1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠，但各自解决的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐压水平和电流承载能力。这使得它们很适合于汽车牵引逆变器、车载充电器和直流/ 直流转换器、大功率太阳能发电站和大型三相电网变流器等应用。SiC 进入市场的时间略长，因此它有更多的选择，例如，相比目前可用的GaN 解决方案，SiC 支持更广泛的电压和导通电阻。
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202310 纳芯微 SiC GaN
假如有人将24V电源连接到您的12V电路上，将发生什么？倘若电源线和接地线因疏忽而反接，电路还能安然无恙吗？您的应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中?即使此类事件的发生概率很低，但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。为了隔离负电源电压，设计人员惯常的做法是布设一个与电源相串联的功率二极管或 P 沟道 MOSFET。然而——◇ 二极管既占用宝贵的板级空间，又会在高负载电流下消耗大量的功率。◇ P 沟道 MOSFET 的功耗虽然低于串联二极管，但 MOSFET 以及所需的
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MOSFET 二极管 LTC4365
1 SiC、GaN相比传统方案的优势虽然硅功率器件目前占据主导地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的热特性，适用于需要高效率和高输出的应用，而GaN 功率器件具有出色的射频频率特性，能满足要求高效率和小尺寸的千瓦级应用。最为重要的一点，SiC 的击穿场是硅的10 倍。由于这种性质，SiC 器件的块层厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外，SiC 的导热系数大约是硅的3 倍，因此它能提供更高的散热能力
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202310 东芝 SiC GaN
ST（ 意法半导体） 关注电动汽车、充电基础设施、可再生能源和工业应用，将最新一代STPOWER SiC MOSFET和二极管部署在这些应用领域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得业界最低的通态电阻，可以实现能效和功率密度更高的产品设计。ST 还提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增强型HEMT 开关管用于开发超快速充电和高频功率转换应用，功率损耗很小。与硅基芯片相比，SiC 和GaN 等宽带隙材料特性可让系统变得尺寸更小，重量更轻，开关和导通损耗更低，从而提高能效。Gianfranc
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202310 意法半导体 SiC GaN
1 SiC的应用优势Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代宽禁带（WBG）半导体材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品质因数（FoM）和低反向恢复电荷（Qrr），特别适用于具有挑战性的应用，尤其是高压大电流等应用场景，主驱逆变器采用SiC，可提升系统的效率，进而使得在相同的电池容量下里程数得以提升。OBC（车载充电机）采用SiC，可实现更高的能效和功率密度。随着汽车市场向800 V 高压系统发展，SiC 在高压下的低阻抗、高速等优势将更能体现。Mrinal K.Das博士(安森美电源方案事业群先进电源
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202310 SiC 安森美
碳化硅（SiC）具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率等特点，可很好地满足新能源汽车与充电桩、光伏新能源、智能电网、轨道交通等应用需求，对我国“新基建”产业发展具有重要意义，是未来五年“中国芯”最好的突破口之一，当下我国应该集中优势资源重点发展。
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202310 碳化硅 SiC 衬底 8英寸 扩产
效率和尺寸是电源设计的两个主要考虑因素，而功率因数校正 (PFC)也在变得越来越重要。为了减少无功功率引起的电力线谐波含量和损耗，尽可能降低电源运行时对交流电源基础设施的影响，需要使用 PFC。但要设计出小尺寸、高效率电源（包括 PFC）仍极具挑战性。本文介绍了如何通过修改传统 PFC 拓扑结构来更好地实现这一目标。使用整流器和升压二极管的 PFC电源的输入级通常使用桥式整流器后接单相 PFC 级，由四个整流器二极管和一个升压二极管组成。图 1：桥式整流器后接单相 PFC 级图腾柱无桥拓扑结构还有一种提高
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安森美 PFC SiC 电源密度
预计在未来五年，住宅太阳能系统的数量将大幅增长。太阳能系统能为家庭提供清洁和绿色的能源，用于为家用电器供电，为电动汽车充电，甚至将多余的电力输送至电网。有了太阳能系统，即使发生电网故障，也不用担心。本篇博客介绍了住宅太阳能系统的主要组成部分，并建议采用安森美 (onsemi) 的电源方案方案来提高太阳能系统的效率、可靠性和成本优势。住宅太阳能逆变器系统概述住宅太阳能逆变器系统中包括了产生可变直流电压的光伏面板阵列。升压转换器使用“最大功率点跟踪”(MPPT) 方法（根据阳光的强度和方向优化能量采集），将可
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SiC 太阳能系统
由创新科技及工业局和引进重点企业办公室共同推动，香港科技园公司（科技园公司）与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。香港特区政府创新科技及工业局去年公布的《香港创科发展蓝图》中，明确指出应加强支持具策略性的先进制造产业发展，譬如半导体芯片，促进香港「新型工业化」的发展。作为全球最大的半导体进出口市场之一，香港更是位处大
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香港科技园公司 杰平方半导体 碳化硅 SiC 垂直整合晶圆厂
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）扩大了支持电路仿真工具*1 LTspice® 的SPICE模型*2阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，罗姆已经提供超过3,500 种分立产品的LTspice®模型，这些模型从各产品页面均可下载。目前，罗姆官网上发布的产品所对应的LTspice®模型覆盖率
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L4986简介：L4986是一款峰值电流模式PFC升压控制器，采用专有的乘法器“模拟器”，除了创新型THD优化器，还保证在所有工条件下具有非常低的总谐波失真（THD）性能。该器件引脚采用SO封装，集成了800V
高压启动功能，无需使用传统的放电电阻。可以支持的功率范围从一两百瓦到几千瓦。 ST 提供两个版本：A为65 kHz，B为130
kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 电路简介：Double-boost 是无桥PFC的一种, 去掉了大功耗的整流桥，可以显著提
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ST SIC 第三代半导体 CCM PFC 4986 电动工具 割草机 双boost double boost 无桥PFC
Littelfuse拥有广泛的产品系列、具有竞争力的产品性能和先进的技术，在高压（HV）分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品，包括电压阻断能力高达4700V的器件，能够支持客户开发需求严苛的应用。Littelfuse拥有广泛的产品系列、具有竞争力的产品性能和先进的技术，在高压（HV）分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品，包括电压阻断能力高达4700V的器件，能够支持客户开发需求严苛的应用。Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si) MOSF
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Littelfuse MOSFET
热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。简介热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的
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MOSFET 导通电阻
1.方案介绍:NCD57000 是一种具有内部电流隔离的高电流单通道驱动器，专为高功率应用的高系统效率和高可靠性而设计。其特性包括互补的输入端（IN+ 和 IN-）、漏极开路或故障侦测功能、有源米勒箝位功能、也配备了精确的 UVLO和DESAT保护能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 时的软关断以及独立的高低驱动器输出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系统设计及开发。 NCD57000 可在输入侧提供 5
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NCD57000 驱动器 IGBT MOSFET onsemi 马达控制
在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展，从而实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再生能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳
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sic mosfet介绍
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