由办理海外存托凭证(GDR)或私募时进行，目前整起投资案正由外资机构评估中。存储器业者透露，华亚科拟引进英特尔投资，主要关键系说服英特尔藉由这次支持DRAM产业动作，阻止三星电子(Samsung Electronics)在全球存储器市场坐大，甚至威胁英特尔在半导体产业地位。
存储器业者透露，华亚科拟以GDR或私募方式引进英特尔资金，除争取资金挹注，另一个重要原因，就是希望藉
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TMC DRAM NAND
苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示，该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议，并向后者预付5亿美元货款。
这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商，面临闪存芯片价格滑坡和来自三星电子的激烈竞争等问题。
消息人士表示，5亿美元相当于苹果一个季度NAND闪存芯片需求量的价值。
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苹果 闪存芯片 NAND
英特尔公司已经开始采用更为先进的34纳米生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程设计，34 纳米产品将使SSD的价格(与一年前推出产品时的价格相比)降低60%，为PC和笔记本电脑制造商及消费者带来实惠。
多层单元(MLC)英特尔® X25-M Mainstream SATA SSD适用于笔记本电脑和台式机，有80GB和160GB两个版本可供选择。SSD是电脑中的数据存储设备。由于SSD不包括任何移动部件，因此与传统硬盘(
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英特尔 34纳米 NAND 固态硬盘
随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IM Flash抢头香推出34纳米制程NAND Flash产品，应战三星电子(Samsung Electronics)42纳米制程，不但制程技术领先，近期英特尔和美光在价格策略上，更是上演绝地大反攻计画，以超低价策略抢食三星地盘。下游厂商透露，近期英特尔和美光32Gb芯片价格硬是比其它品牌便宜1美元，相较于三星更是便宜将近3美元，价差相当惊人，而此策略亦让英特尔阵营近期NAND Flash产品询问度大增，三星在现货市场活络度则降低。
英特尔
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Intel 34纳米 NAND 42纳米
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